一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，包括以下步骤：氮化铝陶瓷生坯制成陶瓷坯片；用模具冲切成需要烧结的生坯规格；冲切好的生坯堆叠进行压重陈腐；进行排胶；排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片；在素坯上压氮化硼压重板，再用坩埚放入石墨炉内进行烧结；烧结完成后去除隔离粉。本发明专利技术的优点是：石墨炉烧结氮化铝基板既能够保证陶瓷基板的平整度、又能保证产品表面的粗糙度；同时节约电力资源、人力资源、原材料的成本。

Method for sintering aluminum nitride ceramic substrate by Graphite Furnace

The invention discloses a method for sintering aluminium nitride ceramic substrate in a graphite furnace, which comprises the following steps: making aluminium nitride ceramic green body into ceramic blanks; punching and cutting green body specifications to be sintered with a die; pressing and aging of green body stacks after punching and cutting; discharging glue; applying isolation powder and sintering laminating sheets on each green sheet after discharging glue; The boron nitride pressure plate is pressed on the billet, and then the crucible is put into the graphite furnace for sintering. After sintering, the separating powder is removed. The invention has the advantages that the aluminum nitride substrate sintered by the graphite furnace can not only ensure the smoothness of the ceramic substrate, but also ensure the roughness of the surface of the product; at the same time, the cost of electric power resources, human resources and raw materials can be saved.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法
本专利技术涉及一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法。
技术介绍
氮化铝陶瓷基板、在烧结薄片0.15-0.50mm的陶瓷基板时、产品边缘很容易产生波浪边、不平整、翘曲不合格等现象、导致客户在使用过程中、因产品不平整、金属化后的电子浆料印刷时产生金属层厚薄不一致、导致产品使用性能不稳定。一般工艺需要通过修正或研磨来确保基板的平整度以满足使用要求。采用修正工艺来保证基板的平整度，也就是进行二次烧结，虽然第二次烧结温度较低，但二次烧结会致使氮化铝基板晶粒生长，导致晶粒长大，降低了产品的弯曲强度。其次，二次烧结会致使设备利用率下降，人力、能源成本上升，使本来成本就较高的氮化铝陶瓷基板成本变得更高，不利于产品的规模化生产和市场推广。现在大多数工厂采用研磨工艺来保证基板的平整度，这需要使烧结品预留出一定的研磨余量，因此增加了产品的生产和材料成本。而且目前的研磨技术并不完善，尤其是当氮化铝基板尺寸较大或基板厚度较薄时，很容易在研磨过程中产生开裂、暗裂和缺损等质量缺陷，这些缺陷的比例高达20～25%。现有的技术中采用金属炉烧结，需要再烧结时充入氢气，既危险又浪费资源。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，包括以下步骤：（1）氮化铝陶瓷生坯制成陶瓷坯片；（2）用模具冲切成需要烧结的生坯规格；（3）冲切好的生坯堆叠进行压重陈腐；（4）进行排胶；（5）排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片；（6）在素坯上压氮化硼压重板，再用坩埚放入石墨炉内进行烧结；（7）烧结完成后去除隔离粉得到产品。进一步的，（3）冲切好的生坯堆叠成50-200片、在温度15-30℃、相对湿度60±10%稳定的环境中进行压重陈腐20-48小时。进一步的，（4）用箱式排胶炉进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20-48小时、排胶叠片2-10片。进一步的，（4）用隧道窑进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20-48小时、排胶叠片2-10片。进一步的，（7）烧结时间24-60小时、烧结温度1700-1880℃，保温时间4-20小时。进一步的，（8）烧结完成后用震动手磨机去除隔离粉。进一步的，（8）烧结完成后用喷砂方式去除隔离粉。进一步的，（9）翘曲检验用厚度12mm的两块宽度一致、长度不一致的玻璃板、中间放入塞尺过翘曲、产品翘曲度长边≤3‰。进一步的，（10）检验完成后、得到相应的氮化铝陶瓷基板。进一步的，（1）氮化铝陶瓷生坯采用特种陶瓷流延机经刮刀流延成陶瓷坯片。与现有技术相比，本专利技术技术方案的有益效果为：石墨炉烧结氮化铝基板既能够保证陶瓷基板的平整度、又能保证产品表面的粗糙度；同时节约电力资源、人力资源、原材料的成本；采用石墨炉进行烧结安全且烧结的成本低，出品率高。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。实施例1本专利技术提出的一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，包括以下步骤：（1）氮化铝陶瓷生坯制成陶瓷坯片；（2）用模具冲切成需要烧结的生坯规格；（3）冲切好的生坯堆叠进行压重陈腐；（4）进行排胶；（5）排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片5-20片；（6）在素坯上压氮化硼压重板，再用坩埚放入石墨炉内进行烧结；（7）烧结完成后去除隔离粉得到产品。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（3）冲切好的生坯堆叠成50-200片、在温度15-30℃、相对湿度60±10%稳定的环境中进行压重陈腐20-48小时。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（4）用箱式排胶炉进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20-48小时、排胶叠片2-10片。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（4）用隧道窑进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20-48小时、排胶叠片2-10片。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（7）烧结时间24-60小时、烧结温度1700-1880℃，保温时间4-20小时。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（8）烧结完成后用震动手磨机去除隔离粉。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（8）烧结完成后用喷砂方式去除隔离粉。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（9）翘曲检验用厚度12mm的两块宽度一致、长度不一致的玻璃板、中间放入塞尺过翘曲、产品翘曲度长边≤3‰。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（10）检验完成后、得到相应的氮化铝陶瓷基板。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（2）根据氮化铝生坯收缩率，用模具冲切成需要烧结的生坯规格。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（5）排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片5-20片。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，（1）氮化铝陶瓷生坯采用特种陶瓷流延机经刮刀流延成陶瓷坯片。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，产品边缘平整、翘曲度低，在使用过程中产生金属层厚薄一致、产品使用性能稳定。一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，保证了产品粗糙度。加工完的产品中随机抽取10片产品的翘曲度测量如下：加工完的产品中随机抽取10片产品的粗糙度测量如下：以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）氮化铝陶瓷生坯制成陶瓷坯片；（2）用模具冲切成需要烧结的生坯规格；（3）冲切好的生坯堆叠进行压重陈腐；（4）进行排胶；（5）排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片；（6）在素坯上压氮化硼压重板，再用坩埚放入石墨炉内进行烧结；（7）烧结完成后去除隔离粉得到产品。

【技术特征摘要】
1.一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）氮化铝陶瓷生坯制成陶瓷坯片；（2）用模具冲切成需要烧结的生坯规格；（3）冲切好的生坯堆叠进行压重陈腐；（4）进行排胶；（5）排胶好的素坯每片上敷隔离粉、烧结叠片；（6）在素坯上压氮化硼压重板，再用坩埚放入石墨炉内进行烧结；（7）烧结完成后去除隔离粉得到产品。2.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（3）冲切好的生坯堆叠成50-200片、在温度15-30℃、相对湿度60±10%稳定的环境中进行压重陈腐20-48小时。3.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（4）用箱式排胶炉进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20-48小时、排胶叠片2-10片。4.根据权利要求1所述的石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：（4）用隧道窑进行排胶、排胶温度400-600℃、排胶时间20...

【专利技术属性】
技术研发人员：林德陇，
申请(专利权)人：浙江正天新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33