功率半导体器件和用于生产功率半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种功率半导体器件，该功率半导体器件包含衬底（12），该衬底具有第一侧（14）和第二侧（16），第一侧（14）和第二侧（16）定位成与彼此相对，其中，第一侧（14）包含阴极（18），且其中，第二侧（14）包含阳极（20），其中，p/n‑结的结端提供在衬底的至少一个表面处，优选地，提供在第一侧（14）和第二侧中的至少一个处，其特征在于，结端被钝化涂层（26）涂覆，钝化涂层（26）包含从由无机‑有机复合材料、聚对二甲苯以及包含聚合物颗粒的酚醛树脂组成的组选择的至少一个材料。如上所述的器件（10）因而解决结端的钝化的问题，且因而防止或至少降低重大缺陷（诸如，由膜性质的变化、不稳定性、渗水性、可移动的离子（诸如，钠）的渗透性、针孔和裂纹以及由于退化和应力而导致的铝金属断开或腐蚀所引起的不稳定的器件运行）的危害。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体器件和用于生产功率半导体器件的方法
本专利技术涉及功率半导体器件，且涉及生产功率半导体器件的方法。这样的功率半导体器件提供结端的改进的涂层。
技术介绍
功率半导体器件（诸如，双极功率半导体（例如，二极管、晶闸管、栅极关断晶闸管（GTO）以及栅极控制晶闸管（GCT）））可以由硅晶圆生产。在生产步骤（其中，硅晶圆经受不同过程（诸如，注入过程、扩散过程、光刻过程以及金属化过程））之后，硅晶圆形成（诸如，切割）为圆盘，并且，第一或上斜面和第二或下斜面基于阻断p/n-结的高电压。这些斜面通常要求借助于电钝化的保护。钝化的问题通常表示重大缺陷（诸如，膜性质的变化、不稳定性、渗水性、可移动的离子（诸如，钠）的渗透性、针孔和裂纹以及由于退化和应力而导致的铝金属断开或腐蚀所引起的不稳定的器件运行），且因而与这些重大缺陷相违背。例如，在2011年的东芝半导体可靠性手册中，对此进行了描述，并且，表明相应的钝化涂层的重要性。例如，关于BiMOS芯片，第一，典型的用于高电压BiMOS半导体器件的钝化堆叠可以基于适配成使悬挂键饱和且使捕获电荷损耗的材料层。相应的涂层可以例如由半绝缘多晶硅（SIPOS）本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体器件，包含衬底（12），所述衬底具有第一侧（14）和第二侧（16），所述第一侧（14）和所述第二侧（16）定位成与彼此相对，其中，所述第一侧（14）包含阴极（18），且其中，所述第二侧（14）包含阳极（20），其中，p/n‑结的结端提供在所述衬底的至少一个表面处，优选地提供在所述第一侧（14）和所述第二侧中的至少一个处，其特征在于：所述结端被钝化涂层（26）涂覆，所述钝化涂层（26）包含由无机‑有机复合材料组成的材料，以及在于：所述无机‑有机复合材料是无机‑有机聚合物，或所述无机‑有机复合材料是有机‑无机聚合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.05 EP 15193266.21.一种功率半导体器件，包含衬底（12），所述衬底具有第一侧（14）和第二侧（16），所述第一侧（14）和所述第二侧（16）定位成与彼此相对，其中，所述第一侧（14）包含阴极（18），且其中，所述第二侧（14）包含阳极（20），其中，p/n-结的结端提供在所述衬底的至少一个表面处，优选地提供在所述第一侧（14）和所述第二侧中的至少一个处，其特征在于：所述结端被钝化涂层（26）涂覆，所述钝化涂层（26）包含由无机-有机复合材料组成的材料，以及在于：所述无机-有机复合材料是无机-有机聚合物，或所述无机-有机复合材料是有机-无机聚合物。2.一种功率半导体器件，包含衬底（12），所述衬底具有第一侧（14）和第二侧（16），所述第一侧（14）和所述第二侧（16）定位成与彼此相对，其中，所述第一侧（14）包含阴极（18），且其中，所述第二侧（14）包含阳极（20），其中，p/n-结的结端提供在所述衬底的至少一个表面处，优选地提供在所述第一侧（14）和所述第二侧中的至少一个处，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：L董策尔，J舒德雷尔，J多布青斯卡，J沃贝基，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士,CH