接触垫结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种接触垫结构及其制作方法。其制作方法为首先提供一材料层，然后形成一开口于该材料层内，形成一导电层于材料层上并填入该开口，形成一图案化掩模于导电层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分导电层以形成一导电插塞，之后再进行一整形制作工艺来改变导电插塞上半部的形状。

【技术实现步骤摘要】
接触垫结构及其制作方法
本专利技术涉及一种制作接触垫结构的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器的存储节点(storagenode)接触垫的方法。
技术介绍
随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。
技术实现思路
本专利技术一实施例公开一种制作接触垫结构的方法。首先提供一材料层，然后形成一开口于该材料层内，形成一导电层于材料层上并填入该开口，形成一图案化掩模于导电层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分导电层以形成一导电插本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作接触垫结构的方法，包含：提供一材料层；形成一开口于该材料层内；形成一导电层于该材料层上并填入该开口；形成一图案化掩模于该导电层上；进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该导电层以形成一导电插塞；以及进行一整形(shaping)制作工艺来改变该导电插塞上半部的形状。

【技术特征摘要】
1.一种制作接触垫结构的方法，包含：提供一材料层；形成一开口于该材料层内；形成一导电层于该材料层上并填入该开口；形成一图案化掩模于该导电层上；进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该导电层以形成一导电插塞；以及进行一整形(shaping)制作工艺来改变该导电插塞上半部的形状。2.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，还包含进行该第一蚀刻制作工艺以同时去除部分该图案化掩模及部分该导电层。3.如权利要求2所述的制作接触垫结构的方法，其中去除部分该图案化掩模的步骤包含将该图案化掩模由一矩形修整为一半月形。4.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，其中该整形步骤包含：进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该材料层以及部分该导电插塞并使该导电插塞包含一曲面。5.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，其中该导电插塞突出于该材料层上表面的厚度介于500埃至700埃。6.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，其中该整形步骤包含：进行一第二蚀刻制作工艺去除该图案化掩模及部分该材料层；以及进行一第三蚀刻制作工艺去除部分该导电插塞并使该导电插塞包含一倾斜侧壁。7.如权利要求6所述的制作接触垫结构的方法，其中该第三蚀刻制作工艺包含利用氩气去除部分该导电插塞。8.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，另包含：进行该第一蚀刻制作工艺以同时去除该图案化掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，李甫哲，陈界得，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71