半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置。根据一个实施例，一种半导体装置包括：预充电晶体管，被配置为向位线供应预充电电压；感测放大器，被配置为根据存储元件的汲取电流和参考电流之间的比较结果来改变输出信号的逻辑电平；钳位晶体管，设置在位线BL和感测放大器之间，以及；钳位电压输出晶体管，其中钳位电压输出晶体管的栅极连接到钳位晶体管的栅极，钳位电压输出晶体管的源极连接到其背栅，钳位电压输出晶体管的源极被供应预充电电压，钳位电压输出晶体管的漏极连接到其栅极，并且接地电压被供应给钳位晶体管的背栅。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本申请基于并要求于2017年2月14日提交的日本专利申请No.2017-024664的优先权权益，该申请的公开内容通过引用整体并入本文中。
本公开涉及一种半导体装置，并且例如涉及一种包括存储装置的半导体装置，所述存储装置包括具有根据要存储的数据的值而改变的电流汲取能力的多个存储元件。
技术介绍
近年来，广泛使用诸如闪速存储器之类的非易失性存储器。在这样的非易失性存储器中，使用具有根据要存储的数据的值而改变的电流汲取能力的存储元件。具体而言，存储元件通过其对要保持数据的写入操作，改变当存储元件处于其中存储元件允许电流流动的激活状态时呈现的电流特性。然后，在从存储元件读取数据的处理中，通过读取存储元件的汲取电流的大小来确定保持在存储元件中的数据的值。日本未审查专利申请公开No.2011-165297公开了用于这种存储元件的读取电路的示例。日本未审查专利申请公开No.2011-165297中公开的非易失性半导体存储器装置包括：存储元件，其两个电极的电荷放电速度根据存储的数据的逻辑而改变；连接到存储元件的电极之一的单元线；包括连接到单元线的感测节点的感测放大器，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：存储元件，具有根据要存储的数据的值而改变的电流汲取能力；位线，连接到所述存储元件的输出节点；预充电晶体管，所述预充电晶体管的源极连接到所述位线，所述预充电晶体管的漏极被供应预充电电压，并且所述预充电晶体管的栅极被供应预充电控制信号；钳位电压产生电路，包括钳位电压输出晶体管，所述钳位电压输出晶体管的源极连接到其背栅，该源极被供应所述预充电电压，所述钳位电压输出晶体管的漏极被供应恒定电流，所述钳位电压输出晶体管的栅极连接到其漏极，并且所述钳位电压产生电路被配置为输出在所述栅极中产生的电压作为钳位电压；钳位晶体管，所述钳位晶体管的栅极被供应所述钳位电压，所述钳位晶体管的源极...

【技术特征摘要】
2017.02.14 JP 2017-0246641.一种半导体装置，包括：存储元件，具有根据要存储的数据的值而改变的电流汲取能力；位线，连接到所述存储元件的输出节点；预充电晶体管，所述预充电晶体管的源极连接到所述位线，所述预充电晶体管的漏极被供应预充电电压，并且所述预充电晶体管的栅极被供应预充电控制信号；钳位电压产生电路，包括钳位电压输出晶体管，所述钳位电压输出晶体管的源极连接到其背栅，该源极被供应所述预充电电压，所述钳位电压输出晶体管的漏极被供应恒定电流，所述钳位电压输出晶体管的栅极连接到其漏极，并且所述钳位电压产生电路被配置为输出在所述栅极中产生的电压作为钳位电压；钳位晶体管，所述钳位晶体管的栅极被供应所述钳位电压，所述钳位晶体管的源极连接到所述位线，并且所述钳位晶体管的背栅连接到接地线；以及感测放大器，连接到所述钳位晶体管的漏极，所述感测放大器被配置为将具有预定电流值的参考电流与由所述存储元件通过所述钳位晶体管汲取的存储器电流进行比较，并输出输出信号。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述预充电电压低于供应给所述钳位电压产生电路和所述感测放大器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩濑贵司，松原谦，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP