The invention discloses a method for preparing NiPt alloy target material by centrifugal forming, which relates to the preparation of thin sheet NiPt alloy target material by centrifugal forming casting process, in order to avoid the destructive effect on stress processing of ingot, simplify the production process, ensure the purity of product material, and greatly improve the product yield. When the composition ratio of NiPt alloy enters the range of 40 90wt.% Pt, the ordered transformation occurs in the system, and the ordered structure formed will greatly weaken the stress processing properties of the alloy. By using a rotating heating platform and a specially designed mold for casting, the ingot shape is close to the product shape, and the final dimension can be obtained after simple machining. The problem of high scrap rate in the processing of the product with the traditional stress processing method is successfully solved.
【技术实现步骤摘要】
一种离心成型制备NiPt合金靶材的方法
本专利技术是针对40-90wt.%Pt成分区间NiPt合金靶材所提出的特殊制备方法,以避免使用应力加工所带来的极高的废品率,简化生产工艺,保证纯度,提高靶材的质量和成品率。
技术介绍
目前,半导体集成电路(IC)工业进入65nm以及45nm技术节点以后,由于线宽效应的限制,钛硅化物、钴硅化物(90nm及以上)已被镍及镍合金靶材制备的NiPt-硅化物触头所取代,成为最常用的硅化物;使用NiPt合金作为靶材的溅射工艺制备的镍硅化物具有无线宽效益和桥连现象,薄膜电阻和漏电流小、低温退火可使更少的硅原子发生迁移,薄膜中残余应力小等优点,被应用于肖特基二极管(SBD)、互补金属氧化物半导体器件(CMOS)、场效应晶体管(FET)和集成电路等领域。在形成NiSi的过程中添加Pt可以减少或消除侵占缺陷,Ni-5at.%Pt已成功地应用于65nm技术,Ni-10at.%Pt应用于45nm技术,随着半导体器件线宽的进一步减少,则需要更高Pt含量的NiPt来制备Ni(Pt)Si接触薄膜;同时,Pt作为非磁性元素,靶材中Pt含量的提高有利于其磁透率(PTF)的提高,增加溅射效率。文献[1-7]中已公开了NiPt靶材的大量制备方法,其所涉及的Ni、Pt元素配比已涵盖整个1-99wt.%范围,关于其加工方法也都为传统的冷热塑性变形如轧制及锻造。然而本专利技术人在实际NiPt合金靶材的生产研制工作过程中发现,当Pt的含量处于某一特定范围内(40-90wt.%)时,合金的加工性会突然变差甚至完全消失,只要施加很小的应变就会使整个锭坯布满裂纹甚至整 ...
【技术保护点】
1.一种制备NiPt合金靶材的方法,所涉及的成分区间为40‑90wt.%Pt,其特征在于:采用浇铸模具及浇铸工艺,使得铸件形状为产品形状。
【技术特征摘要】
1.一种制备NiPt合金靶材的方法,所涉及的成分区间为40-90wt.%Pt,其特征在于:采用浇铸模具及浇铸工艺,使得铸件形状为产品形状。2.根据权利要求1所述制备NiPt合金靶材的方法,其特征在于:所涉及的浇铸工艺为离心成型工艺。3.根据权利要求2所述制备NiPt合金靶材的方法,其特征是:所述离心成型工艺采用可加热的旋转平台作为放置模具的底座,加热温度可调,最高不低于600℃,转速可调,最高不低于300r/min。4.根据权利要求2所述制备NiPt合金靶材的方法,其特征是:所述离心成型工艺采用三高石墨制作圆盘状模具以及浇道和冒口,模具为上下两半对扣,下模大,圆心处设置保持坑;铸件厚度由上模控制,上模采用对开模,整个上模包括侧壁打直径0.3-0.5mm通气孔,孔间距为不大于10mm;浇道及冒口采用对开模。5.根据权利要求3所述制备NiPt合金靶材的方法,其特征是:模具内表面可包括但不限进行抛光或喷涂脱模剂处理以利于铸锭脱模,浇铸前先将模具加热,采用包括但不限保温棉等对浇道及冒口进行包裹,根据铸件大小设定旋转速度,最终以稳定不断流状态进行浇铸,将冒口浇满,保持模具加热及旋转10分钟以上。6.根据权利要求4所述制备NiPt合金靶材的方法,其特征是:铸件厚度设定比...
【专利技术属性】
技术研发人员:毕珺,闻明,沈月,宋修庆,熊庆丰,
申请(专利权)人:贵研铂业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:云南,53
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