The present disclosure provides a method for preparing low stress DLC films on soft substrate surface, including: pretreatment of substrate; sputtering cleaning of high purity graphite target surface by physical vapor deposition equipment; fixation of substrate and plasma bombardment and etching of substrate surface; deposition of low stress DLC films on substrate surface. And low stress DLC films deposited on the substrate surface in vacuum.
【技术实现步骤摘要】
一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法
本公开涉及微结构气体探测器领域，尤其涉及一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法。
技术介绍
在当前的大型核与粒子物理实验中，微结构气体探测器(MPGD)由于其造价低廉、位置分辨高，计数率高等性能而得到了广泛的应用。Apical材料由于其优良的绝缘性以及良好的热稳定性而广泛应用于微结构气体探测器的制作。位于欧洲核子中心(CERN)的大型强子对装机(LHC)上的CMS实验，用来作缪子触发的GEM(GasElectronMultiplier，气体电子倍增器)探测器，即是一种传统的微结构气体探测器。其关键元件GEM薄膜的制作材料为双面镀铜的Apical，薄膜上有许多呈六角密排的小孔。在上下铜电极之间加上高电压后能在孔内得到很强的电场，从而对电子进行雪崩放大，以此实现电子倍增。随着对撞机能量和亮度不断提高，对探测器性能的要求也越来越高。由于探测器苛刻的工作环境，传统的微结构气体探测器在工作时(GEM、MicroMegas)经常会发生打火放电现象。打火放电产生的局部电流会轰击探测器的电极，加速探测器的老化，长时间工作的情况下，还...
【技术保护点】
1.一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法，包括：步骤1：对基材进行预处理；步骤2：采用物理气相沉积设备对高纯石墨靶材表面进行溅射清洗；步骤3：固定基材并对基材表面进行等离子体轰击和刻蚀；步骤4：在基材表面沉积低应力DLC薄膜；以及步骤5：在真空环境下冷却基材表面沉积的低应力DLC薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法，包括：步骤1：对基材进行预处理；步骤2：采用物理气相沉积设备对高纯石墨靶材表面进行溅射清洗；步骤3：固定基材并对基材表面进行等离子体轰击和刻蚀；步骤4：在基材表面沉积低应力DLC薄膜；以及步骤5：在真空环境下冷却基材表面沉积的低应力DLC薄膜。2.如权利要求1所述的方法，所述基材为绝缘薄膜，或者，单面敷有铜膜的绝缘薄膜。3.如权利要求2所述的方法，所述步骤1包括：对基材进行擦拭清洁，擦干基材表面，并将基材放置烘箱中烘烤。4.如权利要求1所述的方法，所述物理气相沉积设备为直流磁控溅射沉积设备，包括：真空腔室、冷却系统、电源系统以及抽真空系统，真空腔室侧壁上设置有两个配备弱磁场的高纯石墨靶材和两个配备强磁场的高纯石墨靶材。5.如权利要求4所述的方法，所述步骤2包括：开启抽真空系统的机械泵，对真空腔室抽真空；待真空腔室的真空度降至10-1Torr以下时，抽真空系统的分子泵自动打开，继续抽真空；待真空腔室的真空度低于3×10-5Torr时，打开冷却系统以及电源系统；设置基材偏压为70V-150V，高纯石墨靶材电流为1.5A-4A，在真空腔室中通入流量为15sccm-20sccm的高纯氩气，对高纯石墨靶材表面溅射清洗30分钟-90分钟。6.如权利要求4所述的方法，所述步骤3包括：将基材通过装夹固定在...
【专利技术属性】
技术研发人员：周意，吕游，尚伦霖，张广安，鲁志斌，刘建北，张志永，丰建鑫，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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