阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法，包括：形成包括遮光件的图形；涂覆有机材料溶液；对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成包括薄膜晶体管的有源层的图形，所述有源层的位置与所述遮光件的位置相对应；形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形，所述栅极位于所述有源层上方且与所述有源层绝缘间隔。相应地，本发明专利技术还提供一种阵列基板和显示装置。本发明专利技术能够改善由于遮光件的设置而导致的栅金属层断裂的现象。

Array substrate and its making method and display device

The invention provides an array substrate making method, including: forming a figure of a sunshade, coating an organic material solution, curing the organic material solution to form a buffer layer, forming a figure of an active layer including a thin film transistor above the buffer layer, and the position of the active layer and the light shading. The position of the piece corresponds to the shape of the gate of the thin film transistor, which is located above the active layer and is insulated with the active layer. Correspondingly, the invention also provides an array substrate and a display device. The invention can improve the phenomenon of fracture of the gate metal layer caused by the setting of the shading parts.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
阵列基板的薄膜晶体管结构主要分为两类：底栅型和顶栅型。与底栅型相比，顶栅型薄膜晶体管中，源漏电极与栅极之间没有重叠，因此可以减小寄生电容，减少信号延迟和失真，提高显示效果，从而使得顶栅型薄膜晶体管得到的广泛应用。另外，为了提高薄膜晶体管的迁移率、降低漏电流，可以采用非晶氧化物(如，IGZO)制作有源层，但是由于非晶氧化物对光照敏感，因此，为了保证顶栅型薄膜晶体管的性能，通常会在有源层1下方制作遮光件2(如图1所示)。为了防止干刻过刻导致的接触电阻过大，会将遮光件2制作得较厚，这就导致遮光件2制作完后，其边缘处出现明显台阶，因此，在形成栅极3和与该栅极3相连的栅线4时，遮光件2边缘处(图1中的虚线圈内)的栅金属层容易发生断裂，从而导致薄膜晶体管因无法接收到信号而失效。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以减少栅金属层的断裂。为了解决上述技术问题之一，本专利技术提供一种阵列基板的制作方法，包括：形成包括遮光件的图形；涂覆有机材料溶液；对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成包括薄膜晶体管的有源层的图形，所述有源层的位置与所述遮光件的位置相对应；形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形，所述栅极位于所述有源层上方且与所述有源层绝缘间隔。优选地，所述有机材料溶液包括有机硅玻璃溶液。优选地，涂覆有机材料溶液的步骤采用旋涂法进行。优选地，对所述有机材料溶液进行固化的步骤采用热固化的方式，所述热固化的温度在220℃～250℃之间。优选地，所述有源层包括与所述栅极对应的沟道区以及位于该沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区；对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层的步骤之后还包括：在所述缓冲层上形成第一过孔，以将所述遮光件的一部分露出；形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形的步骤之后还包括：形成层间介质层；在所述层间介质层上形成贯穿该层间介质层的第二过孔、第三过孔和第四过孔；其中，所述第二过孔将所述源极接触区的至少一部分露出，所述第三过孔将所述漏极接触区的至少一部分露出，所述第四过孔的位置与所述第一过孔对应，以将所述遮光件的一部分露出；形成包括源极和漏极的图形，所述源极通过所述第二过孔与所述源极接触区相连，所述漏极通过所述第三过孔与所述漏极接触区相连、并通过所述第四过孔与所述遮光件相连。优选地，所述有机硅玻璃溶液中混合有感光材料；在所述缓冲层上形成第一过孔的步骤包括：对所述缓冲层进行曝光并显影，以形成所述第一过孔。优选地，在形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形的步骤和形成所述层间介质层的步骤之间还包括：对所述源极接触区和所述漏极接触区进行导体化处理。优选地，形成所述有源层的材料包括非晶氧化物半导体；对所述源极接触区和所述漏极接触区进行导体化处理的步骤包括：向工艺腔室内通入NH3、N2、H2气体中的任意一种，以使未被所述栅极覆盖的所述源极接触区和所述漏极接触区导体化。相应地，本专利技术还提供一种阵列基板，所述阵列基板采用本专利技术提供的上述制作方法制成。相应地，本专利技术还提供一种显示装置，包括本专利技术提供的上述阵列基板。本专利技术中，在形成遮光件的步骤和有源层的步骤之间形成缓冲层；制作缓冲层时，先涂覆一层有机材料溶液，再对其进行固化。由于有机材料溶液具有良好的流动性，因此，有机材料溶液固化后形成的缓冲层表面更加平坦，在后续沉积栅金属层以制作栅极和栅线时，栅金属层在与所述遮光件边缘对应的位置不容易发生断裂，从而保证了薄膜晶体管能够接收到栅线的信号，提高了阵列基板的质量。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是现有技术中栅金属层的断裂位置示意图；图2至图13是本专利技术实施例中提供的阵列基板制作过程的示意图；图14是本专利技术实施例中提供的阵列基板的制作方法流程图。其中，附图标记为：1、现有技术中的有源层；2、现有技术中的遮光件；3、现有技术中的栅极；4、栅线；10、衬底；11、本专利技术的遮光件；12、缓冲层；13、本专利技术中的有源层；131、沟道区；132、源极接触区；133、漏极接触区；14、栅极绝缘层；15、本专利技术中的栅极；16、层间介质层；17、源极；18、漏极；19、钝化层；20、平坦化层；21、电极；22、像素界定层；V1、第一过孔；V2、第二过孔；V3、第三过孔；V4、第四过孔；V5、第五过孔。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：形成包括遮光件的图形；涂覆有机材料溶液；对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成包括薄膜晶体管的有源层的图形，所述有源层的位置与所述遮光件的位置相对应；形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形，所述栅极位于所述有源层上方且与所述有源层绝缘间隔。当利用化学气相沉积法形成缓冲层时，会形成厚度均匀的缓冲层，也就是说，缓冲层表面在对应于遮光件边缘的位置仍然会有明显的段差。而本专利技术提供的阵列基板的制作方法中，先涂覆一层有机材料溶液，再对其进行固化。由于有机材料溶液具有良好的流动性，因此，有机材料溶液固化后形成的缓冲层表面更加平坦，在后续沉积栅金属层以制作栅极和栅线时，栅金属层在与所述遮光件边缘对应的位置不容易发生断裂，从而保证了薄膜晶体管能够接收到栅线的信号，提高了阵列基板的质量。图14为本专利技术提供的阵列基板的制作方法流程图；图2至图13给出了各步骤对应的结构示意图；结合图2至14所示，所述制作方法包括：S1、如图2所示，形成包括遮光件11的图形。具体包括：提供透明的衬底10，该衬底可以为50nm～1000nm厚的康宁玻璃或旭硝子玻璃或其他如石英玻璃等；之后采用溅射工艺在衬底10上形成遮光材料层，该遮光材料层具体可以为金属层；然后对所述遮光材料层进行光刻构图工艺，从而形成包括遮光件11的图形。S2、涂覆有机材料溶液；其中，涂覆方式具体可以为旋涂法，从而使得有机材料溶液涂覆得更均匀。所述有机材料溶液具体包括混合有感光材料的有机硅玻璃溶液，有机硅材料具有良好的耐高温性，且高温固化后的透明性较好。S3、对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层12。固化方式可以为热固化，热固化的温度在220℃～250℃之间，时间约为1h。通过调节有机硅玻璃溶液的浓度、涂覆厚度等条件，使得缓冲层12的厚度在300nm～500nm之间。有机硅玻璃溶液固化后形成致密的硅的氧化物，从而提高后续制作的有源层13在衬底10上的附着力，并防止衬底10上的钾钠离子在高温退火的条件下扩散进入有源层中，进而保证薄膜晶体管良好的特性。需要说明的是，在所述有机硅玻璃溶液中混合感光材料是为了便于后续在缓冲层12上形成过孔。步骤S3之后还包括：S4、在缓冲层12上形成第一过孔V1，如图3所示，以将遮光件11的一部分露出。形成第一过孔V1的目的是为了后续形成漏极18时(如图9所示)，使得漏极18与遮光件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：形成包括遮光件的图形；涂覆有机材料溶液；对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成包括薄膜晶体管的有源层的图形，所述有源层的位置与所述遮光件的位置相对应；形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形，所述栅极位于所述有源层上方且与所述有源层绝缘间隔。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：形成包括遮光件的图形；涂覆有机材料溶液；对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成包括薄膜晶体管的有源层的图形，所述有源层的位置与所述遮光件的位置相对应；形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形，所述栅极位于所述有源层上方且与所述有源层绝缘间隔。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述有机材料溶液包括有机硅玻璃溶液。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，涂覆有机材料溶液的步骤采用旋涂法进行。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述有机材料溶液进行固化的步骤采用热固化的方式，所述热固化的温度在220℃～250℃之间。5.根据权利要求2至4中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述有源层包括与所述栅极对应的沟道区以及位于该沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区；对所述有机材料溶液进行固化，以形成缓冲层的步骤之后还包括：在所述缓冲层上形成第一过孔，以将所述遮光件的一部分露出；形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形的步骤之后还包括：形成层间介质层；在所述层间介质层上形成贯穿该层间介质层的第二过孔、第三过孔和第四过孔；其中，所述第二过孔将所述源极接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：方金钢，宋泳锡，孙宏达，李伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11