一种增强型MOSFET驱动电路及车载直流电源转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种增强型MOSFET驱动电路，包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；N型MOSFET与P型MOSFET为互补对管；N型MOSFET的基底内部连接；P型MOSFET的基底内部连接；N型MOSFET的G极、P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极连接接地端；P型MOSFET的S极连接电源Vdd，N型MOSFET的D极、P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极与P型MOSFET的S极间并联电容C73；PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3。本发明专利技术还涉及一种车载直流电源转换装置。本发明专利技术具有较高的驱动电流能力，满足开关管输入结电容的快速充放电需要，同时能够保持驱动波形陡峭，从而提高电源的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种增强型MOSFET驱动电路及车载直流电源转换装置
本专利技术涉及开关电源驱动电路，尤其涉及一种增强型MOSFET驱动电路及车载直流电源转换装置。
技术介绍
现代开关电源的工作频率多在80～200KHz之间或以上，开关管普遍采用MOSFET，其驱动可以采用由NPN\PNP组成的对管推挽电路，专用的IC驱动芯片等。但通常的应用，例如变换器的转换功率比较小(如500W以内)及开关频率比较低(开关频率100KHz以内)时，开关管的驱动电流较小，可以采用上述驱动方式；但当输出功率较大且开关频率较高时，例如变换器转换功率1KW、开关频率200KHz时，传统的驱动方式难以满足要求；若采用三极管对管推挽，虽然价格低廉，但暂无较大耗散功率的集成的对管，需要两只组合，占空较大空间；若采用专用IC芯片，虽然外围器件少且应用简便，但驱动能力不足且价格不菲；急需一种既满足变换器转换功率大同时开关频率高的驱动电路。
技术实现思路
本专利技术正是基于上述技术问题至少之一，提出了一种增强型MOSFET驱动电路，具有较高的驱动电流能力，满足开关管输入结电容的快速充放电需要，同时能够保持驱动波形陡峭，从而提高电源的转换效率。为达到上述目的，本专利技术提供一种增强型MOSFET驱动电路，包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET为互补对管；所述N型MOSFET的基底内部连接；所述P型MOSFET的基底内部连接；所述N型MOSFET的G极、所述P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极连接接地端；所述P型MOSFET的S极连接电源Vdd，所述N型MOSFET的D极、所述P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极与所述P型MOSFET的S极间并联电容C73；所述PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3；所述电容C73为1μF，所述PMW电路输入端的频率大于等于200HZ；当输入方波为负时，所述P型MOSFET导通，所述N型MOSFET截止；当输入方波为正时，所述N型MOSFET导通，所述P型MOSFET截止。进一步地，所述N型MOSFET为增强型MOSFET，所述P型MOSFET为增强型MOSFET；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET组成互补型共源极单端推挽电路。进一步地，所述N型MOSFET与所述P型MOSFET的功率与参数相同。进一步地，所述N型MOSFET与所述P型MOSFET封装集成为一体。进一步地，所述P型MOSFET的G极与S极间并联电阻R1，所述电阻R1为20K欧姆。进一步地，所述N型MOSFET的G极与S极间并联电阻R2，所述电阻R2为20K欧姆。进一步地，所述电阻R3为20K欧姆。一种车载直流电源转换装置，包括所述的增强型MOSFET驱动电路、DC/DC转换电路、PMW电路；所述PMW电路与所述增强型MOSFET驱动电路连接；所述DC/DC转换电路与所述增强型MOSFET驱动电路连接；所述PMW电路输出脉宽信号；所述增强型MOSFET驱动电路接收所述脉宽信号并驱动所述DC/DC转换电路输出1KW额定功率电源。与现有技术相比，本专利技术的优势在于：本专利技术提供一种增强型MOSFET驱动电路，包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；N型MOSFET与P型MOSFET为互补对管；N型MOSFET的基底内部连接；P型MOSFET的基底内部连接；N型MOSFET的G极、P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极连接接地端；P型MOSFET的S极连接电源Vdd，N型MOSFET的D极、P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极与P型MOSFET的S极间并联电容C73；PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3。本专利技术还涉及一种车载直流电源转换装置。本专利技术具有较高的驱动电流能力，满足开关管输入结电容的快速充放电需要，同时能够保持驱动波形陡峭，从而提高电源的转换效率。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明下面结合附图和本专利技术的实施方式作进一步详细说明。