双介质阻挡的放电设备制造技术

本实用新型专利技术公开了双介质阻挡的放电设备。该放电设备包括相连的高压电源和放电模块；所述高压电源包括集成设置在外壳内的谐振电路、逆变电路、变压器。本实用新型专利技术双介质阻挡的放电设备，将谐振电路、逆变电路、变压器集成在一外壳内，使得高压电源的结构模块化，从而简化了结构。

Discharge device with double dielectric barrier

The utility model discloses a dual dielectric barrier discharge device. The discharge device comprises a connected high-voltage power supply and a discharge module, and the high-voltage power supply comprises a resonant circuit, an inverter circuit and a transformer integrated in a housing. The double dielectric barrier discharge device of the utility model integrates the resonant circuit, the inverter circuit and the transformer into a shell, which makes the structure of the high voltage power supply modular and simplifies the structure.

【技术实现步骤摘要】
双介质阻挡的放电设备
本技术涉及放电设备的
，具体而言，涉及双介质阻挡的放电设备。
技术介绍
介质阻挡放电(DielectricBarrierDischarge，DBD)是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电又称介质阻挡电晕放电或无声放电。现有技术中，采用双介质阻挡放电技术的放电设备通常由四个部件构成，包括逆变电路、谐振电路、高压变压器、放电模块。四个部分需要用电缆串联起来，构成一个电气回路，这四部分部件都要有独立的空间，以及相应的输入输出电缆，结构较为复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例的目的在于提供一种双介质阻挡的放电设备，该放电设备简化了结构。一种双介质阻挡的放电设备，包括相连的高压电源和放电模块；所述高压电源包括集成设置在外壳内的谐振电路、逆变电路、变压器。进一步地，所述谐振电路包括一具有漏感的变压器和一谐振电容，所述谐振电容和所述漏感串联形成一谐振电路。进一步地，所述高压电源还包括一升压电路，所述升压电路包括电感L4、二极管D15、开关管Q11和电容C50，所述开关管Q11的一端、所述电容C50的一端分别电连接电流输入端，所述开关管Q11的另一端电连接电感L4、二极管D15的一极，所述电容C50的另一端电连接二极管D15的另一极。进一步地，所述高压电源还包括一全桥整流电路，所述全桥整流电路包括二极管D16、二极管D17、二极管D18、二极管D19和电容C53，所述二极管D16、二极管D18串联接入所述电流输入端，所述二极管D17、二极管D19串联接入所述电流输入端，所述电容C53电连接所述电流输入端。进一步地，所述逆变电路包括开关管Q7、开关管Q8、开关管Q9和开关管Q10，所述开关管所述开关管Q9和开关管Q10串联接入所述电流输入端，所述开关管Q7、开关管Q8串联接入所述电流输入端。进一步地，所述谐振电容的二端分别电连接在开关管Q9、开关管Q10之间以及开关管Q7、开关管Q8之间。进一步地，所述放电模块包括：一至少一第一电极；一至少一第二电极；一第一引线排，电连接所述第一电极；一第二引线排，电连接所述第二电极；和一支撑架，用以安装所述第一电极、第二电极、第一引线排和第二引线排。进一步地，所述第一电极、第二电极均二者均容置于由所述第一引线排、第二引线排、支撑架所围成的容置腔内。进一步地，所述第一电极、第二电极均包括：一内电极；和一石英玻璃管，用以阻挡介质，设置在所述内电极的外壁。进一步地，所述内电极为金属管。本技术双介质阻挡的放电设备，将谐振电路、逆变电路、变压器集成在一外壳内，使得高压电源的结构模块化，从而简化了结构。为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本技术实施例所提供的放电设备的结构示意图。图2示出了本技术实施例所提供的高压电源的结构示意图。图3示出了本技术实施例所提供的高压电源的电路图。图4示出了本技术实施例所提供的放电模块的俯视图。图5示出了本技术实施例所提供的放电模块的立体结构图。图6示出了本技术实施例所提供的电极的结构示意图。