一种薄膜太阳能电池芯片单元和电池芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜太阳能电池芯片单元和电池芯片，包括：第一负极；多个第一横向单元，至少一个第一横向单元包括：排列成行的相互电连接的多个第一正极；多个电池模块，其在第一负极与多个第一正极之间电连接；以及第一互联引出电极，所述多个第一正极与第一互联引出电极电连接；其中，进一步包括第一正极条带，其在第一负极与第一互联引出电极之间电连接多个第一正极，与第一互联引出电极电连接的多个第一正极位于同一行。在本发明专利技术的实施例中，通过在两个需要进行切割的部位加入宽的条带，解决了横向切割造成条带破坏的问题，提高了薄膜太阳能电池芯片的利用率。

A thin film solar cell chip and battery chip

The invention discloses a thin film solar cell chip unit and a battery chip, including: a first negative electrode; a plurality of first transverse units, at least one first transverse unit including: a plurality of first positive poles arranged in rows electrically connected with each other; a plurality of battery modules electrically connected between the first negative electrode and a plurality of first positive poles; And a first interconnected lead electrode, wherein the plurality of first positive electrodes are electrically connected with the first interconnected lead electrode, further including a first positive electrode strip, which electrically connects a plurality of first positive electrodes between the first negative electrode and the first interconnected lead electrode, and the plurality of first positive electrodes electrically connected with the first interconnected lead electrode are located in the same row. In the embodiment of the invention, the problem of strip destruction caused by transverse cutting is solved by adding a wide strip in two parts needing cutting, and the utilization ratio of thin film solar cell chip is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜太阳能电池芯片单元和电池芯片
本专利技术涉及太阳能发电
，特别地涉及一种薄膜太阳能电池芯片单元和电池芯片。
技术介绍
CIGS(copperindiumgalliumselenide，铜铟镓硒)薄膜太阳能电池芯片是功率为7-9W，优选的为8.3W的标准模块，其电压为3.2V，当作为移动能源端使用时，其输出电压小于5V，限制了其使用场景，因此需将其裁切并分成小模块，串联连接提高电压，达到输出电压大于5V的目的，并且可以将标准的薄膜太阳能电池芯片原始模块加入电极后，裁切串、并联成小模块，以实现只需小面积的薄膜太阳能电池芯片，即可满足功率输出要求。现有技术中，因为制作工艺的问题，在将标准的薄膜太阳能电池芯片大模块裁切串、并联成小模块时，会造成大量的浪费，具体产生的原因如下：图1所示为现有技术中电池模块的结构示意图，如图1所示，在此电池模块中，因为正极1的形状是椭圆形，称之为内部椭圆正极，每个电池模块中只有一个内部椭圆正极，且位置固定，虚线表示对其椭圆形区域激光绝缘处理，使得正极1和负极不会相互接触，发生漏电，在光照作用下，电池模块内外部电子会发生定向移动，电池模块内部的电子会从正极1流向负极，再借助连接正、负极的外部引出线即可引出电流。为了获得上述的电池模块，需要在薄膜太阳能电池芯片上制作正极1，然后切割成数个电池模块，电池模块的正极1是通过激光划刻的方式破坏薄膜太阳能电池芯片的ITO层和吸收层，并与钼层连接形成的。现有的薄膜太阳能电池芯片如图2所示，正极1与金属条带2连接，与同一金属条带2连接的电池模块为一个横向单元，一个薄膜太阳能电池芯片包括数个横向单元，如图2所示，现有的薄膜太阳能电池芯片的横向单元3之间的金属条带2宽度窄，在进行横向切割时，容易破坏此金属条带2，导致与此金属条带2连接的电池模块的正极1所在的横向单元3会没法使用，因此只能多切割相邻的另一横向单元3的一部分，并预留这一横向单元3的3-5mm镀膜层，破坏背面PET(polyethyleneterephthalate，涤纶树脂)，来保留金属条带2，这样会造成至少一个相邻的横向单元3的薄膜太阳能电池芯片的浪费，即使是剩下的两个未被破坏的横向单元3，也会因为电压或者面积不能满足使用的要求而被弃用；在竖向切割的时候，因为切割得到的电池模块必须同时保留正极1的和负极才能使用，但因为薄膜太阳能电池芯片上的正极1数量有限，如果需要的模块较小，那么切割下的电池模块会有不带正极1的部分，这一部分会无法使用，产生浪费。
技术实现思路
