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具有增强型抑制的声波滤波器制造技术

技术编号:18581903 阅读:33 留言:0更新日期:2018-08-01 15:09
一窄带声学滤波器,包括一输入端和输出端,以及耦合在输入端和输出端之间的至少一个声学谐振器对。每个声学谐振器(对)包括至少一个内联声学谐振器和分路声学谐振器,它们一起工作以产生标称通带。该声学谐振器还包括至少一个电容元件,所述至少一个电容元件与每个声学谐振器对中的内联声学谐振器和分路声学谐振器中的一个并联,由此锐化标称通带的下边缘或上边缘。

Acoustic filter with enhanced suppression

A narrowband acoustic filter includes an input and an output end, and at least one pair of acoustic resonators coupled between the input end and the output end. Each acoustic resonator (pair) includes at least one inline acoustic resonator and a shunt acoustic resonator that work together to produce a nominal passband. The acoustic resonator also includes at least one capacitance element, which is parallel to one of each of the acoustic resonators and the shunt acoustic resonators in each of the acoustic resonators, thereby sharpening the lower edge or upper edge of the nominal passband.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有增强型抑制的声波滤波器
本专利技术总体涉及微波滤波器,尤其涉及专门用于窄带应用的声学微波滤波器。
技术介绍
电子滤波器长期以来一直用于电信号的处理。这类电子滤波器尤其用于从输入信号中通过期望的信号频率选择期望的电信号频率,同时阻止或衰减其他不期望的电信号频率。滤波器按一般类别来分可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器,表示滤波器有选择地通过的频率类型。此外,滤波器可按类型分类,例如巴特沃斯型、切比雪夫型、反切比雪夫型和椭圆型,表示滤波器相对于理想频率响应提供的带形频率响应类型(频率截止特性)。滤波器的类型通常取决于预期的用途。在通信应用中,带通滤波器和带阻滤波器通常用于蜂窝基站、手机和其他电信设备中,以滤除或阻塞除一个或多个预定义频带外的所有频带中的RF信号。特别重要的是,频率范围在约500MHz至3500MHz之间。在美国,有许多用于蜂窝通信的标准频段。这些标准频段包括频段2(1800-1900MHz),频段4(1700-2100MHz),频段5(800-900MHz),频段13(700-800MHz)和频段17(700-800MHz),还有其他频段开始慢慢出现。微波滤波器通常使用两个电路构建块来构建:多个谐振器,其在谐振频率(其可以是基本谐振频率f0或各种高阶谐振频率f1-fn中的任何一个)上非常有效地存储能量;以及多个耦合器,其在谐振器之间耦合电磁能以形成多个反射零点,从而提供更宽的频谱响应。例如,四谐振器滤波器可以包括四个反射零点。耦合器的相对强度由其电抗(即电感和/或电容)决定。耦合的相对强度决定了滤波器的形状,耦合器的拓扑结构决定滤波器是执行带通还是带阻功能。谐振频率f0很大程度上由相应谐振器的电感和电容决定。对于传统的滤波器设计,滤波器工作的频率由组成滤波器的谐振器的谐振频率决定。由于上面讨论的原因,每个谐振器必须具有非常低的内阻以使滤波器的响应变得尖锐和高度选择性。低电阻的这一要求倾向于针对一给定技术推动谐振器的尺寸及成本的改变。双工器作为一种特殊的滤波器,是移动设备前端的关键组件。现代移动通信设备(使用LTE,WCDMA或CDMA)同时发射和接收并使用相同的天线。双工器将接收信号与发射信号分开,其中发射信号的功率可以达到0.5瓦,接收信号的功率可以低至皮瓦。发射和接收信号在不同频率的载波上进行调制,以允许双工器选择它们,即使如此,双工器也必须以非常小的尺寸提供频率选择、隔离和低插入损耗,其中尺寸通常只有大约两平方毫米。前端接收滤波器优选采用清晰定义的带通滤波器的形式,以消除在期望的接收信号频率附近的频率处由强干扰信号引起的各种不利影响。由于前端接收器滤波器位于天线输入端的位置,插入损耗必须非常低,以免降低噪声系数。在大多数滤波器技术中,实现低插入损耗需要在滤波器陡度或选择性中进行相应的折中。实际上,手机的大多数滤波器都是利用声学谐振器技术构建的,例如表面声波(SAW)技术、体声波(BAW)技术和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术。声学谐振器的等效电路具有两个谐振,这两个谐振在“谐振”频率和“反谐振”频率上紧密间隔,(参见K.S.VanDyke,PiezoElectricResonatoranditsEquivalentNetworkProc.IRE,Vol.16,1928,pp.742-764)。与等效的电感器/电容器谐振器相比,这种声学谐振器滤波器具有插入损耗低(在中心频率处大约1dB的量级),尺寸紧凑和成本低的优点。出于这个原因,声学谐振器的实现通常用于移动设备的前端接收滤波器中的微波滤波应用。声音谐振器通常以梯形拓扑(交替串联谐振器和并联谐振器)排列,以创建带通滤波器。声学梯形滤波器在手机应用方面非常成功,每年销售超过10亿套。