具有第一级管芯凸起接地带状物结构的微处理器封装制造技术

一种接地隔离带状物结构封装包括顶层，其具有上互连层，所述上互连层具有上接地接触部、上数据信号接触部和导电材料上接地带状物结构，其连接到上接地接触部并且包围上数据信号接触部。上接触部可在相同互连级的下层的通孔接触部或迹线之上形成并且与其连接。下层的通孔接触部可连接到也可具有这种带状物的第二互连级的上接触部。还可存在至少第三互连级，其具有这种带状物。带状物结构电隔离并且降低信号接触部之间的串扰，因而提供附连到封装的例如集成电路（IC）芯片的装置之间的更高频率和更精确数据信号传递。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有第一级管芯凸起接地带状物结构的微处理器封装
本专利技术的实施例一般涉及半导体装置封装，以及具体来说涉及衬底封装和印刷电路板（PCB）衬底（其上可附连集成电路（IC）芯片）及其制造方法。这种衬底封装装置可具有第一级管芯凸起设计，其直接附连到贯穿封装装置的下垂直级的通孔接触部和导电接触部。
技术介绍
集成电路（IC）芯片（例如“芯片”、“管芯”、“IC”或“IC芯片”）（例如微处理器、协处理器、图形处理器和其它微电子装置）常常使用封装装置（“封装”）来物理地和/或电子地将IC芯片附连到电路板，例如主板（或主板接口）。IC芯片（例如“管芯”）典型地安装在微电子衬底封装（其除了其它功能以外，使能管芯和插槽、主板或者另一个下一级组件之间的电连接）中。本领域需要用于制造这类封装的廉价但高吞吐量过程。另外，该过程可产生高封装产量以及高机械稳定性的封装。本领域还需要的是某种封装，其具有更好的组件以用于提供其顶面与封装的其它组件或者附连到封装的其它组件（例如从将经过通孔接触部电连接到封装的下级接触部或迹线的顶面上的接触部）之间的稳定和干净的电源、接地以及高频传送和接收数据信号。附图说明在附图的图中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接地带状物结构封装，包括：第一互连级，具有上层，所述上层具有第一级接地接触部、第一级数据信号接触部和第一级接地带状物结构；所述第一级接地带状物结构直接连接到所述第一级接地接触部，并且包围所述第一级数据信号接触部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接地带状物结构封装，包括：第一互连级，具有上层，所述上层具有第一级接地接触部、第一级数据信号接触部和第一级接地带状物结构；所述第一级接地带状物结构直接连接到所述第一级接地接触部，并且包围所述第一级数据信号接触部。2.如权利要求1所述的封装，所述第一互连级还包括第一级电源接触部；以及所述第一级数据信号接触部包括第一级接收数据信号接触部和第一级传送数据信号接触部。3.如权利要求2所述的封装，所述第一互连级具有：（1）第一级电源和接地隔离区带；（2）第一级接收信号区带；以及（3）第一级传送信号区带；所述第一级电源接触部和所述第一级接地隔离接触部设置在第一级电源和接地隔离区带中；所述第一级接收信号接触部设置在与所述第一级电源和接地隔离区带的第一侧相邻的第一级接收信号区带中；所述第一级传送信号接触部设置在与所述第一级电源和接地隔离区带的相对侧相邻的第一级传送信号区带中；以及所述第一级接地带状物结构经过所述第一侧从所述第一级接地隔离接触部延伸，并延伸到所述第一级接收信号区带中；并且所述第一级接地带状物结构经过所述相对侧从所述第一级接地隔离接触部延伸，并延伸到所述第一级传送信号区带中。4.如权利要求1所述的封装，还包括：所述第一互连级下面的第二互连级，所述第二互连级具有第二级接地接触部、第二级数据信号接触部和第二级接地带状物结构；以及所述第二级接地带状物结构直接连接到所述第二级接地接触部，并且包围所述第二级数据信号接触部。5.如权利要求4所述的封装，还包括：第一级接地通孔接触部，其将所述第一级接地信号接触部连接到所述第二级接地信号接触部；以及第一级数据信号通孔接触部，其将所述第一级数据信号接触部连接到所述第二级数据信号接触部。6.如权利要求5所述的封装，所述第二互连级还包括第二级电源接触部；所述第二级数据信号接触部包括第二级接收数据信号接触部和第二级传送数据信号接触部。7.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一级接地带状物结构连接到电气接地，以降低凸起域串扰、信号类型集群至集群串扰和集群内信号类型串扰。8.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一级接地带状物结构连接到电气接地，以及所述第一级数据信号接触部被连接以便以7与25GT/s之间的频率向装置递送数据。9.一种用于与集成电路（IC）芯片进行通信的系统，包括：IC芯片，安装在接地带状物结构封装上，所述接地带状物结构封装包括第一区域，其具有：第一互连级，具有上层，所述上层具有第一级接地接触部、第一级数据信号接触部和第一级接地带状物结构；所述第一级接地带状物结构直接连接到所述第一级接地接触部，并且包围所述第一级数据信号接触部；以及所述IC芯片的数据信号接触部电耦合到所述封装的所述第一级数据信号接触部。10.如权利要求9所述的系统，其中，所述IC芯片的接地接触部电耦合到所述封装的所述第一级接地接触部。11.如权利要求10所述的系统，其中，所述第一级接地带状物结构提供经过所述第一级数据信号接触部、经过所述第一级的第一级数据信号通孔接触部并且经过所述封装的第二级的第二级数据信号接触部的更快和更精确数据信号传递。12.如权利要求9所述的系统，其中，所述IC芯片是第一IC芯片，以及所述接地带状物结构是第一接地带状物结构；所述系统还包括：第二IC芯片，安装在所述接地带状物结构封装上，所述接地带状物结构封装包括第二区域，其具有：第二区域第一互连级，其具有上层，所述上层具有第一级接地接触部、第一级数据信号接触部和第二区域第一级接地带状物结构；所述第二区域第一级接地带状物结构直接连接到所述第一级接地接触部，并且包围所述第二区域的所述第一级数据信号接触部；以及所述第二IC芯片的数据信号接触部电耦合到所述第二区域的所述第一级数据信号接触部。13.如权利要求12所述的系统，其中，所述封装包括所述第一区域第一互连级与...

【专利技术属性】
技术研发人员：YA张，MJ马努沙罗，K艾贡，M马朱姆德，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US