硬掩模用组合物制造技术

本发明专利技术提供一种硬掩模用组合物，其通过包含含有下述化学式1的重复单元的聚合物及溶剂，从而能够形成平坦性、溶解性和耐蚀刻性同时提高的硬掩模。化学式1中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基或萘二基，Ar3和Ar4各自独立地为苯基或萘基，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar1、Ar2、Ar3和Ar4组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数。化学式1

Composition for hard mask

The present invention provides a hard mask composition which can form a hard mask with improved flatness, solubility and etching resistance by comprising a polymer and a solvent containing a repetitive unit of Formula 1 below. In Formula 1, Ar1 and Ar2 are phenylenedioxy or naphthalene dibasic, Ar3 and Ar4 are phenyl or naphthalene, and the hydrogen atoms of Ar1, Ar2, Ar3 and Ar4 can be substituted by hydroxyl groups independently. At least two hydrogen atoms in a group of free Ar1, Ar2, Ar3 and Ar4 can be substituted to form a ring. An integer of 1~200. Chemical type 1

【技术实现步骤摘要】
硬掩模用组合物
本专利技术涉及一种硬掩模用组合物。
技术介绍
例如，在半导体制造、微电子等领域中，电路、配线、绝缘图案之类的结构物的集成度正在持续增大。因此，用于上述结构物的微细图案化的光刻工序也被一同开发。一般而言，在蚀刻对象膜上涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层，通过曝光及显影工序而形成光致抗蚀剂图案。接着，将上述光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，将上述蚀刻对象膜部分地去除，从而可以形成预定的图案。在进行对于上述蚀刻对象膜的图像转印后，上述光致抗蚀剂图案可以通过灰化(ashing)和/或剥离(strip)工序而被去除。为了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间形成防反射涂布(anti-refractivecoating；ARC)层。该情况下，会追加对于上述ARC层的蚀刻，因此上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的消耗量或蚀刻量可能会增加。此外，上述蚀刻对象膜的厚度增加或形成期望的图案时所需的蚀刻量增加的情况下，可能无法确保所要求的上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的充分的耐蚀刻性。因此，为了确保用于形成期望的图案的光致抗蚀剂的耐蚀刻性和蚀刻选择比，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间追加抗蚀剂下部膜。上述抗蚀剂下部膜需要具有例如对于高温蚀刻工序的充分的耐蚀刻性(etchingresistance)、耐热性，此外，有必要通过例如旋涂工序以均匀的厚度形成。韩国公开专利第10-2010-0082844号公开了抗蚀剂下部膜形成组合物的一例。现有技术文献专利文献韩国公开专利第10-2010-0082844号
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的一课题在于，提供能够形成具有优异的耐蚀刻性、溶解性和平坦性的硬掩模的硬掩模用组合物。解决课题的方法1.一种硬掩模用组合物，其包含含有下述化学式1的重复单元的聚合物及溶剂，[化学式1](式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，Ar3和Ar4各自独立地为苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar1、Ar2、Ar3和Ar4组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数)。2.如1所述的硬掩模用组合物，上述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式1-1～1-3组成的组中的至少一种重复单元，[化学式1-1][化学式1-2][化学式1-3](式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，Ar3和Ar4各自独立地为苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar1、Ar2、Ar3和Ar4组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数)。3.如1所述的硬掩模用组合物，上述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式1-2和1-3组成的组中的至少一种重复单元，[化学式1-2][化学式1-3](式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，Ar3和Ar4各自独立地为苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar1、Ar2、Ar3和Ar4组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数)。4.如1所述的硬掩模用组合物，上述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式2-1～2-2组成的组中的至少一种重复单元，[化学式2-1](式中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，且氢原子可以被羟基取代，n为1～200的整数)，[化学式2-2](式中，Ar1为苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，Ar2和Ar4各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，Ar3为苯三基(phentriyl)或萘三基(naphthalentriyl)，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，n为1～200的整数)。5.如1所述的硬掩模用组合物，上述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式3-1～3-3组成的组中的至少一种重复单元，[化学式3-1](式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯三基(phentriyl)或萘三基(naphthalentriyl)，R1和R2各自独立地为氢原子或羟基，n为1～200的整数)，[化学式3-2](式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，R1和R2各自独立地为氢原子或羟基，n为1～200的整数)，[化学式3-3](式中，Ar1为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，Ar2为苯三基(phentriyl)或萘三基(naphthalentriyl)，R1和R2各自独立地为氢原子或羟基，n为1～200的整数)。6.如1所述的硬掩模用组合物，上述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式4-1～4-3组成的组中的至少一种重复单元，[化学式4-1](式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，R1和R2各自独立地为氢原子或羟基，n为1～200的整数)，[化学式4-2](式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，R1和R2各自独立地为氢原子或羟基，n为1～200的整数)，[化学式4-3](式中，Ar1为苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，Ar2为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，R1和R2各自独立地为氢原子或羟基，n为1～200的整数)。7.如1所述的硬掩模用组合物，上述聚合物为下述化学式a的化合物与联苯基甲醛的聚合物，[化学式a](式中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，R1和R2各自独立地为氢原子或羟基)。8.如1所述的硬掩模用组合物，上述聚合物仅由上述化学式1的重复单元构成。9.如1所述的硬掩模用组合物，上述聚合物由芴系化合物与联苯基甲醛直接缩聚而形成。10.如9所述的硬掩模用组合物，上述芴系化合物包含选自由下述化学式a-11～a-16的化合物组成的组中的至少一种，[化学式a-11][化学式a-12][化学式a-13][化学式a-14][化学式a-15][化学式a-16]11.如9所述的硬掩模用组合物，上述联苯基甲醛包含选自由下述化学式b-1～b-3的化合物组成的组中的至少一种，[化学式b-1][化学式b-2][化学式b-3]12.如1所述的硬掩模用组合物，其进一步包含交联剂、催化剂和表面活性剂中的至少一种。专利技术效果通过使用本专利技术的实施例的硬掩模用组合物，能够形成具有优异的平坦度且耐蚀刻性、耐热性和溶解性同时提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硬掩模用组合物，其包含含有下述化学式1的重复单元的聚合物及溶剂，化学式1

