【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】新液晶化合物及其用途
本申请涉及新的液晶化合物及其用途。本申请要求基于于2016年5月23日提交的韩国专利申请第10-2016-0062877号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术介绍
近晶A液晶可以用于双稳态装置。例如，近晶A液晶由于添加在DC或低频AC电场中的带电物质的移动而可以引起高散射状态，并且散射状态由于液晶在高频AC电场中的介电再取向而可以转化为非散射状态。即使在去除电场之后，散射状态和非散射状态在得以保持的同时可以实现双稳态装置(专利文献1：韩国特许专利公开第2015-0007998号)。近晶A液晶由于物理特性(例如转变温度特性)的限制难以确保相容性。因此，需要确保近晶A液晶的可相容温度范围，特别地，需要开发具有宽的近晶A相温度范围的液晶化合物。
技术实现思路
技术问题本申请提供了具有宽的近晶A相温度范围的新液晶化合物及其用途。技术方案本申请涉及新的液晶化合物。本申请的示例性液晶化合物可以为下式1的液晶化合物。[式1]在上述式1中，R1至R4各自独立地为具有1至3个碳原子的烷基，R5为-F、-Cl、-Br、-OF3、-NCS、-CN或-...
【技术保护点】
1.一种下式1的液晶化合物：[式1]
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.23 KR 10-2016-00628771.一种下式1的液晶化合物：[式1]在所述式1中，R1至R4各自独立地为具有1至3个碳原子的烷基，R5为-F、-Cl、-Br、-OF3、-NCS、-CN或-OCH3，X为-CH2-或-O-，k为0至9的整数，l为0至2的整数，m为2至13的整数，Y1至Y8各自独立地为CH、CF或N，其中Y1至Y8中的CF不大于2，A为下式2、或者单键、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-NR0-CO-NR00-、-NR0-CO-O-、-O-CO-NR0-、OCH2-、-OCH2-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-CF2CH2-、-CH2CHF2-、-CH＝N-、-N＝CH-、-NH-NH-、-N＝N-、-CH-CR0-、-CY1＝CY2-、-C＝C-、-CH＝CH-COO-或-OCO-CH＝CH-，其中R0、R00、Y1和Y2各自独立地为H或CH3；[式2]在所述式2中，Z1和Z2各自独立地为CH或N，并且当所述Z1和所述Z2各自为CH时，Y1至Y8中的至少一者为N。2.根据权利要求1所述的液晶化合物，其中在所述式1中，R1至R4为甲基。3.根据权利要求1所述的液晶化合物，其中在所述式1中，R5为-CN。4.根据权利要求1所述的液晶化合物，其中在所述式1中，k为0至3的整数。5.根据权利要求1所述的液晶化合物，其中在所述式1中，l为0或1。6.根据权利要求1所述的液晶化合物，其中在所述式1中，m为7至9的整数。7.根据权利要求1所述的液晶化合物...
【专利技术属性】
技术研发人员：林恩政，丘冀哲，吴东炫，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。