1000-放电设备；100-高压电源；20-谐振电路；21-谐振电容；22-漏感；30-逆变电路；40-升压电路；50-全桥整流电路；60-电流输入端；70-变压器；200-放电模块；210-第一引线排；220-第二引线排；230-电极；231-引线；232-内电极；233-石英玻璃管；234-绝缘层；240-支撑架；250-第二出线孔；260-第一出线孔。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。请参阅图1。本技术实施例放电设备1000，包括相连的高压电源1000和放电模块200；所述高压电源1000包括集成设置在外壳内（图中未示出）的谐振电路20、逆变电路30、变压器70。上述实施例中，将谐振电路20、逆变电路30、变压器70集成在一外壳内，使得高压电源1000的结构模块化，能够同放电模块200形成参数化组合，从简化了结构。请参阅图2。上述高压电源100，包括一具有漏感22的变压器70和一谐振电容21，谐振电容21和漏感22串联形成一谐振电路20。上述实施例中，通过将变压器70、谐振电容21串联形成谐振电路20，提高了降低了电磁干扰，提高了设备的可靠性和稳定性。这里，漏感22是线圈所产生的磁力线不能都通过次级线圈的部分磁通量。很显然地，本文所说的漏感22是指能够产生漏感22的元件。本例中，还可以包括逆变电路30，谐振电路20、变压器70、逆变电路30集成设置在一外壳内。这样，形成一个模块化的结构，从而极大地精简了结构，成本低，占用空间小。此处，谐振电路20、变压器70、逆变电路30三者的连接方式可以通过PCB板等来实现或者其他的连接件。请参阅图3。本例中，还可以包括一升压电路40，升压电路40包括电感L4、二极管D15、开关管Q11和电容C50，开关管Q11的一端、电容C50的一端分别电连接电流输入端60，开关管Q11的另一端电连接电感L4、二极管D15的一极，电容C50的另一端电连接二极管D15的另一极。该升压电路40的作用是将把输入的电压进行一次升压，假设输入的电压为300V，那么经过上述升压电路40可以升压到350-450V的范围，完成一次升压。此外，该部分升压电路40，同时集成了过流、过热、过压、短路、过功率保护功能。上述电容C50较好地为电解电容。当然，其他的电容也可以实施本技术方案。本例中，还包括一全桥整流电路50，全桥整流电路50包括二极管D16、二极管D17、二极管D18、二极管D19和电容C53，二极管D16、二极管D18串联接入电流输入端60，二极管D17、二极管D19串联接入电流输入端60，电容C53电连接电流输入端60。此处的全桥整流电路50能够为输入升压电路40的电流进行较好的整流。前述的逆变电路30的形式没有特别的限定，可示例性地提供一种逆变电路30的具体结构，其可以包括开关管Q7、开关管Q8、开关管Q9和开关管Q10，开关管开关管Q9和开关管Q10串联接入电流输入端60，开关管Q7、开关管Q8串联接入电流输入端60。本例中，谐振电容21与全桥整流电路50的具体电连接可列举出一种，即其二端可以分别电连接在开关管Q9、开关管Q10之间以及开关管Q7、开关管Q8之间。以单项交流电为例，其可以实现的输出高频交流电压，其达到的频率范围约为1k-50kHz。除了上述逆变电路30、谐振电路20、全桥整流电路50、升压电路40和升压变压器70，还可以包括控制电路（图中未示出），控制电路用以负责主电路电流的采集、开关信号和各种保护功能。控制电路可以是数字芯片或者模拟芯片等形式或者其它形式。于此技术所公开的高压电源100变压器70的输出可以接介质阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双介质阻挡的放电设备，其特征在于，包括相连的高压电源和放电模块；所述高压电源包括集成设置在外壳内的谐振电路、逆变电路、变压器。

【技术特征摘要】
1.一种双介质阻挡的放电设备，其特征在于，包括相连的高压电源和放电模块；所述高压电源包括集成设置在外壳内的谐振电路、逆变电路、变压器。2.根据权利要求1所述的放电设备，其特征在于，所述谐振电路包括一具有漏感的变压器和一谐振电容，所述谐振电容和所述漏感串联形成一谐振电路。3.根据权利要求1所述的放电设备，其特征在于，所述高压电源还包括一升压电路，所述升压电路包括电感L4、二极管D15、开关管Q11和电容C50，所述开关管Q11的一端、所述电容C50的一端分别电连接电流输入端，所述开关管Q11的另一端电连接电感L4、二极管D15的一极，所述电容C50的另一端电连接二极管D15的另一极。4.根据权利要求3所述的放电设备，其特征在于，所述高压电源还包括一全桥整流电路，所述全桥整流电路包括二极管D16、二极管D17、二极管D18、二极管D19和电容C53，所述二极管D16、二极管D18串联接入所述电流输入端，所述二极管D17、二极管D19串联接入所述电流输入端，所述电容C53电连接所述电流输入端。5.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小卫，
申请(专利权)人：湖州普罗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33