层叠体以及电子部件制造技术

本发明专利技术的层叠体是具有包含表层部和内层部的层叠构造的层叠体，其特征在于，上述表层部以及上述内层部均包含玻璃以及石英，上述表层部以及上述内层部包含的玻璃均含有SiO2、B2O3以及M2O(M是碱金属)，上述表层部中的石英的含量比上述内层部中的石英的含量少。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体以及电子部件
本专利技术涉及层叠体以及电子部件。
技术介绍
近年来，将布线导体配置为三维的多层陶瓷基板被广泛用于配设了多个半导体器件等电子部件的模块等的用途。在专利文献1公开了一种多层陶瓷基板，该多层陶瓷基板具有包含表层部和内层部的层叠构造，其中，表层部以及内层部包含SiO2类晶相，表层部中的SiO2类晶相的比例比内层部中的SiO2类晶相的比例少。此外，在专利文献2公开了一种多层陶瓷基板，该多层陶瓷基板具有包含表层部和内层部的层叠构造，其中，表层部的热膨胀系数比内层部的热膨胀系数小，且与内层部的热膨胀系数之差为1.0ppmK-1以上，在构成表层部的材料与构成内层部的材料之间，共同的成分的重量比率为75重量％以上。根据专利文献1以及专利文献2记载的多层陶瓷基板，通过使表层部的热膨胀系数比内层部的热膨胀系数小，从而在烧成后的冷却过程中在表层部产生压缩应力，其结果是，能够使多层陶瓷基板的抗弯强度提高。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-53525号公报专利文献2：国际公开第2007/142112号
技术实现思路
专利技术要解决的课题为了应对具备多层陶瓷基板的电子部件的小型化以及高频化，需要降低构成电子部件的绝缘部的介电常数。这是因为，若增进电子部件的小型化以及高频化，则变得不能忽略由在接地电极产生的涡流造成的损耗，但是通过降低绝缘部的介电常数，从而能够使该损耗降低。但是，在专利文献1以及专利文献2记载的结构中，虽然强度高，但是绝缘部的介电常数并不足够低，因此存在上述损耗大这样的问题。本专利技术是为了解决上述的问题而完成的，其目的在于，提供一种强度高且介电常数低的层叠体。用于解决课题的技术方案为了达成上述目的，本专利技术的层叠体是具有包含表层部和内层部的层叠构造的层叠体，其特征在于，上述表层部以及上述内层部均包含玻璃以及石英，上述表层部以及上述内层部包含的玻璃均含有SiO2、B2O3以及M2O(M是碱金属)，上述表层部中的石英的含量比上述内层部中的石英的含量少。在本专利技术的层叠体中，含有SiO2的玻璃和石英包含于表层部以及内层部这两者。这些材料的介电常数均低，因此能够降低表层部以及内层部的介电常数。进而，在表层部以及内层部中，使用含有Li2O等碱金属氧化物(M2O)的玻璃，因此能够降低玻璃的粘度，能够做成为致密的烧结体。特别是，与使用CaO等碱土类金属氧化物的情况相比，能够通过添加少量的M2O来降低玻璃的粘度，因此能够使玻璃中的SiO2的含量增多，能够降低表层部以及内层部的介电常数。此外，玻璃的热膨胀系数为大约6ppm℃-1，相对于此，作为填料的石英的热膨胀系数为大约12ppm℃-1，因此通过使表层部中的石英的含量比内层部中的石英的含量少，从而能够使表层部的热膨胀系数比内层部的热膨胀系数小。因此，在烧成后的冷却过程中在表层部产生压缩应力，其结果是，能够使层叠体的抗弯强度提高。在本专利技术的层叠体中，上述表层部以及上述内层部包含的玻璃中的SiO2的含量均优选为55重量％以上。若玻璃中的SiO2的含量为55重量％以上，则能够降低介电常数。此外，因为在表层部以及内层部中使用含有碱金属氧化物的玻璃，所以即使玻璃中的SiO2的含量为55重量％以上，也能够做成为致密的烧结体。在本专利技术的层叠体中，上述表层部以及上述内层部包含的玻璃中的M2O的含量均优选为10重量％以下。若玻璃中的M2O的含量为10重量％以下，则能够使SiO2的含量增多，因此能够降低介电常数。此外，与使用碱土类金属氧化物的情况不同，即使玻璃中的M2O的含量为10重量％以下，也能够降低玻璃的粘度。在本专利技术的层叠体中，在将上述表层部中的石英的含量设为Ws[重量％]并将内层部中的石英的含量设为Wi[重量％]时，石英的含量之差Wi-Ws优选为2重量％以上。通过使表层部以及内层部中的石英的含量之差Wi-Ws为2重量％以上，从而能够增大热膨胀系数之差，因此能够使层叠体的抗弯强度提高。本专利技术的层叠体可以是多层陶瓷基板，也可以是芯片部件。本专利技术的电子部件的特征在于，具备上述层叠体。