一种带负压钳位的IGBT驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带负压钳位的IGBT驱动电路，包括电阻R1、R2，电容C1，二极管D1，稳压二极管D2，瞬态抑制二极管D3，三极管Q1、Q2，变压器T1。本实用新型专利技术的低成本带负压钳位的IGBT驱动电路与现有技术方案相比，在保持电路简洁的基础上增加了负压钳位技术，能有效的保证IGBT可靠运行，防止因外部干扰信号造成误触发而烧毁IGBT的情况发生，同时本方案电路简洁成本低廉，可在设备上大规模的应用，经济效益显著。

【技术实现步骤摘要】
一种带负压钳位的IGBT驱动电路
本技术涉及IGBT驱动电路，具体涉及一种低成本带负压钳位的IGBT驱动电路。
技术介绍
目前，现有普通脉冲变压器隔离驱动电路基本不带负压钳位或者实现的电路过于复杂成本较高，而IGBT由于器件特性要求带负压钳位才能可靠的开关和防止误触发的情况发生。因此有必要设计一种低成本高可靠的IGBT驱动电路。
技术实现思路
本技术针对上述问题，提供一种带负压钳位的IGBT驱动电路，包括电阻R1、R2，电容C1，二极管D1，稳压二极管D2，瞬态抑制二极管D3，三极管Q1、Q2，变压器T1；所述变压器T1次级线圈的同名端分别连接二极管D1、三极管Q1集电极；所述变压器T1次级线圈的非同名端分别连接电阻R1、三极管Q2集电极、瞬态抑制二极管D3、绝缘栅极双极型晶体管Q3发射极；三极管Q1基极连接电阻R1；三极管Q1发射极连接三极管Q2基极；三极管Q2发射极分别连接稳压二极管D2负极、电容C1正极、稳压二极管D2正极分别连接电容C1负极、电阻R2；绝缘栅极双极型晶体管Q3栅极分别连接电阻R2、瞬态抑制二极管D3。进一步地，所述电阻R1为三极管Q1基极的限流电阻。更进一步地，所述电阻R2为绝缘栅极双极型晶体管Q3栅极电阻。更进一步地，所述电容C1为隔直电容。更进一步地，所述三极管Q1、Q2均为PNP型三极管。本技术的优点：本技术的低成本带负压钳位的IGBT驱动电路与现有技术方案相比，在保持电路简洁的基础上增加了负压钳位技术，能有效的保证IGBT可靠运行，防止因外部干扰信号造成误触发而烧毁IGBT的情况发生，同时本方案电路简洁成本低廉，可在设备上大规模的应用，经济效益显著。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本技术作进一步详细的说明。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。图1是本技术实施例的带负压钳位的IGBT驱动电路原理图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参考图1，如图1所示的一种带负压钳位的IGBT驱动电路，包括电阻R1、R2，电容C1，二极管D1，稳压二极管D2，瞬态抑制二极管D3，三极管Q1、Q2，变压器T1；所述变压器T1次级线圈的同名端分别连接二极管D1、三极管Q1集电极；所述变压器T1次级线圈的非同名端分别连接电阻R1、三极管Q2集电极、瞬态抑制二极管D3、绝缘栅极双极型晶体管Q3发射极；三极管Q1基极连接电阻R1；三极管Q1发射极连接三极管Q2基极；三极管Q2发射极分别连接稳压二极管D2负极、电容C1正极、稳压二极管D2正极分别连接电容C1负极、电阻R2；绝缘栅极双极型晶体管Q3栅极分别连接电阻R2、瞬态抑制二极管D3。所述电阻R1为三极管Q1基极的限流电阻。所述电阻R2为绝缘栅极双极型晶体管Q3栅极电阻。所述电容C1为隔直电容。所述三极管Q1、Q2均为PNP型三极管。图1为本技术的带负压钳位的IGBT驱动电路原理图，如图1所示，R1为Q1基极的限流电阻，为Q1提供合适的工作电流，R2为IGBT栅极电阻，用来调节IGBT的开关速度，C1为隔直电容同时也作为负压储能电容，D1为肖特基二极管，用来隔离驱动变压器的负脉冲，D2为C1上的电压钳位稳压二极管，D3为瞬态抑制二极管，用来保护IGBT栅极不被过压击穿，Q1为Q2的驱动管，Q2为放电管，用来给C1放电，提供负压回路通道。当变压器有正脉冲驱动时，驱动的正脉冲通过D1，C1使IGBT导通，同时电容器C1上因正脉冲的冲电而带有图示方向的电压，此时同名端电压为正电位，非同名端电压为负电位，Q1因正偏导通，Q2因Q1的导通基极为高电平而截止。当变压器有负脉冲时，二次侧变为同名端为负电位，非同名端为正电位，Q1因反偏而截止，Q2因正偏而导通，这时电容器C1通过Q2放电，由于C1上有稳压二极管电位被钳位在稳压二极管对应的电压上，这个电压为IGBT关断提供负压偏置，使IGBT迅速关断并把栅极钳位在负电平，保证在IGBT关断期间不会被外部干扰信号所触发。本技术的带负压钳位的IGBT驱动电路可应用于开关电源和变频器功率开关器件的驱动，以低廉的成本保证功率开关器件的稳定可靠运行。本技术的低成本带负压钳位的IGBT驱动电路与现有技术方案相比，在保持电路简洁的基础上增加了负压钳位技术，能有效的保证IGBT可靠运行，防止因外部干扰信号造成误触发而烧毁IGBT的情况发生，同时本方案电路简洁成本低廉，可在设备上大规模的应用，经济效益显著。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带负压钳位的IGBT驱动电路，其特征在于，包括电阻R1、R2，电容C1，二极管D1，稳压二极管D2，瞬态抑制二极管D3，三极管Q1、Q2，变压器T1；所述变压器T1次级线圈的同名端分别连接二极管D1、三极管Q1集电极；所述变压器T1次级线圈的非同名端分别连接电阻R1、三极管Q2集电极、瞬态抑制二极管D3、绝缘栅极双极型晶体管Q3发射极；三极管Q1基极连接电阻R1；三极管Q1发射极连接三极管Q2基极；三极管Q2发射极分别连接稳压二极管D2负极、电容C1正极，稳压二极管D2正极分别连接电容C1负极、电阻R2；绝缘栅极双极型晶体管Q3栅极分别连接电阻R2、瞬态抑制二极管D3。

【技术特征摘要】
1.一种带负压钳位的IGBT驱动电路，其特征在于，包括电阻R1、R2，电容C1，二极管D1，稳压二极管D2，瞬态抑制二极管D3，三极管Q1、Q2，变压器T1；所述变压器T1次级线圈的同名端分别连接二极管D1、三极管Q1集电极；所述变压器T1次级线圈的非同名端分别连接电阻R1、三极管Q2集电极、瞬态抑制二极管D3、绝缘栅极双极型晶体管Q3发射极；三极管Q1基极连接电阻R1；三极管Q1发射极连接三极管Q2基极；三极管Q2发射极分别连接稳压二极管D2负极、电容C1正极，稳压二极管D2正极分别连接电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭秉语，彭俊恒，
申请(专利权)人：深圳市仁辉创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44