具有电荷分布结构的开关装置制造方法及图纸

一种半导体器件，其包括衬底和布置在所述衬底上的第一有源层。所述半导体器件也包括布置在所述第一有源层上的第二有源层，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间出现横向导电沟道。在所述第二有源层上布置有源极、栅极和漏极接触部。导电电荷分布结构布置在第二有源层上位于栅极接触部和漏极接触部之间。导电电荷分布结构电容耦合到栅极接触部。

Switchgear with charge distribution structure

A semiconductor device includes a substrate and a first active layer disposed on the substrate. The semiconductor device also includes a second active layer disposed on the first active layer such that a transverse conductive channel appears between the first active layer and the second active layer. An active pole, a grid and a drain contact part are arranged on the second active layer. The conductive charge distribution structure is arranged on the second active layer between the grid contact part and the drain contact part. The conductive charge distribution structure capacitance is coupled to the grid contact part.

【技术实现步骤摘要】
具有电荷分布结构的开关装置相关申请的交叉引用本申请是2016年12月22日提交的、名称为“SWITCHINGDEVICEWITHCHARGEDISTRIBUTIONSTRUCTURE(具有电荷分布结构的开关装置)”的序列号为15/388,812的美国专利申请的部分继续申请，该美国专利申请是2012年6月29日提交的、名称为“SWITCHINGDEVICEWITHCHARGEDISTRIBUTIONSTRUCTURE(具有电荷分布结构的开关装置)”的序列号为13/537,407的现已放弃的美国专利申请的继续申请。本申请涉及第9,245,879号(代理案卷号2024/8)和第9,425,195号(代理案卷号2024/8C1)的美国专利申请，以及2016年7月25日提交的、名称为“StaticDischargeSystem(静电放电系统)”的序列号为15/218,145(代理案卷号2024/8C2)的在审美国专利申请，这些专利申请通过引用方式被整体纳入本文中。
本专利技术涉及半导体器件。具体地，本专利技术涉及用作电源开关的高电压异质结构场效应晶体管(HFET)。背景技术高电压半导体开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：衬底；布置在所述衬底上的第一有源层；第二有源层，所述第二有源层布置在所述第一有源层上，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间出现横向导电沟道；布置在所述第二有源层上的源极接触部、栅极接触部和漏极接触部；以及布置在所述第二有源层上的位于所述栅极接触部和所述漏极接触部之间的导电电荷分布结构，所述导电电荷分布结构仅电容耦合到所述栅极接触部，所述导电电荷分布结构包括所述电荷分布结构的多个部件；所述电荷分布结构部件中的第一电荷分布结构部件仅电容耦合到所述栅极接触部，并且所述电荷分布结构部件中的第二电荷分布结构部件仅电容耦合到所述第一电荷分布结构部件，所述部件的每一个包括形成于...

【技术特征摘要】
2017.03.03 US 15/448,7241.一种半导体器件，包括：衬底；布置在所述衬底上的第一有源层；第二有源层，所述第二有源层布置在所述第一有源层上，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间出现横向导电沟道；布置在所述第二有源层上的源极接触部、栅极接触部和漏极接触部；以及布置在所述第二有源层上的位于所述栅极接触部和所述漏极接触部之间的导电电荷分布结构，所述导电电荷分布结构仅电容耦合到所述栅极接触部，所述导电电荷分布结构包括所述电荷分布结构的多个部件；所述电荷分布结构部件中的第一电荷分布结构部件仅电容耦合到所述栅极接触部，并且所述电荷分布结构部件中的第二电荷分布结构部件仅电容耦合到所述第一电荷分布结构部件，所述部件的每一个包括形成于第一层中的第一长条形构件和形成于第二层中的第二长条形构件，使得所述第一长条形构件和所述第二长条形构件相互电连接；其中所述横向导电沟道的长度小于二十五微米。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电荷分布结构与所述栅极接触部横向地间隔开第一距离，并且所述电荷分布结构与所述漏极接触部间隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括布置在所述第二有源层和所述电荷分布结构之间的电介质层。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述电介质层还布置在所述第二有源层和所述栅极接触部之间。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源层包括III族氮化物半导体材料。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一有源层包括GaN。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二有源层包括III族氮化物半导体材料。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二有源层包括AlxGa1-xN，其中0<X<1。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二有源层是从由AlGaN、AlInN和AlInGaN组成的组中选择的。10.一种场效应晶体管(FET)，包括：布置在衬底上的多个半导体层；电耦合到所述半导体层的源极、漏极和栅极；以及布置在所述半导体层上并且仅电容耦合到所述栅极的电容耦合电荷分布结构，所述电荷分布结构被配置成在从接通状态转换到关断状态的过渡期间在布置在所述栅极和所述漏极之间的所述晶体管的表面部分上产生表面放电、并且在从关断状态转换到接通状态的过渡期间在所述表面部分上产生表面再充...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·库迪莫夫，J·拉姆达尼，
申请(专利权)人：电力集成公司，
类型：发明
国别省市：美国,US