一种电阻测量方法及电阻测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电阻测量方法及电阻测量装置，用于测量绝缘层的过孔位置的阻值，绝缘层的第一侧形成有第一导电图形，绝缘层的第二侧形成有第二导电图形；第一导电图形和第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接。其中，电阻测量方法包括：向第一导电图形施加第一电压和第一电流，向第二导电图形施加第二电压；其中，第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值；第一电流在第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流；测量所述第二导电图形上的第二电流；根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。本发明专利技术的方案能够测量过孔位置的阻值，可用于评估过孔位置的制作工艺。

A method of resistance measurement and device for measuring resistance

The invention provides a resistance measuring method and a resistance measuring device for measuring the resistance value of the through-hole position of the insulating layer. A first conductive pattern is formed on the first side of the insulating layer, a second conductive pattern is formed on the second side of the insulating layer, and the first conductive pattern and the second conductive pattern are connected through the through-hole of the insulating layer. The resistance measurement method includes: applying the first voltage and the first current to the first conductive pattern, and applying the second voltage to the second conductive pattern; wherein the voltage value of the second voltage is less than the voltage value of the first voltage; and the first current is transmitted to the second conductive pattern through the hole in the first conductive pattern to form the second conductive pattern. To form a second current; to measure a second current on the second conductive pattern; to calculate the resistance of the hole position according to the voltage difference between the first voltage and the second voltage and the current value of the second current. The method of the invention can measure the resistance value of the through hole position, and can be used for evaluating the manufacturing process of the position of the through hole.

