一种柔性硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性硒化锑(Sb2Se3)薄膜太阳能电池及其制备方法，该方法的具体步骤包括：1)在聚酰亚胺(PI)柔性基底(玻璃作为支撑)上沉积ITO导电基底；2)在柔性导电基底上沉积硫化镉(CdS)薄膜；3)在CdS薄膜上蒸发沉积Sb2Se3薄膜，再在其上沉积对电极材料，形成对电极材料，将PI柔性基底从玻璃上剥离，即可制备得到所述的柔性硒化锑薄膜太阳能电池。该制备方法简单，且首次成功制备了柔性硒化锑薄膜太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，更具体地，涉及一种柔性硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
硒化锑(Sb2Se3)是一种简单的二元化合物，且化学组成元素锑和硒均为高储量低毒元素，由于其禁带宽度合适(～1.2eV)，吸光系数高(短波吸光系数>105cm-1)，近些年硒化锑作为一种薄膜光伏吸收层材料，备受关注。硒化锑薄膜太阳能电池的发展也是十分迅猛，短短五年时间，已经取得了认证6.5％的能量转换效率。硒化锑作为一种一维链状材料，有着和高分子化合物类似的机械性能，这样的机械性能允许硒化锑的柔韧性。薄膜太阳能电池的优势在于：(1)制作材料使用少；(2)具有一定的柔韧性，能够与建材等整合使用。相比于传统的薄膜太阳能电池，一维的硒化锑太阳能电池的应用于柔性器件，会有着独到的优势。然而，即使硒化锑薄膜太阳能电池在几年内就取得了突破性的进展，现有的所有技术与器件都是针对于刚性基底(如玻璃基底)，至今尚未成功地在柔性基底上制备出硒化锑薄膜太阳能电池。对于制备硒化锑薄膜及其太阳能电池器件，首选的要兼顾薄膜沉积速率，薄膜结晶性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以刚性材料作为支撑，将柔性基底置于所述刚性材料上，利用磁控溅射在所述柔性基底上沉积ITO透明导电电极；(2)在步骤(1)得到的ITO透明导电电极上沉积硫化镉薄膜，得到沉积在所述ITO透明导电电极上的硫化镉薄膜；(3)在步骤(2)得到的所述硫化镉薄膜上采用气相转移沉积法制备硒化锑薄膜；(4)在步骤(3)得到的硒化锑薄膜上制备金对电极；(5)将所述刚性材料与所述柔性基底分离，得到柔性硒化锑薄膜太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种柔性硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以刚性材料作为支撑，将柔性基底置于所述刚性材料上，利用磁控溅射在所述柔性基底上沉积ITO透明导电电极；(2)在步骤(1)得到的ITO透明导电电极上沉积硫化镉薄膜，得到沉积在所述ITO透明导电电极上的硫化镉薄膜；(3)在步骤(2)得到的所述硫化镉薄膜上采用气相转移沉积法制备硒化锑薄膜；(4)在步骤(3)得到的硒化锑薄膜上制备金对电极；(5)将所述刚性材料与所述柔性基底分离，得到柔性硒化锑薄膜太阳能电池。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刚性材料为玻璃，所述柔性基底为聚酰亚胺柔性基底，优选为可见光波段的平均透过率>85％，耐热温度>400℃，耐酸碱性pH范围为3～12的聚酰亚胺柔性基底。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述沉积ITO透明导电电极按照如下步骤进行：利用磁控溅射法在所述的柔性基底上沉积ITO电极，该ITO电极可见光波段的平均透过率>75％，方阻为7～15Ωsq-1。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述硫化镉薄膜的沉积按照如下步骤进行：以硫酸镉、氨水和硫脲...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐江，李康华，牛广达，李夫，丁瑞卿，王斯羽，屠国力，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42