一种硅片的成膜加工方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片的成膜加工方法，包括如下步骤：1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。本发明专利技术由常规蓝色的电池硅片在不增加任何设备和辅件的情况下，通过氨气和硅烷比例大小来调节折射率，利用脉冲大小对沉积速率的影响使膜色可控，生产加工出新型墨色电池硅片，用以提升市场竞争力。

Film forming method for silicon wafer

The invention discloses a film forming method for silicon wafer, which comprises the following steps: 1) mounting: putting etched silicon wafer into the PECVD equipment for heating up; 2) pre-deposition: after heating up, proper ammonia is put in, power is turned on, and silicon wafer is pretreated; 3) depositing: after finishing step 2, no silicon wafer is put in With the same proportion of ammonia and silane, the silicon wafer was deposited into an ink-colored film with a concentration of more than 90%. The conventional blue cell silicon wafer can adjust the refractive index by the ratio of ammonia and silane without adding any equipment and accessories, and the color of the film can be controlled by the influence of the pulse size on the deposition rate. A new type of ink cell silicon wafer is produced and processed to enhance the market competitiveness.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片的成膜加工方法
本专利技术涉及硅片成膜
，具体是一种硅片的成膜加工方法。
技术介绍
不同厚度的表面薄膜对不同波长的光线吸收、反射均不一样。太阳能电池板在本质上就是在基体上面生长多层薄膜，由于生产工艺的控制，导致薄膜的厚度会有所差异，因此就造成了电池板在不同区域颜色的不同。对于通常的晶硅电池板来讲，蓝色是最常见的颜色。随着太阳能电池的全球化发展，越来越多的客户在追求电池的实用性外更加注重电池的美观，进而电池片外观颜色变得丰富多彩，现市面上已出现多晶多彩电池片，新型膜色的电池片可以成为提升市场竞争力的有效手段。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅片的成膜加工方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种硅片的成膜加工方法，包括如下步骤：1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。作为本专利技术进一步的方案：所述步骤1)的具体操作分为如下步骤：A1)进入：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，将设备内部温度提升至460℃，时间控制在290-310s；A2)抽空：将设备内部的气体抽出，保持设备内部温度为450℃，持续时间为30S；A3)吹扫：向设备内部吹扫入氮气，保持设备内部温度为450℃，氮气流量为2000slm，持续时间10S；A4)恒温：保持设备内部温度为450℃，对硅片进行热处理，持续时间为600S。作为本专利技术进一步的方案：所述步骤2)的具体操作为：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气，氨气流量为4500slm，持续时间为20s，对硅片进行预沉积处理。作为本专利技术进一步的方案：所述步骤3)的具体操作分为如下步骤：B1)沉积一：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为3000slm，硅烷流量为1300slm，脉冲功率为7500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为180s，对硅片进行一次沉积处理；B2)沉积二：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为3800slm,硅烷流量为800slm，脉冲功率为6500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为80s，对硅片进行二次沉积处理；B3)沉积三：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为4500slm，硅烷流量为700slm，脉冲功率为500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为200s，对硅片进行三次沉积处理；B4)抽空：控制设备内部温度为450℃，将设备内部气体抽空，持续时间为30S；B5)吹扫：控制设备内部温度为450℃，向设备内部吹扫入氮气，氮气流量为2000slm，持续时间为10s；B6)抽空：控制设备内部温度为450℃，再次将设备内部气体抽空，持续时间为30S；B7)冲氮：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氮气，氮气流量为3000slm，持续时间为60秒；B8)取舟：控制设备内部温度为460℃，持续时间为700s，最后，将载有硅片的石墨舟取出。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：由常规蓝色的电池硅片在不增加任何设备和辅件的情况下，通过氨气和硅烷比例大小来调节折射率，利用脉冲大小对沉积速率的影响使膜色可控，生产加工出新型墨色电池硅片，用以提升市场竞争力；电池硅片的颜色由蓝色可以随时切换为墨色，且膜色均匀性好，集中度达到90％以上，提升的市场竞争力，带来的一定的效益。具体实施方式下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。一种硅片的成膜加工方法，包括如下步骤：1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。其中，所述步骤1)的具体操作分为如下步骤：A1)进入：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，将设备内部温度提升至460℃，时间控制在290-310s；A2)抽空：将设备内部的气体抽出，保持设备内部温度为450℃，持续时间为30S；A3)吹扫：向设备内部吹扫入氮气，保持设备内部温度为450℃，氮气流量为2000slm，持续时间10S；A4)恒温：保持设备内部温度为450℃，对硅片进行热处理，持续时间为600S。其中，所述步骤2)的具体操作为：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气，氨气流量为4500slm，持续时间为20s，对硅片进行预沉积处理。其中，所述步骤3)的具体操作分为如下步骤：B1)沉积一：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为3000slm，硅烷流量为1300slm，脉冲功率为7500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为180s，对硅片进行一次沉积处理；B2)沉积二：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为3800slm,硅烷流量为800slm，脉冲功率为6500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为80s，对硅片进行二次沉积处理；B3)沉积三：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为4500slm，硅烷流量为700slm，脉冲功率为500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为200s，对硅片进行三次沉积处理；B4)抽空：控制设备内部温度为450℃，将设备内部气体抽空，持续时间为30S；B5)吹扫：控制设备内部温度为450℃，向设备内部吹扫入氮气，氮气流量为2000slm，持续时间为10s；B6)抽空：控制设备内部温度为450℃，再次将设备内部气体抽空，持续时间为30S；B7)冲氮：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氮气，氮气流量为3000slm，持续时间为60秒；B8)取舟：控制设备内部温度为460℃，持续时间为700s，最后，将载有硅片的石墨舟取出。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。

【技术特征摘要】
1.一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。2.根据权利要求1所述的一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，所述步骤1)的具体操作分为如下步骤：A1)进入：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，将设备内部温度提升至460℃，时间控制在290-310s；A2)抽空：将设备内部的气体抽出，保持设备内部温度为450℃，持续时间为30S；A3)吹扫：向设备内部吹扫入氮气，保持设备内部温度为450℃，氮气流量为2000slm，持续时间10S；A4)恒温：保持设备内部温度为450℃，对硅片进行热处理，持续时间为600S。3.根据权利要求1所述的一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，所述步骤2)的具体操作为：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气，氨气流量为4500slm，持续时间为20s，对硅片进行预沉积处理。4.根据权利要求1所述的一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，所述步骤3)的具体操作分为如下步骤：B1)沉积一：控制设...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪梦廉，陈志运，田小江，李晴，张华，
申请(专利权)人：张家港国龙光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32