显示面板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有光传输介质层，所述光传输介质层由氧化石墨烯制成。本发明专利技术通过用氧化石墨烯制成光传输介质层，降低了显示装置的功耗，显示面板的厚度和显示面板的制造成本，提高了显示面板的透光率，同时还简化了显示面板的制造步骤。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
薄膜场效应晶体管液晶显示面板(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)通常包括依次设置的阵列基板、液晶层以及彩膜基板。相关技术中，TFT-LCD能够通过调节加载在液晶层上的电场的强度，控制液晶层中液晶分子的偏转程度，进而调节穿过液晶层之后的光线的振动方向，从而显示图像。相关技术中，驱动液晶分子偏转所需的电压一般较高，增加了显示装置的功耗。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术的显示装置的功耗较高的问题，所述技术方案如下：第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有光传输介质层，所述光传输介质层由氧化石墨烯制成。可选的，所述阵列基板上设置有多个像素单元，每个所述像素单元包括：驱动晶体管，以及与所述驱动晶体管连接的像素电极；所述像素电极设置在所述光传输介质层的一侧，所述光传输介质层的另一侧设置有公共电极。可选的，所述显示面板还包括：设置在所述彩膜基板和所述光传输介质层之间的电极基板；所述公共电极设置在所述电极基板靠近所述光传输介质层的一侧。可选的，每个所述像素单元还包括：电容器；所述电容器的一端与所述像素电极连接，另一端与用于提供高频电压信号的高频信号线连接。可选的，所述电容器为可变电容。可选的，所述高频信号线设置在所述阵列基板上，且所述高频信号线的输入端与控制芯片连接。可选的，所述驱动晶体管的栅极与栅线连接，第一极与数据线连接，第二极与所述像素电极连接；所述高频信号线与所述数据线平行设置。可选的，所述高频电压信号的频率范围为1千赫兹至100千赫兹。第二方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：提供一阵列基板和一彩膜基板；在所述阵列基板和所述彩膜基板之间填充氧化石墨烯，得到光传输介质层。第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述第一方面所述的显示面板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，该显示面板中的光传输介质层是由氧化石墨烯制成的，相较于相关技术中驱动液晶分子偏转所需的电压而言，驱动氧化石墨烯偏转所需的电压较低，降低了显示装置的功耗，此外，相关技术中的显示面板为了降低液晶分子的驱动电压，还会设置配向层，以使得液晶层中的液晶分子以一定的预倾角均匀排列。而由于本专利技术实施例中氧化石墨烯的驱动电压较低，因此显示面板中无需设置配向层，从而简化了显示面板的制造步骤。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种像素单元的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种氧化石墨烯的排列方式的示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种亮态显示面板的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的另一种氧化石墨烯的排列方式的示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种暗态显示面板的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图；图10是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，该显示面板可以包括：相对设置的阵列基板10和彩膜基板20。阵列基板10和彩膜基板20之间可以设置有光传输介质层30，该光传输介质层30可以由氧化石墨烯制成。其中，该氧化石墨烯是指石墨烯的氧化物，该氧化石墨烯为棕黄色的悬浊液，其结构为二维结构，二维结构是指分子或原子在空间沿二维方向的正、反向延伸作有规律排布的结构。该氧化石墨烯的极性较强，驱动电压较低，其驱动电压一般为4伏特每毫米(V/mm)。而在相关技术中，一般采用液晶层作为光传输介质层，驱动该液晶层中的液晶分子偏转的电压一般为1伏特每微米(V/um)，相比而言，氧化石墨烯的驱动电压较低，降低了显示装置的功耗。综上所述，本专利技术实施例提供的显示面板，光传输介质层是由氧化石墨烯制成的，相较于相关技术中驱动液晶分子偏转所需的电压而言，驱动氧化石墨烯偏转所需的电压较低，降低了显示装置的功耗。此外，相关技术中的显示面板为了降低液晶分子的驱动电压，还会设置配向层，以使得液晶层中的液晶分子以一定的预倾角均匀排列。而由于本专利技术实施例中氧化石墨烯的驱动电压较低，因此显示面板中无需设置配向层，从而简化了显示面板的制造步骤。进一步的，由于相关技术中显示面板的液晶层中的液晶分子为透明的，因此需要设置偏光片来实现显示面板的暗态显示。但是，偏光片的设置会降低显示面板的透光率。而本专利技术实施例提供的显示面板中，采用氧化石墨烯作为光传输介质层，由于氧化石墨烯为棕黄色的悬浊液，其在未施加电场的情况下不透光，可以实现显示面板的暗态显示，因此显示面板中无需再设置偏光片，从而可以提高显示面板的透光率，降低显示面板的厚度和制造成本。在本专利技术实施例中，阵列基板10上可以设置有多个像素单元，图2为本专利技术实施例提供的一种像素单元的结构示意图，参考图2，每个像素单元可以包括：驱动晶体管A1，以及与该驱动晶体管A1连接的像素电极A2。图3是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，参考图3，光传输介质层30可以设置在像素电极A2远离阵列基板10的一侧，该光传输介质层30的另一侧可以设置有公共电极60，该公共电极60用于提供恒定的基准电压，该基准电压可以为0伏特左右。需要说明的是，在本专利技术实施例中，像素电极A2和公共电极60均可以为透明材质，示例的，该像素电极A2和公共电极60可以为氧化铟锡(Indiumtinoxide，ITO)电极。可选的，参考图2，驱动晶体管A1的栅极可以与栅线B1连接，第一极可以与数据线B2连接，第二极可以与像素电极A2连接。栅线B1可以为驱动晶体管A1提供栅极驱动信号，以驱动该驱动晶体管A1开启。示例的，该栅极驱动信号的时序图可以如图2中的D1所示。该阵列基板中设置有多条栅线，每条栅线与一行像素单元中的各个驱动晶体管连接，该多条栅线用于对阵列基板上的各行像素单元进行逐行扫描。数据线B2可以为驱动晶体管A1提供控制电压，进而为像素电极A2充电，示例的，该控制电压的电压信号的时序图可以如图2中的D2所示。该像素电极A2充电后，可以与公共电极60共同驱动光传输介质层30中的氧化石墨烯偏转。可选的，如图3所示，该显示面板还可以包括：设置在彩膜基板20和光传输介质层30之间的电极基板50；其中，公共电极60可以设置在该电极基板50靠近光传输介质层30的一侧。图4是本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图，如图4所示，阵列基板中的每个像素单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有光传输介质层，所述光传输介质层由氧化石墨烯制成。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板；所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有光传输介质层，所述光传输介质层由氧化石墨烯制成。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有多个像素单元，每个所述像素单元包括：驱动晶体管，以及与所述驱动晶体管连接的像素电极；所述像素电极设置在所述光传输介质层的一侧，所述光传输介质层的另一侧设置有公共电极。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：设置在所述彩膜基板和所述光传输介质层之间的电极基板；所述公共电极设置在所述电极基板靠近所述光传输介质层的一侧。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每个所述像素单元还包括：电容器；所述电容器的一端与所述像素电极连接，另一端与用于提供高频电压信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏举，苗浩，孙海雁，刘明星，朱红，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11