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一种半导体器件，其包括衬底和布置在所述衬底上的第一有源层。所述半导体器件也包括布置在所述第一有源层上的第二有源层，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间出现横向导电沟道。在所述第二有源层上布置有源极、栅极和漏极接触部。导电电荷分布结构布置...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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