针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术提出了一种薄膜太阳能电池芯片单元和电池芯片，能够减少薄膜太阳能电池芯片在切割中的浪费。本专利技术的一个方面，提供了一种薄膜太阳能电池芯片单元，包括第一负极；多个第一横向单元，至少一个第一横向单元包括：排列成行的相互电连接的多个第一正极；多个电池模块，其在第一负极与多个第一正极之间电连接；以及第一互联引出电极，所述多个第一正极与第一互联引出电极电连接；其中，进一步包括第一正极条带，其在第一负极与第一互联引出电极之间电连接多个第一正极，与第一互联引出电极电连接的多个第一正极位于同一行。其中，所述第一正极条带的宽度为4-20mm。其中，还包括第一负极条带，其平行于第一正极条带，所述第一正极条带和第一负极条带的宽度均为2-10mm。其中，所述第一正极条带与第一负极条带之间包括横向间隔，所述横向间隔为1-2mm。其中，所述第一正极条带与第一负极条带的宽度之和为第一负极或第一互联引出电极1.5倍、2倍、2.5倍或更宽。其中，所述第一正极条带和第一负极之间，以及第一负极条带和第一互联引出电极之间分别包括相同数量的横向单元。其中，所述第一正极条带和第一负极条带之间，以及第一负极和第一互联引出电极之间分别包括2个、3个、4个、5个或6个横向单元。本专利技术的另一个方面，提供了一种薄膜太阳能电池芯片，包括：第一薄膜太阳能电池芯片单元，其采用如权利要求1-7任一所述的薄膜太阳能电池芯片单元；以及第二薄膜太阳能电池芯片单元，其包括：第二负极；多个第二横向单元，至少一个第二横向单元包括：排列成行的相互电连接的多个第二正极；多个电池模块，其在第二负极与多个第二正极之间电连接；以及第二互联引出电极，所述多个第二正极与第二互联引出电极电连接；其中，进一步包括第二正极条带，其在第二负极与第二互联引出电极之间电连接多个第二正极，与第二互联引出电极电连接的多个第二正极位于同一行；其中，第一薄膜太阳能电池芯片单元与第二薄膜太阳能电池芯片单元相互串联。其中，第一薄膜太阳能电池芯片单元与第二薄膜太阳能电池芯片单元的正负电极方向相反。其中，还包括第二负极条带，其平行于第二正极条带。其中，第一薄膜太阳能电池芯片单元与第二薄膜太阳能电池芯片单元之间包括竖向间隙，所述竖向间隙为1-2mm。在本专利技术的实施例中，通过在两个需要进行切割的部位加入一定宽度的条带，解决了横向切割造成条带破坏的问题，提高了薄膜太阳能电池芯片的利用率。附图说明下面，将结合附图对本专利技术的优选实施方式进行进一步详细的说明，其中：图1是根据本专利技术
技术介绍
中所涉及的电池模块的结构示意图；图2是根据本专利技术
技术介绍
中所涉及的薄膜太阳能电池芯片的结构示意图；图3是根据本专利技术的一个实施例的薄膜太阳能电池芯片单元的结构示意图；图4是根据本专利技术的一个实施例的薄膜太阳能电池芯片的结构示意图；图5A到5E是根据本专利技术的一个实施例的薄膜太阳能电池芯片的不同裁切子模块的结构示意图；以及图6是根据本专利技术的一个实施例的薄膜太阳能电池芯片的不同裁切模块的组合示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在以下的详细描述中，可以参看作为本申请一部分用来说明本申请的特定实施例的各个说明书附图。在附图中，相似的附图标记在不同图式中描述大体上类似的组件。本申请的各个特定实施例在以下进行了足够详细的描述，使得具备本领域相关知识和技术的普通技术人员能够实施本申请的技术方案。应当理解，还可以利用其它实施例或者对本申请的实施例进行结构、逻辑或者电性的改变。图3所示是根据本专利技术的一个实施例的薄膜太阳能电池芯片单元的结构示意图；如图3所示，薄膜太阳能电池芯片单元包括：第一负极4，多个第一横向单元，其中，至少一个第一横向单元包括：排列成行的相互电连接的多个第一正极1'，在本专利技术的这一实施例中，第一正极1'为内部椭圆正极；多个电池模块，其在第一负极4与多个第一正极1'之间电连接；以及第一互联引出电极5，多个第一正极1'与第一互联引出电极5电连接。其中，进一步包括第一正极条带6，其在第一负极4与第一互联引出电极5之间电连接一行内的多个第一正极1'，第一正极条带可以保证在进行切割时，所有的横向单元都不会被破坏，第一正极条带6的宽度为4-20mm，并且为金属条带，进一步的为铜箔。在本专利技术的一个实施例中，薄膜太阳能电池芯片单元还包括第一负极条带7，其平行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜太阳能电池芯片单元，其特征在于，包括：第一负极；多个第一横向单元，至少一个第一横向单元包括：排列成行的相互电连接的多个第一正极；多个电池模块，其在第一负极与多个第一正极之间电连接；以及第一互联引出电极，所述多个第一正极与第一互联引出电极电连接；其中，进一步包括第一正极条带，其在第一负极与第一互联引出电极之间电连接多个第一正极，与第一互联引出电极电连接的多个第一正极位于同一行。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能电池芯片单元，其特征在于，包括：第一负极；多个第一横向单元，至少一个第一横向单元包括：排列成行的相互电连接的多个第一正极；多个电池模块，其在第一负极与多个第一正极之间电连接；以及第一互联引出电极，所述多个第一正极与第一互联引出电极电连接；其中，进一步包括第一正极条带，其在第一负极与第一互联引出电极之间电连接多个第一正极，与第一互联引出电极电连接的多个第一正极位于同一行。2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池芯片单元，其特征在于，所述第一正极条带的宽度为4-20mm。3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池芯片单元，其特征在于，还包括第一负极条带，其平行于第一正极条带，所述第一正极条带和第一负极条带的宽度均为2-10mm。4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池芯片单元，其特征在于，所述第一正极条带与第一负极条带之间包括横向间隔，所述横向间隔为1-2mm。5.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池芯片单元，其特征在于，所述第一正极条带与第一负极条带的宽度之和为第一负极或第一互联引出电极1.5倍、2倍、2.5倍或更宽。6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池芯片单元，其特征在于，所述第一正极条带和第一负极之间，以及第一负极条带和第一互联引出电极之间分别包括相同数量的横向单元。7.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高智红，黄刚，殷亮，黄瑜，
申请(专利权)人：北京汉能光伏投资有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11