【技术特征摘要】
2017.02.28 KR 10-2017-00263291.一种硬掩模用组合物，其包含含有下述化学式1的重复单元的聚合物及溶剂，化学式1式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基或萘二基，Ar3和Ar4各自独立地为苯基或萘基，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar1、Ar2、Ar3和Ar4组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数。2.根据权利要求1所述的硬掩模用组合物，所述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式1-1～1-3组成的组中的至少一种重复单元，化学式1-1化学式1-2化学式1-3式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基或萘二基，Ar3和Ar4各自独立地为苯基或萘基，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar1、Ar2、Ar3和Ar4组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数。3.根据权利要求1所述的硬掩模用组合物，所述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式1-2和1-3组成的组中的至少一种重复单元，化学式1-2化学式1-3式中，Ar1和Ar2各自独立地为苯二基或萘二基，Ar3和Ar4各自独立地为苯基或萘基，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar1、Ar2、Ar3和Ar4组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数。4.根据权利要求1所述的硬掩模用组合物，所述化学式1的重复单元包含选自由下述化学式2-1～2-2组成的组中的至少一种重复单元，化学式2-1式中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为苯二基或萘二基，且氢原子可以被羟基取代，n为1～200的整数，化学式2-2式中，Ar1为苯基或萘基，Ar2和Ar4各自独立地为苯二基或萘二基，Ar3为苯三基或萘三基，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的氢原子各自独立地可以被羟基取代，n为1～200的整数。5.根据权利要求1所述的硬掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁敦植，梁振锡，朴根永，崔汉永，崔相俊，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，崔相俊，
类型：发明
国别省市：韩国,KR