一种一体式石英谐振压力传感器结构制造技术

本发明专利技术公开了一种一体式石英谐振压力传感器结构，涉及传感器领域，尤其涉及一种一体式石英谐振压力传感器结构，用于解决现有现有技术下石英谐振压力传感器敏感元件和结构之间采用粘贴方式带来的易老化、难定位、存在温度漂移的问题，本发明专利技术包括敏感元件和传感器主体，所述敏感元件全部由石英构成，包括元件本体，谐振晶片和第一通孔，所述元件本体为长方体结构，所述元件本体的正面中心开设有第一通孔，所述第一通孔中心设有与元件本体相连的谐振晶片，本发明专利技术具有寿命长、温漂可控、灵敏度高和线性度好的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种一体式石英谐振压力传感器结构
本专利技术涉及传感器领域，尤其涉及一种一体式石英谐振压力传感器结构。
技术介绍
目前市面上的压力传感器不外乎压阻式，压电式或者谐振式；压阻式压力传感器的敏感单元是压敏电阻，其特点为当外界压力作用于压敏电阻上引起阻值发生改变，通过测定输出电压值的变化换算出外部压力的大小。该类传感器的缺点是温漂严重，且长时间使用易产生蠕变效应，故应用精度要求低静态力的测试。压电式传感器采用压电石英或陶瓷材料，该类传感器的最大特点压电系数高，Q值高故测试精度高；但是是能测试动态力。最近几年谐振式压力传感器越来越受到关注，采用压电谐振元器件制作而成，同谐振元器件的频率变化感知外界力的大小，其特点直接数字频率信号输出，且精度较上述两种高，另外该类传感器既能测试静态的力同时还可以测试动态的力；在较高精度力测试情况下备受关注。在制作上述传感器时面临最大的问题是，敏感元件与结构之间的安装问题。过往的做法是通过粘贴的方式将二者连接在一起，这样的做法会存在以下几点问题：1、胶点的连接会导致传感器长期稳定性。由于胶会随着外界的温度的影响已经长期老化必将导致敏感元件与结构间的粘合力出现问题。2、胶点的连接无法控制敏感器件与结构之间的粘合力，其结果每个器件中敏感器件的预应力大小不一致，必将导致最终产品的一致性非常差无法批量生产。3、点胶过程中很难保证敏感器件与结构之间的定位关系。4、由于胶点，结构和敏感元器件三者之间的材料不同，其热膨胀系数也不同，当外界温度发生变化时，其传感器的温度漂移无法控制。瑞士奇士乐也提出一体式结构，但是结构中仍然存在晶片与金属结构的连接，因此无法避免两种材料不同温度膨胀系数导致传感器的温飘问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:为了解决上述问题，本专利技术提供一种一体式石英谐振压力传感器结构，采用全石英结构的构型，谐振晶片的切型与结构框架一致，整个结构是一体式，不存在胶点连接，具有易批量生产，结构定位准确，不存在温飘问题的优点。本专利技术采用的技术方案如下：一种一体式石英谐振压力传感器结构，包括敏感元件和传感器主体，所述传感器主体包括基座、引线、底板和外接线，所述底板上设有放大电路，所述敏感元件固定于基座中，所述敏感元件和放大电路通过引线电连接，所述外接线与放大电路电连接，所述敏感元件全部由石英构成，包括元件本体，谐振晶片和第一通孔，所述元件本体为长方体结构，所述元件本体的正面中心开设有第一通孔，所述第一通孔中心设有与元件本体一体式相连的谐振晶片。进一步地，所述元件本体的结构尺寸中，长度宽度和高度相等，均为40mm～42mm。进一步地，所述第一通孔呈圆柱形贯穿于元件本体的正面中心，所述第一通孔的内径为9mm～11mm。进一步地，所述谐振晶片厚度为0.200mm～0.210mm，包括受力片和连接片，所述受力片对称的两端延伸出两片连接片，所述连接片与第一通孔内壁无缝连接。进一步地，所述连接片最大宽度小于受力片直径。进一步地，所述元件本体侧面中心开设第二通孔，所述第二通孔呈圆柱形贯穿于元件本体的侧面中心，所述第一通孔的几何中心和第二通孔的几何中心重合。进一步地，所述放大电路包括电阻Rb1、电阻Rb2、电阻Rc1、电阻Rc2、电容C1、可变电容C2、三极管T1和三极管T2，敏感元件的一端依次与可变电容C2和电阻Rc2串联后接输出端子Ec，敏感元件的另一端分别与电阻Rb1的一端和三极管T1的基极相连，所述电阻Rb1的另一端依次与电容C1电阻Rb2串联后接输出端子V0，所述三极管T1的发射极与三极管T2的发射极均接地，三极管T1的集电极与电阻Rc1串联后接输出端子EC，所述三极管T2的基极和集电极并联在电阻Rb2的两端。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：1.本专利技术采用一体式结构，不存在胶点粘贴，也就不存在粘贴点长期老化的问题，寿命更长。2.本专利技术的一体式结构使得元件主体和谐振晶片之间的力的传导可控，每个敏感元件中的预应力大小一致，产品的一致性好，有利于批量生产。3.本专利技术谐振晶片和元件主体为一体式结构，在生产过程中不存在定位问题，可以提高生产效率。4.本专利技术谐振晶片与元件主体全部采用同样切型的石英晶体，具有相同的膨胀系数，在外界温度发生变化时，其传感器的温度漂移可控。5.本专利技术对元件主体进行了打孔的改进，使得谐振晶片受力最大化，提高了晶片受力均匀性，结构线性度较好，线性拟合误差在7％左右，从而提高了传感器的灵敏度。附图说明本专利技术将通过例子并参照附图的方式说明，在附图中：图1是本专利技术整体结构示意图；图2是本专利技术放大电路原理图；图3是本专利技术实施例1敏感元件结构示意图；图4是本专利技术实施例1敏感元件受力分析图；图5是本专利技术实施例1敏感元件FEM仿真图；图6是本专利技术实施例2敏感元件结构示意图；图7是本专利技术实施例2敏感元件受力分析图；图8是本专利技术实施例2敏感元件FEM仿真图。附图说明：1、敏感元件；1-1、元件本体；1-2、谐振晶片；1-2-1、受力片；1-2-2、连接片；1-3、第一通孔；1-4、第二通孔；2、传感器主体；3、基座；4、引线；5、底板；6、外接线；7、放大电路。为了本
