阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括衬底、依次设于所述衬底上方的缓冲层、半导体层、覆盖在所述半导体层上表面的栅极绝缘层以及设于所述栅极绝缘层上方的栅电极层，位于所述半导体层的两相对侧的斜面与所述缓冲层的所成角度均为锐角，且所述斜面的粗糙度大于所述半导体层的顶面。本发明专利技术还公开了一种阵列基板的制造方法。本发明专利技术的半导体层的两相对侧的斜面的粗糙度大于顶面，使得斜面上方的栅极绝缘层的膜厚增加，确保栅极绝缘层在半导体层的平坦处与斜坡处的膜厚均一性，因此增强了斜坡处的抗电压击穿能力，避免了阵列基板边缘漏电流的产生。

Array substrate and manufacturing method thereof

The invention discloses an array substrate, including a substrate, a buffer layer, a semiconductor layer, a gate insulating layer covering the surface of the semiconductor layer, and a gate electrode layer above the gate insulating layer, a slant plane on opposite sides of the semiconductor layer and a buffer layer. The angles are all acute angles, and the roughness of the inclined surface is larger than the top surface of the semiconductor layer. The invention also discloses a manufacturing method of the array substrate. The roughness of the slopes on the opposite sides of the semiconductor layer is larger than that on the top surface, thereby increasing the film thickness of the gate insulating layer above the slopes, ensuring the uniformity of the film thickness between the flat part of the semiconductor layer and the slopes of the gate insulating layer, thereby enhancing the voltage breakdown resistance at the slopes and avoiding the leakage current at the edges of the array substrate. The generation.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
在目前像素高精度要求下，在LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)或者OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板的制程中，TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)电路线宽需要做得更窄，且半导体层侧边的taper角(刻蚀后侧壁的角度)偏大，导致半导体层上层的GI(GateInsulator，栅极绝缘层)膜在斜坡处成膜厚度变窄，GI层的覆盖效果不佳。当Gate(栅极)施加电压时很容易击穿半导体层斜坡处的GI，导致在TFT驱动层产生边缘漏电流，影响产品良率。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足，本专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法，可以有效抑制TFT边缘漏电流的产生，提高产品良率。为了实现上述的目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种阵列基板，包括衬底、依次设于所述衬底上方的缓冲层、半导体层、覆盖在所述半导体层上表面的栅极绝缘层以及设于所述栅极绝缘层上方的栅电极层，位于所述半导体层的两相对侧的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底(10)、依次设于所述衬底(10)上方的缓冲层(20)、半导体层(30)、覆盖在所述半导体层(30)上表面的栅极绝缘层(40)以及设于所述栅极绝缘层(40)上方的栅电极层(50)，位于所述半导体层(30)的两相对侧的斜面(T)与所述缓冲层(20)的所成角度均为锐角，且所述斜面(T)的粗糙度大于所述半导体层(30)的顶面。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底(10)、依次设于所述衬底(10)上方的缓冲层(20)、半导体层(30)、覆盖在所述半导体层(30)上表面的栅极绝缘层(40)以及设于所述栅极绝缘层(40)上方的栅电极层(50)，位于所述半导体层(30)的两相对侧的斜面(T)与所述缓冲层(20)的所成角度均为锐角，且所述斜面(T)的粗糙度大于所述半导体层(30)的顶面。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层(30)包括第一部分和分别位于所述第一部分两侧的第二部分、第三部分，所述第二部分、所述第三部分的外表面为所述斜面(T)，所述第二部分、所述第三部分的表面粗糙度大于所述第一部分。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层(20)为氮化硅层、氧化硅层或二者的组合。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层设置在所述衬底(10)与所述半导体层(30)之间且遮挡所述半导体层(30)。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层形成于所述衬底(10)表面，所述缓冲层(20)完全覆盖所述遮光层。6.根据权利要求1-5任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢锐，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42