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种强度高且介电常数低的层叠体。附图说明图1是示意性地示出具备多层陶瓷基板的电子部件的剖视图。图2是示出在图1所示的多层陶瓷基板的制造中途制作的未烧成的层叠片体的剖视图。图3是示意性地示出作为芯片部件的一个例子的LC滤波器的立体图。图4是示意性地示出印刷在构成用于评价绝缘可靠性的试样的生片的图案的俯视图。图5是示意性地示出用于评价绝缘可靠性的试样的剖视图。图6是示意性地示出用于评价绝缘可靠性的试样的立体图。具体实施方式以下，对本专利技术的层叠体以及电子部件进行说明。然而，本专利技术并不限定于以下的结构，能够在不变更本专利技术的主旨的范围内适当地变更而进行应用。将两个以上的以下记载的本专利技术的每个优选的结构进行了组合的结构也是本专利技术。以下所示的各实施方式是例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在第二实施方式以后，省略对与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。＜第一实施方式：多层陶瓷基板>本专利技术的层叠体能够应用于多层陶瓷基板。图1是示意性地示出具备多层陶瓷基板的电子部件的剖视图。多层陶瓷基板1具有层叠构造，该层叠构造包含内层部3和位于在层叠方向上夹着内层部3的位置的第一表层部4以及第二表层部5。内层部3由至少一层的内层部陶瓷层6构成，第一表层部4以及第二表层部5分别由至少一层的表层部陶瓷层7以及8构成。多层陶瓷基板1具备布线导体。布线导体用于构成例如电容器或电感器那样的无源元件，或者用于进行元件间的电连接那样的连接布线，典型地，如图所示，由几个导体膜9、10和11以及几个过孔导体12构成。这些布线导体优选以银或铜为主成分。导体膜9形成在多层陶瓷基板1的内部。导体膜10以及11分别形成在多层陶瓷基板1的一个主面上以及另一个主面上。过孔导体12设置为，与导体膜9、10以及11中的任一个电连接，且在厚度方向上贯通陶瓷层中的任一个特定的陶瓷层。在多层陶瓷基板1的一个主面上，以与导体膜10电连接的状态搭载芯片部件13以及14。由此，构成具备多层陶瓷基板1的电子部件2。搭载于多层陶瓷基板1的芯片部件13以及14也可以是后述的第二实施方式涉及的层叠体。形成在多层陶瓷基板1的另一个主面上的导体膜11用作将该电子部件2安装到未图示的母板上时的电连接单元。表层部以及内层部均包含玻璃。具体地，表层部以及内层部包含的玻璃均含有SiO2、B2O3以及M2O(M是碱金属)。玻璃中的SiO2成分有助于介电常数的下降以及热膨胀系数的下降。表层部以及内层部包含的玻璃中的SiO2的含量均优选为55重量％以上，更优选为62重量％以上，此外，优选为95重量％以下，更优选为90重量％以下。玻璃中的M2O成分有助于玻璃粘度的下降。作为M2O的种类，只要是碱金属氧化物就没有特别限定，但是优选为Li2O、K2O以及Na2O。作为M2O，可以使用一种碱金属氧化物，也可以使用两种以上的碱金属氧化物。表层部以及内层部包含的玻璃中的M2O的含量均优选为0.1重量％以上，更优选为0.5重量％以上，此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层叠体，具有包含表层部和内层部的层叠构造，其特征在于，所述表层部以及所述内层部均包含玻璃以及石英，所述表层部以及所述内层部包含的玻璃均含有SiO2、B2O3以及M2O，其中，M是碱金属，所述表层部中的石英的含量比所述内层部中的石英的含量少。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.13 JP 2016-0044681.一种层叠体，具有包含表层部和内层部的层叠构造，其特征在于，所述表层部以及所述内层部均包含玻璃以及石英，所述表层部以及所述内层部包含的玻璃均含有SiO2、B2O3以及M2O，其中，M是碱金属，所述表层部中的石英的含量比所述内层部中的石英的含量少。2.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述表层部以及所述内层部包含的玻璃中的SiO2的含量均为55重量％以上。3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本祯章，杉本安隆，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP