适用于单片式外延炉的分离式基座组件制造技术

本发明专利技术提供一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，包括分离式基座，所述分离式基座包括：第一部分，第一部分包括主体部及挖空部，挖空部沿主体部的厚度方向贯穿主体部；第二部分，第二部分包括平面部，平面部的形状及尺寸与挖空部的形状及尺寸相同，第二部分与第一部分配合使用，第二部分与第一部分配合时，平面部嵌入挖空部内，且平面部的上表面与挖空部外侧邻接的主体部的上表面相平齐。通过将基座设计成分离式的两部分，使得组合两部分后的基座无需通孔或顶针，就能实现现有传片设备的要求；同时，组合后的基座呈现出完整的圆盘状，完整的圆盘状将有利于基片温度的均一，提高外延后基片的正表明纳米形貌，同时减小外延后基片的背面沉积。

Separate base assembly for monolithic epitaxial furnace

The present invention provides a separate base assembly for a monolithic epitaxial furnace, including a separate base. The separation base comprises the first part, the first part comprises a main part and a hollowing part, and the hollowing part runs through the main part of the main body; the second part, the second part includes a plane and a plane. The shape and size are the same as the shape and size of the hollowing section. The second part is used in combination with the first part. When the second part is in coordination with the first part, the plane part is embedded in the hollowed part, and the upper surface of the plane part is flat with the upper surface of the main body adjacent to the outside of the hollowing part. By making the two parts of the base design component detached, the base seat of the two part is not needed through the hole or the thimble, and the requirement of the existing device can be realized. At the same time, the base of the combination will show a complete disk, and the complete disk will be beneficial to the homogenization of the substrate temperature. Morphology, while reducing the back deposition of the substrate after epitaxy.