图1为本专利技术的采用的MOSFET驱动元器件上部视图；图2为本专利技术的采用的MOSFET驱动元器件底部视图；图3为本专利技术的采用的N型MOSFET原理图；图4为本专利技术的采用的P型MOSFET原理图；图5为本专利技术的一种增强型MOSFET驱动电路原理图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清除明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。一种增强型MOSFET驱动电路，如图5所示，包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；N型MOSFET与P型MOSFET为互补对管；N型MOSFET的基底内部连接；P型MOSFET的基底内部连接；N型MOSFET的G极、P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极连接接地端；P型MOSFET的S极连接电源Vdd，N型MOSFET的D极、P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；N型MOSFET的S极与P型MOSFET的S极间并联电容C73；PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3。在一实施例中，电阻R3为20K欧姆，电容C73为1μF，其中，电容C73的额定电压为25V。其中，脉冲宽度调制(PWM)是英文“PulseWidthModulation”的缩写，简称脉宽调制。它是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用于测量，通信，功率控制与变换等许多领域。根据相应载荷的变化来调制晶体管栅极或基极的偏置，来实现开关稳压电源输出晶体管或晶体管导通时间的改变，能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定。在本实施例中，PWM的转换功率为1KW，工作频率大于等于200HZ。上述互补放大电路中，由1只N沟道MOS管和1只P沟道MOS管分别放大信号的正半周和负半周，上、下管对称。为了应用上的方便，可以把两只功率相同、参数相同的互补完成功率输出的MOS管集成在1个模块内，组成本专利技术专门供单端推挽功率输出电路应用的模块，采用标准的封装、良好的参数配对，省却了选管、配对的麻烦，使用方便。如图1、图2所示，为本专利技术采用的MOSFET驱动元器件，N型MOSFET、P型MOSFET采用金属散热底座的MOSFET对管，N沟道、P沟道互补对管，由于N沟道、P沟道对管封装在一起，同时金属引脚做散热，使器件温升降低，此外由于封装结构紧凑，空间仅略大于单个型MOSFET或P型MOSFET；其中，1对应S1,2对应G1，3对应S2，4对应G2，5对应D2，6对应D1；如图3所示，N型MOSFET为增强型MOSFET，S1、G1、D1分别对应N型MOSFET的S极、G极、D极；如图4所示，P型MOSFET为增强型MOSFET，S2、G2、D2分别对应P型MOSFET的S极、G极、D极。如图5所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET为互补对管；所述N型MOSFET的基底内部连接；所述P型MOSFET的基底内部连接；所述N型MOSFET的G极、所述P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极连接接地端；所述P型MOSFET的S极连接电源Vdd，所述N型MOSFET的D极、所述P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极与所述P型MOSFET的S极间并联电容C73；所述PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3；所述电容C73为1μF，所述PMW电路输入端的频率大于等于200HZ；当输入方波为负时，所述P型MOSFET导通，所述N型MOSFET截止；当输入方波为正时，所述N型MOSFET导通，所述P型MOSFET截止。

【技术特征摘要】
1.一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET为互补对管；所述N型MOSFET的基底内部连接；所述P型MOSFET的基底内部连接；所述N型MOSFET的G极、所述P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极连接接地端；所述P型MOSFET的S极连接电源Vdd，所述N型MOSFET的D极、所述P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极与所述P型MOSFET的S极间并联电容C73；所述PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3；所述电容C73为1μF，所述PMW电路输入端的频率大于等于200HZ；当输入方波为负时，所述P型MOSFET导通，所述N型MOSFET截止；当输入方波为正时，所述N型MOSFET导通，所述P型MOSFET截止。2.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET为增强型MOSFET，所述P型MOSFET为增强型MOSFET；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET组成互补型共源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪远，方波，
申请(专利权)人：苏州舜唐新能源电控设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32