的人员更好的理解专利技术，下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细说明。实施例1：如图1和图3所示，一种一体式石英谐振压力传感器结构，包括敏感元件1和传感器主体2，所述传感器主体2包括基座3、引线4、底板5和外接线6，所述底板5上设有放大电路7，所述敏感元件1固定于基座3中，所述敏感元件1和放大电路7通过引线4电连接，所述外接线6与放大电路7电连接，其特征在于，所述敏感元件1全部由石英构成，包括元件本体1-1，谐振晶片1-2和第一通孔1-3，所述元件本体1-1为长方体结构，所述元件本体1-1的正面中心开设有第一通孔1-3，所述第一通孔1-3中心设有与元件本体1-1相连的谐振晶片1-2。作为一种优选的实施方式，所述元件本体1-1的结构尺寸中，长度、宽度和高度相等，均为41mm。作为一种优选的实施方式，所述第一通孔1-3呈圆柱形贯穿于元件本体1-1的正面中心，所述第一通孔的内径为10mm。作为一种优选的实施方式，所述谐振晶片1-2的厚度为0.208mm，包括受力片1-2-1和连接片1-2-2，所述受力片1-2-1对称的两端延伸出两片连接片1-2-2，所述连接片1-2-2与第一通孔1-3的内壁无缝连接。作为一种优选的实施方式，所述连接片1-2-2最大宽度小于受力片1-2-1直径。如图2所示，作为一种优选的实施方式，所述放大电路7包括电阻Rb1、电阻Rb2、电阻Rc1、电阻Rc2、电容C1、可变电容C2、三极管T1和三极管T2，敏感元件的一端依次与可变电容C2和电阻Rc2串联后接输出端子Ec，敏感元件的另一端分别与电阻Rb1的一端和三极管T1的基极相连，所述电阻Rb1的另一端依次与电容C1电阻Rb2串联后接输出端子V0，所述三极管T1的发射极与三极管T2的发射极均接地，三极管T1的集电极与电阻Rc1串联后接输出端子EC，所述三极管T2的基极和集电极并联在电阻Rb2的两端。当整个结构的上表面受力后变形，将力传导到中间的谐振晶片上，导致谐振晶片变形，选取中间谐振晶片上节点测试当表面施加外力后该节点上对应传递的应力值大小，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一体式石英谐振压力传感器结构，包括敏感元件(1)和传感器主体(2)，所述传感器主体(2)包括基座(3)、引线(4)、底板(5)和外接线(6)，所述底板(5)上设有放大电路(7)，所述敏感元件(1)固定于基座(3)中，所述敏感元件(1)和放大电路(7)通过引线(4)电连接，所述外接线(6)与放大电路(7)电连接，其特征在于，所述敏感元件(1)全部由石英构成，包括元件本体(1‑1)，谐振晶片(1‑2)和第一通孔(1‑3)，所述元件本体(1‑1)为长方体结构，所述元件本体(1‑1)的正面中心开设有第一通孔(1‑3)，所述第一通孔(1‑3)中心设有与元件本体(1‑1)一体式相连的谐振晶片(1‑2)。

【技术特征摘要】
1.一种一体式石英谐振压力传感器结构，包括敏感元件(1)和传感器主体(2)，所述传感器主体(2)包括基座(3)、引线(4)、底板(5)和外接线(6)，所述底板(5)上设有放大电路(7)，所述敏感元件(1)固定于基座(3)中，所述敏感元件(1)和放大电路(7)通过引线(4)电连接，所述外接线(6)与放大电路(7)电连接，其特征在于，所述敏感元件(1)全部由石英构成，包括元件本体(1-1)，谐振晶片(1-2)和第一通孔(1-3)，所述元件本体(1-1)为长方体结构，所述元件本体(1-1)的正面中心开设有第一通孔(1-3)，所述第一通孔(1-3)中心设有与元件本体(1-1)一体式相连的谐振晶片(1-2)。2.根据权利要求1所述的一种一体式石英谐振压力传感器结构，其特征在于：所述元件本体(1-1)的结构尺寸中，长度、宽度和高度相等，均为40mm～42mm。3.根据权利要求1所述的一种一体式石英谐振压力传感器结构，其特征在于：所述第一通孔(1-3)呈圆柱形贯穿于元件本体(1-1)的正面中心，所述第一通孔(1-3)的内径为9mm～11mm。4.根据权利要求1所述的一种一体式石英谐振压力传感器结构，其特征在于：所述谐振晶片(1-2)厚度为0.200mm～0.210mm，包括受力片(1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑利，李辉，
申请(专利权)人：成都奥森泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51