【技术实现步骤摘要】
一种电阻测量方法及电阻测量装置
本专利技术涉及显示产品的制作领域，特别是指一种电阻测量方法及电阻测量装置。
技术介绍
在显示装置的生产过程中，经常会对不同制作阶段的显示基板的电阻进行测量，以评估制作品质。目前测量显示基板上的电阻所采用的方案是使用两根探针分别连接至待测位置的回路两端，通过探针加载、测量电信号以计算待测位置的阻值。两探针测量方式可以满足绝大部分的检测需求。但是显示基板为多图层结构，很多不同图层的导电图形是通过过孔实现跨接，过孔位置的电阻非常小，使用两根探针测量过孔位置的阻值会存在很大的误差，已无法满足检测要求。因此，当前有必要针对过孔位置的阻值提出一种测量方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电阻测量方法及电阻测量装置，能够测量过孔位置的阻值。为实现上述目的，一方面，本专利技术的实施例提供一种电阻测量方法，用于测量绝缘层的过孔位置的阻值，所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形，所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形；所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接；所述电阻测量方法包括：向所述第一导电图形施加第一电压和第一电流，向所述第二导电图形施加第二电压；其中，所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值；所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流；测量所述第二导电图形上的第二电流；根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。其中，根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值，包括：根据公式Rc＝(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值；式中，V1表示所述第一电压的电压值，V2表示所述第二电压的电压值，I2表示所述第二电流的电流值，Rc表示所述过孔位置的阻值。其中，向所述第一导电图形施加第一电流，包括：向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流，之后按照预设变化量，对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化；接收第二导电图形上的第二电流，包括：每当向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流，对应测量一次第二导电图形上的第二电流；根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值，包括：按照公式Rc＝(V1-V2)/I2，分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc；式中，V1表示所述第一电压的电压值，V2表示所述第二电压的电压值，I2表示所述第二电流的电流值，Rc表示所述过孔位置的阻值；将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。其中，所述初始电流值的取值范围为[0.001A，0.002A]，所述预设变化量为0.0001A。另一方面，本专利技术的实施例提供一种电阻测量装置，用于测量绝缘层的过孔位置的阻值，所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形，所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形；所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接；包括：第一探针，用于向所述第一导电图形施加第一电流；第二探针，用于向所述第一导电图形施加第一电压；第三探针，用于向所述第二导电图形施加第二电压；其中，所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值；所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流；第四探针，用于测量所述第二导电图形上的第二电流；处理模块，用于根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。其中，所述处理模块根据公式Rc＝(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值；式中，V1表示所述第一电压的电压值，V2表示所述第二电压的电压值，I2表示所述第二电流的电流值，Rc表示所述过孔位置的阻值。其中，所述第一探针具体用于，向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流，之后按照预设变化量，对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化；所述第四探针具体用于，每当第一向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流，对应测量一次第二导电图形上的第二电流；所述处理模块具体包括：第一计算单元，按照公式Rc＝(V1-V2)/I2，分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc；式中，V1表示所述第一电压的电压值，V2表示所述第二电压的电压值，I2表示所述第二电流的电流值，Rc表示所述过孔位置的阻值；处理单元，将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。其中，所述初始电流值的取值范围为[0.001A，0.002A]，所述预设变化量为0.0001A。此外，本专利技术的实施例提供一种计算机设备，包括：处理器、存储器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本专利技术上述实施例所提供的测量方法。此外，本专利技术的实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现专利技术上述实施例所提供的测量方法的步骤。本专利技术的上述方案具有如下有益效果：本专利技术的方案能够测量过孔位置的阻值，其测量误差在10Ω以内，相比于传统的两探针测试方法，测量结果更为精确，可用于评估过孔位置的制作工艺，对提高产品良品率具有一定帮助，因此具有较高的实用价值。附图说明图1为本专利技术实施例提供的电阻测量方法的步骤示意图；图2为本专利技术实施例提供的电阻测量方法获得的第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值的坐标示意图；图3为本专利技术实施例提供的电阻测量装置的结构示意图；图4为第一导电图形与第二导电图形的关系示意图；图5为本专利技术实施例提供的计算机设备的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。在下面的描述中，提供诸如具体的配置和组件的特定细节仅仅是为了帮助全面理解本专利技术的实施例。因此，本领域技术人员应该清楚，可以对这里描述的实施例进行各种改变和修改而不脱离本专利技术的范围和精神。另外，为了清楚和简洁，省略了对已知功能和构造的描述。应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本专利技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。在本专利技术的各种实施例中，应理解，下述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本专利技术实施例的实施过程构成任何限定。本专利技术的实施例提供一种电阻测量方法，用于测量绝缘层的过孔位置的阻值；绝缘层的第一侧形成有第一导电图形，绝缘层的第二侧形成有第二导电图形，第一导电图形和第二导电图形通过绝缘层的过孔连接；其中，如图1所示，本实施例的电阻测量方法包括：步骤1，向第一导电图形施加第一电压和第一电流，向第二导电图形施加第二电压；其中，第二电压的电压值小于第一电压的电压值，从而保证第一电流能够在第一导电图形上经过孔传递至第二导电图形，以形成第二电流；步骤2，测量第二导电图形上的第二电流；步骤3，根据第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算过孔位置的阻值。本实施例的电阻测量方法能够测量过孔位置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻测量方法，用于测量绝缘层的过孔位置的阻值，所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形，所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形；所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接；其特征在于，所述电阻测量方法包括：向所述第一导电图形施加第一电压和第一电流，向所述第二导电图形施加第二电压；其中，所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值；所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流；测量所述第二导电图形上的第二电流；根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。

【技术特征摘要】
1.一种电阻测量方法，用于测量绝缘层的过孔位置的阻值，所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形，所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形；所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接；其特征在于，所述电阻测量方法包括：向所述第一导电图形施加第一电压和第一电流，向所述第二导电图形施加第二电压；其中，所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值；所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流；测量所述第二导电图形上的第二电流；根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。2.根据权利要求1所述的电阻测量方法，其特征在于，根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值，包括：根据公式Rc＝(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值；式中，V1表示所述第一电压的电压值，V2表示所述第二电压的电压值，I2表示所述第二电流的电流值，Rc表示所述过孔位置的阻值。3.根据权利要求1所述的电阻测量方法，其特征在于，向所述第一导电图形施加第一电流，包括：向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流，之后按照预设变化量，对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化；接收第二导电图形上的第二电流，包括：每当向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流，对应测量一次第二导电图形上的第二电流；根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值，包括：按照公式Rc＝(V1-V2)/I2，分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc；式中，V1表示所述第一电压的电压值，V2表示所述第二电压的电压值，I2表示所述第二电流的电流值，Rc表示所述过孔位置的阻值；将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。4.根据权利要求3所述的电阻测量方法，其特征在于，所述初始电流值的取值范围为[0.001A，0.002A]，所述预设变化量为0.0001A。5.一种电阻测量装置，用于测量绝缘层的过孔位置的阻值，所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形，所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋玉冰，薛静，谷玥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11