然而,最近无线技术趋向于向多功能设备和更加拥挤的电磁频谱发展,这要求滤波器具有更多频段,其中频段具有更锐利的谱线形状,同时还要求减少滤波器的尺寸、成本和功耗。除了锐化滤波器通带的谱线形状之外,还希望确保频率响应中的不连续性尽可能远离通带。例如,典型的声学谐振器具有多个叉指式指状物(例如,80-100个指状物),其在指状物之间来回反射声波。指状物之间的声学反射相位相加以产生共振的频带可以称为“布拉格频带”。频率响应中的不连续特征发生在布拉格频带的上边缘处,即,声学反射增加相位的最高频率处。这种布拉格共振可能会使带通滤波器通带的高端发生畸变,从而导致这些频率的过度损耗。因此,如果这种不连续特征落入滤波器的通带内,滤波器的性能可能就会受到影响,所以重要的是要确保这种不连续特征完全落在滤波器的通带之外。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面,提供了一种窄带声学滤波器。声学滤波器可以在300MHz至300GHz范围内的微波频率下工作,但最适用于300MHz至10GHz范围内的频率下工作,并且尤其适用于在500MHz至3.5GHz范围内的频率下工作。声学滤波器包括输入端和输出端,以及耦合在输入端和输出端之间的至少一个声学谐振器对(例如,至少四个声学谐振器对)。每个声学谐振器(对)包括至少一个内联声学谐振器和分路声学谐振器,它们一起工作以产生标称通带。内联声学谐振器和分路声学谐振器中的每一个可以例如是表面声波(SAW)谐振器、体声波(BAW)谐振器、薄膜体声波谐振器(FBAR)和微机电系统(MEMS)谐振器中的一个。声学谐振器对可以例如以N阶梯形拓扑排列。声学滤波器还包括至少一个电容元件,所述至少一个电容元件与每个声学谐振器对中的内联声学谐振器和分路声学谐振器中的一个并联,由此锐化标称通带的下边缘或上边缘。在一个实施例中,声学滤波器还包括至少另一个电容元件,所述至少另一个电容元件与每个声学谐振器对中的内联声学谐振器和分路声学谐振器中的另一个并联,由此锐化标称通带的下边缘和上边缘。电容元件的电容可在0.5pF-2.0pF的范围内,特别地在0.8pF-1.5pF的范围内,并且更特别地在0.9pF-1.1pF的范围内。根据本专利技术的第二方面,一种声学滤波器包括压电层,声学谐振器结构和集总电容结构,其中声学谐振器结构整体设置在压电层上,而集总电容结构整体设置在压电层上并且并联电耦合声学谐振器结构。例如,压电层可以是例如压电基片,或者声学滤波器可以包括非压电基片,在这种情况下,压电层可以整体设置在非压电基片上,作为例如薄膜压电片。在一个实施例中,声学滤波器包括金属化信号平面和金属化接地平面,这两者均整体设置在压电层上。声学谐振器结构和电容结构中的每一个电耦合在信号平面和接地平面之间。在这种情况下,声学谐振器结构可以直接连接到信号平面和接地平面,和/或集总电容结构可以直接连接到信号平面和接地平面中的至少一个。集总电容结构可以是至少部分嵌套,并且甚至可以完全嵌套在信号平面和/或接地平面内。在另一实施例中,声学滤波器包括金属化输入信号平面部分和金属化输出信号平面部分,这两者均整体设置在压电层上。声学谐振器结构和电容结构中的每一个电耦合在输入信号平面部分和输出信号平面部分之间。在这种情况下,声学谐振器结构可以直接连接到输入信号平面部分和输出信号平面部分,和/或集总电容结构可以直接连接到输入信号平面部分和输出信号平面部分中的至少一个。集总电容结构可以是至少部分嵌套,并且本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一声学滤波器包括:一压电层;一声学谐振器结构,其整体设置在所述压电层上;一集总电容结构,其整体设置在所述压电层上并且并联电耦合所述声学谐振器结构;一金属化信号平面,其整体设置在所述压电层上;一金属化接地平面,其整体设置在所述压电层上;其中所述声学谐振器结构和所述集总电容结构中的每一个电耦合到所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个,其中所述集总电容结构完全嵌套在所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.13 US 14/941,4511.一声学滤波器包括:一压电层;一声学谐振器结构,其整体设置在所述压电层上;一集总电容结构,其整体设置在所述压电层上并且并联电耦合所述声学谐振器结构;一金属化信号平面,其整体设置在所述压电层上;一金属化接地平面,其整体设置在所述压电层上;其中所述声学谐振器结构和所述集总电容结构中的每一个电耦合到所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个,其中所述集总电容结构完全嵌套在所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个内。2.根据权利要求1所述的声学滤波器,其特征在于,所述声学谐振器结构和所述集总电容结构中的每一个电耦合在所述金属化信号平面和所述金属化接地平面之间。3.根据权利要求1所述的声学滤波器,其特征在于,所述声学谐振器结构直接连接到所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个上。4.根据权利要求1所述的声学滤波器,其特征在于,所述集总电容结构直接连接到所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个上。5.根据权利要求1所述的声学滤波器,其特征在于,所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个是所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:库尔特·F·赖恩格雷戈里·L·海伊希普顿
申请(专利权)人:谐振公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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