综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法技术

一种电子束蒸发、离子束辅助与离子束溅射综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法，设备包括由左电子枪坩埚、右电子枪坩埚、离子源辅源、离子源主源、溅射靶材和夹具盘组成的综合沉积系统。本发明专利技术结合了电子束蒸发沉积技术、离子束辅助沉积技术及离子束溅射沉积技术的优点，不但能够提高膜层质量，而且能够提高镀膜效率、降低镀膜成本。

Comprehensive deposition coating equipment and comprehensive coating method

An integrated deposition coating device for electron beam evaporation, ion beam assisted and ion beam sputtering, including a comprehensive deposition system consisting of the left electron gun crucible, the right electron gun crucible, the ion source auxiliary source, the main source of the ion source, the sputtering target and the clamp plate. The invention combines the advantages of electron beam evaporation deposition, ion beam assisted deposition and ion beam sputtering deposition. It can not only improve the quality of the coating, but also improve the efficiency of the coating and reduce the cost of the coating.

【技术实现步骤摘要】
综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法
本专利技术属于光学薄膜
，特别是一种电子束蒸发、离子束辅助与离子束溅射综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法。
技术介绍
电子束蒸发沉积技术、离子束辅助沉积技术，以及离子束溅射沉积技术是目前广泛使用的薄膜沉积技术。电子束蒸发沉积技术因易获得高的激光损伤阈值，且易扩展用于制备大尺寸薄膜元件，被广泛应用于激光薄膜元件的制备，例如美国国家点火装置，及我国神光系列装置中使用的传输反射镜等大尺寸激光薄膜元件均采用电子束蒸发沉积技术制备而成。离子束辅助沉积技术因具有调谐膜层堆积密度、光学性质、力学性质等功能，也逐渐在激光薄膜等高端薄膜的制备中得到越来越广泛的应用。离子束溅射沉积技术具有高致密性、高稳定性等特点，被广泛应用于空间环境用薄膜元件的制备。在某些应用中，需综合利用电子束沉积、离子束辅助沉积和离子束溅射沉积的优势，在同一个镀膜元件上实现两种，甚至两种以上的薄膜沉积。目前，对于这类镀膜需求，采用的办法是在一台镀膜设备先完成其中一部分膜层，再到另外一台或两台镀膜设备上完成其余部分的膜层。这种方法会一方面因在多次装片、取片和多次抽真空过程中，大大增加了元件内部引起缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子束蒸发、离子束辅助与离子束溅射综合沉积镀膜设备，包括一台镀膜机，其特征是在同一个真空腔体(1)内设置左电子枪坩埚(2)、右电子枪坩埚(3)、离子辅源(4)、离子主源(5)、溅射靶材(6)和夹具盘(7)，所述的左电子枪(2)和右电子枪(3)分别位于真空腔体(1)底部的左前部分和右前部分，所述的离子辅源(4)位于真空腔体(1)底部的中后方，所述的离子主源(5)和溅射靶材(6)分别位于真空腔体(1)的右侧和左侧，所述的夹具盘(7)置于真空腔体(1)的上部。

【技术特征摘要】
1.一种电子束蒸发、离子束辅助与离子束溅射综合沉积镀膜设备，包括一台镀膜机，其特征是在同一个真空腔体(1)内设置左电子枪坩埚(2)、右电子枪坩埚(3)、离子辅源(4)、离子主源(5)、溅射靶材(6)和夹具盘(7)，所述的左电子枪(2)和右电子枪(3)分别位于真空腔体(1)底部的左前部分和右前部分，所述的离子辅源(4)位于真空腔体(1)底部的中后方，所述的离子主源(5)和溅射靶材(6)分别位于真空腔体(1)的右侧和左侧，所述的夹具盘(7)置于真空腔体(1)的上部。2.利用权利要求1所述的综合沉积镀膜设备进行综合镀膜的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：1)将待镀膜基片置于所述的夹具盘(7)上；2)添加膜料：左电子枪(2)和右电子枪(3)分别置入高折射率镀膜材料、低折射率镀膜材料，将选定的溅射靶材置于溅射靶材架(6)上；3)向控制镀膜设备的计算机输入镀膜参数：包括电子束蒸镀时，高折射率膜料的沉积速率υHE、电子束蒸镀时低折射率膜料的沉积速率υLE、离子辅助沉积高折射率材料时的偏压VHA及离子辅助沉积时高折射率材料的沉积速率υHA、离子辅助沉积低折射率材料时的偏压VLA及离子辅助沉积时低折射率材料的沉积速率υLA、离子束溅射时的沉积速率υS、离子主源偏压VS及离子源辅源偏压VSA、监控波长λ和所需镀制的膜系；4)镀膜设备抽真空，当真空度优于9×10-4Pa时，根...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱美萍，曾婷婷，邵建达，易葵，孙建，李静平，王建国，张伟丽，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31