一种多层光纤阵列制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多层光纤阵列，包括:上硅基板及下硅基板，所述上硅基板上表面沿长度方向设置有多个用于安放光纤的上V型槽；所述下硅基板沿长度方向设置有多个用于安放光纤的下V型槽，多个所述上V型槽与下V型槽形成双层的光纤阵列；多个所述上V型槽与下V型槽错开设置，相邻两个所述上V型槽和相邻两个所述下V型槽之间的间隔相等；所述上硅基板上方设置有一用于盖合上硅基板及下硅基板的上盖；通过紫外线固化剂将光纤分别固化在上V型槽及下V型槽中。本实用新型专利技术所提供的多层光纤阵列，由于可以设置多层光纤阵列，在硅基板体积相同的情况下，有效的提高了光纤阵列的密度，节省了空间。

【技术实现步骤摘要】
一种多层光纤阵列
本技术涉及光纤阵列
，尤其涉及的是一种多层光纤阵列。
技术介绍
光纤阵列(英文叫FiberArray,FA)是利用V形槽(即V槽，V-Groove)把一条光纤、一束光纤或一条光纤带安装在阵列基片上。光纤阵列是除去光纤涂层的裸露光纤部分被置于该V形槽中，被加压器部件所加压并由粘合剂所粘合。在前端部，该光纤被精确定位，以连接到PLC上，不同光纤的接合部被安装在阵列基片上。现有技术中的光纤阵列，通常情况下都是设置成单层的光纤阵列，在光纤数量越多的情况下，基本的面积就越大，这样在体积受到限制的情况下，就不能使用这些的光纤阵列，只能使用阵列数量少的光纤阵列，使用受到限制。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种多层光纤阵列，旨在解决现有技术中的光纤阵列在空间受到限制的情况下其使用受到限制的问题。本技术的技术方案如下：一种多层光纤阵列，其中，所述多层光纤阵列包括:上硅基板及下硅基板，所述上硅基板上表面沿长度方向设置有多个用于安放光纤的上V型槽；所述下硅基板沿长度方向设置有多个用于安放光纤的下V型槽，多个所述上V型槽与下V型槽形成双层的光纤阵列；多个所述上V型槽与下V型槽错开设置，相邻两个所述上V型槽和相邻两个所述下V型槽之间的间隔相等；所述上硅基板上方设置有一用于盖合上硅基板及下硅基板的上盖；通过紫外线固化剂将光纤分别固化在上V型槽及下V型槽中。优选地，所述的多层光纤阵列，其中，相邻两个所述上V型槽和相邻两个所述下V型槽之间的间隔皆为150mm至200mm之间。与现有技术相比，本技术所提供的多层光纤阵列，包括：上硅基板及下硅基板，所述上硅基板上表面沿长度方向设置有多个用于安放光纤的上V型槽；所述下硅基板沿长度方向设置有多个用于安放光纤的下V型槽，多个所述上V型槽与下V型槽形成双层的光纤阵列；多个所述上V型槽与下V型槽错开设置，相邻两个所述上V型槽和相邻两个所述下V型槽之间的间隔相等；所述上硅基板上方设置有一用于盖合上硅基板及下硅基板的上盖；通过紫外线固化剂将光纤分别固化在上V型槽及下V型槽中，由于可以设置多层光纤阵列，在硅基板体积相同的情况下，有效的提高了光纤阵列的密度，节省了空间。附图说明图1是本技术中的多层光纤阵列较佳实施例的结构示意图。具体实施方式本技术提供一种多层光纤阵列，为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图1是本技术中的多层光纤阵列较佳实施例的结构示意图，如图1所示，本技术较佳实施例提供的一种多层光纤阵列中，包括:上硅基板100及下硅基板200，所述上硅基板100上表面沿长度方向设置有多个用于安放光纤的上V型槽101；所述下硅基板200沿长度方向设置有多个用于安放光纤的下V型槽201，多个所述上V型槽101与下V型槽201形成双层的光纤阵列；多个所述上V型槽101与下V型槽201错开设置，相邻两个所述上V型槽101和相邻两个所述下V型槽201之间的间隔相等；所述上硅基板100上方设置有一用于盖合上硅基板100及下硅基板200的上盖300；通过紫外线固化剂将光纤分别固化在上V型槽101及下V型槽201中。具体实施时，可以采用多个硅基板，并分别在这些硅基板上表面设置多个V型槽，这样就可以形成多层的光纤阵列了。具体实施时，所述上盖300与下硅基板200可以通过卡接连接，这样的话就拆卸方便，当需要使用该多层光纤阵列时，拆卸下上盖后，就将上硅基板100与下硅基板200分开了，这样就可以将光纤安装在该V型槽中，然后再通过紫外线固化剂将光纤固化在V型槽中。此外该多层光纤阵列还设置有连接器。本技术进一步较佳实施例中，相邻两个所述上V型槽101和相邻两个所述下V型槽201之间的间隔皆为150mm至200mm之间。所述上V型槽101与下V型槽201两侧面与水平面的角度在45度至60度之间。综上所述，本技术所提供的多层光纤阵列，包括：上硅基板及下硅基板，所述上硅基板上表面沿长度方向设置有多个用于安放光纤的上V型槽；所述下硅基板沿长度方向设置有多个用于安放光纤的下V型槽，多个所述上V型槽与下V型槽形成双层的光纤阵列；多个所述上V型槽与下V型槽错开设置，相邻两个所述上V型槽和相邻两个所述下V型槽之间的间隔相等；所述上硅基板上方设置有一用于盖合上硅基板及下硅基板的上盖；通过紫外线固化剂将光纤分别固化在上V型槽及下V型槽中，由于可以设置多层光纤阵列，在硅基板体积相同的情况下，有效的提高了光纤阵列的密度，节省了空间。应当理解的是，本技术的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层光纤阵列，其特征在于，所述多层光纤阵列包括:上硅基板及下硅基板，所述上硅基板上表面沿长度方向设置有多个用于安放光纤的上V型槽；所述下硅基板沿长度方向设置有多个用于安放光纤的下V型槽，多个所述上V型槽与下V型槽形成双层的光纤阵列；多个所述上V型槽与下V型槽错开设置，相邻两个所述上V型槽和相邻两个所述下V型槽之间的间隔相等；所述上硅基板上方设置有一用于盖合上硅基板及下硅基板的上盖；通过紫外线固化剂将光纤分别固化在上V型槽及下V型槽中。

【技术特征摘要】
1.一种多层光纤阵列，其特征在于，所述多层光纤阵列包括:上硅基板及下硅基板，所述上硅基板上表面沿长度方向设置有多个用于安放光纤的上V型槽；所述下硅基板沿长度方向设置有多个用于安放光纤的下V型槽，多个所述上V型槽与下V型槽形成双层的光纤阵列；多个所述上V型槽与下V型槽错开设置，相邻两个所述上...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹木昌，
申请(专利权)人：惠州市益博光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44