【技术实现步骤摘要】
适用于单片式外延炉的分离式基座组件
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件。
技术介绍
现有的主流单片式外延炉一般都采用圆盘式基座(Susceptor)设计，基座作为外延沉积时基座陈列的装置，对外延片质量起到决定性作用。现有的一种基座如图1所示，所述基座包括：基座主体11，所述基座主体11内设有多个第一通孔12，所述第一通孔12的作用是在伯努利吸盘工作时可以顺利抓片；如果没有所述第一通孔12，在抓片时，基片15和所述基座之间密封的区域将形成负压区，进而增大了所述基片15上下表面的压力，该压差将所述基片15按在所述基座上，进而造成抓片失败。上述所述基底由于所述基底主体11内设有所述第一通孔12，在外延的过程中容易造成基片15的温度不均匀，进而在所述基片15的上下表面造成不均匀的沉积，从而造成在所述基片15表面造成纳米形貌(nanotopography)等参数的恶化。现有的另一种基座如图2所示，所述基座包括：基座主体11及顶针14，所述基座主体11内设有第二通孔13，所述顶针14经由所述第二通孔13插入所述基座主体11内。在需要抓片时，通过所述顶针14将基片15顶起，再用机械手臂进行所述基片15的抓取。然而，该中所述基座在正常外延生长时，由于所述顶针14悬挂在所述基座上，突出的所述顶针14强导致所述基片15在所述顶针14位置的温度分布不均匀，进而在所述基片15背面造成所述的顶针印记(liftpinmark)，同时还会在所述基片15的正面造成纳米形貌等参数的恶化。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，用于解决现有技术中的基座由于基座主体内设有通孔而导致的在外延的过程中容易造成基片的温度不均匀，进而在基片的上下表面造成不均匀的沉积，从而造成在基片表面造成纳米形貌等参数的恶化的问题，以及由于现有技术中的基座使用顶针而导致的基片在顶针位置的温度分布不均匀，进而在基片背面造成所述的顶针印记，同时还会在基片的正面造成纳米形貌等参数的恶化的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，所述分离式基座组件包括分离式基座，所述分离式基座包括：第一部分，所述第一部分包括主体部及挖空部，所述挖空部沿所述主体部的厚度方向贯穿所述主体部；第二部分，所述第二部分包括平面部，所述平面部的形状及尺寸与所述挖空部的形状及尺寸相同，所述第二部分与所述第一部分配合使用，所述第二部分与所述第一部分配合时，所述平面部嵌入所述挖空部内，且所述平面部的上表面与所述挖空部外侧邻接的所述主体部的上表面相平齐。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述主体部的上表面设有适于放置基片的凹槽，所述凹槽位于所述挖空部的外围。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述凹槽的外围设有弧形坡面，所述弧形坡面与基片边缘附近的弧形部分相匹配。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述主体部的下表面设有至少一级第一阶梯结构，所述第一阶梯结构位于所述挖空部的外围；所述第二部分还包括阶梯部，所述阶梯部包括第二阶梯结构，所述第二阶梯结构与所述第一阶梯结构上下对应设置，且在所述第一部分与所述第二部分配合时，所述第二阶梯结构与所述第一阶梯结构无缝贴合。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述分离式基座组件还包括支撑轴，所述支撑轴的一端与所述第二部分的底部相连接，适于驱动所述第二部分上下运动。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述主体部为环形主体部，所述挖空部为位于所述主体部内侧的通孔。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述分离式基座组件还包括第一预加热环及第一托盘；所述第一预加热环位于所述分离式基座外围；所述第一托盘位于所述第一预加热环内侧，且所述第一托盘上表面低于所述第一预加热环上表面，所述第一托盘内设有通孔，所述第一托盘的横向尺寸大于或等于所述第一部分的横向尺寸，所述通孔的横向尺寸小于所述第一部分的横向尺寸且大于所述第二部分的横向尺寸。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述主体部为具有缺口的主体部，所述挖空部包括位于所述主体部内侧的通孔及将所述通孔与所述主体部外侧相连接的缺口。作为本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述分离式基座组件还包括第二预加热环及第二托盘；所述第二预加热环位于所述分离式基座外围；所述第二托盘为环形结构，所述第二托盘的内径大于或等于所述第二预加热环的内径，所述第二托盘经由连接块固定于所述第二预加热环的下方，且与所述第二预加热环相隔有间距；所述连接块位于所述预加热环的下方，且位于所述通孔的外侧。如上所述，本专利技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件，具有以下有益效果：通过将基座设计成分离式的两部分，使得组合两部分后的基座无需通孔或顶针，就能实现现有传片设备的要求；同时，组合后的基座呈现出完整的圆盘状，完整的圆盘状将有利于基片温度的均一，提高外延后基片的正表明纳米形貌，同时减小外延后基片的背面沉积。附图说明图1及图2显示为现有技术的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的截面结构示意图。图3显示为本专利技术实施例一中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的立体结构示意图。图4及图5为图3沿AA’方向的截面结构示意图。图6及图7显示为本专利技术实施例一中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的第一部分与第二部分分离的截面结构示意图。图8显示为本专利技术实施例一中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的工作原理结构示意图。图9显示为本专利技术实施例二中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的立体结构示意图。图10为图9沿BB’方向的截面结构示意图。图11显示为本专利技术实施例二中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的正视结构示意图。图12显示为本专利技术实施例二中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件中的分离式基座的第一部分与第二预加热环组合的结构示意图。图13显示为本专利技术实施例二中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的第一部分与第二部分分离的截面结构示意图。图14显示为本专利技术实施例二中提供的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的工作原理结构示意图。元件标号说明11基座主体12第一通孔13第二通孔14顶针15基座2分离式基座21第一部分211主体部2111凹槽2112弧形坡面2113第一阶梯结构212挖空部2121通孔2122缺口22第二部分221平面部222第二阶梯结构3第一预加热环4第一托盘5支撑轴6第二预加热环7第二托盘8连接块91伯努利吸盘92基片93机械手臂具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图3至图14需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，其特征在于，所述分离式基座组件包括分离式基座，所述分离式基座包括：第一部分，所述第一部分包括主体部及挖空部，所述挖空部沿所述主体部的厚度方向贯穿所述主体部；第二部分，所述第二部分包括平面部，所述平面部的形状及尺寸与所述挖空部的形状及尺寸相同，所述第二部分与所述第一部分配合使用，所述第二部分与所述第一部分配合时，所述平面部嵌入所述挖空部内，且所述平面部的上表面与所述挖空部外侧邻接的所述主体部的上表面相平齐。

【技术特征摘要】
1.一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，其特征在于，所述分离式基座组件包括分离式基座，所述分离式基座包括：第一部分，所述第一部分包括主体部及挖空部，所述挖空部沿所述主体部的厚度方向贯穿所述主体部；第二部分，所述第二部分包括平面部，所述平面部的形状及尺寸与所述挖空部的形状及尺寸相同，所述第二部分与所述第一部分配合使用，所述第二部分与所述第一部分配合时，所述平面部嵌入所述挖空部内，且所述平面部的上表面与所述挖空部外侧邻接的所述主体部的上表面相平齐。2.根据权利要求1所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件，其特征在于：所述主体部的上表面设有适于放置基片的凹槽，所述凹槽位于所述挖空部的外围。3.根据权利要求2所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件，其特征在于：所述凹槽的外围设有弧形坡面，所述弧形坡面与基片边缘附近的弧形部分相匹配。4.根据权利要求1所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件，其特征在于：所述主体部的下表面设有至少一级第一阶梯结构，所述第一阶梯结构位于所述挖空部的外围；所述第二部分还包括阶梯部，所述阶梯部包括第二阶梯结构，所述第二阶梯结构与所述第一阶梯结构上下对应设置，且在所述第一部分与所述第二部分配合时，所述第二阶梯结构与所述第一阶梯结构无缝贴合。5.根据权利要求1所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件，其特征在于：所述分离式基座组件还包括支撑轴，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：季文明，刘源，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31