【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅拉晶用装置
本技术属于单晶硅生产
，尤其是涉及一种单晶硅拉晶用装置。
技术介绍
在单晶硅制备的直拉工艺中，晶体生长过程中需要氩气作为保护气体，源源不断的充入氩气能够带走挥发物和降低单晶温度，受钢铁行业影响，现氩气价格较16年翻了5倍，还有继续增长趋势，大大增大了拉晶成本。
技术实现思路
有鉴于此，本技术旨在提出一种单晶硅拉晶用装置及方法，以降低现有单晶硅生产成本。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种单晶硅拉晶用装置，包括炉体、氮气气源和氩气气源，所述氮气气源通过第一管道和炉体连通，所述氩气气源通过第二管道和炉体连通，所述第一管道和第二管道分别设有质量流量计。进一步的，所述炉体通过两进一出三通阀和第一管道及第二管道连通。相对于现有技术，本技术所述的一种单晶硅拉晶用装置具有以下优势：本技术所述的一种单晶硅拉晶用装置中，炉体连接有氮气气源和氩气气源，在拉晶过程中通过氩气---氮气转换满足拉晶需求，由于氮气价格低是氩气1/5，因此能够降低气体成本；同时，由于掺氮硅单晶的位错激活能比常规单晶的要高，塑性变形能通过位错滑移释放较常规单晶快，因此掺氮单晶能够提高硅片机械强度提高硅片机械强度；其次，掺氮促进氧沉淀、减少空洞型缺陷区域；另外，通过该装置方法得到的晶体硅，减小了电池光衰。附图说明构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术实施例所述的一种单晶硅拉晶用装置结构示意图；附图标记说明：1-氮气气源；2-氩气气源；3-质量流量计；4-两进一出三...
【技术保护点】
1.一种单晶硅拉晶用装置，其特征在于：包括炉体(5)、氮气气源(1)和氩气气源(2)，所述氮气气源(1)通过第一管道(6)和炉体(5)连通，所述氩气气源(2)通过第二管道(7)和炉体(5)连通，所述第一管道(6)和第二管道(7)分别设有质量流量计(3)。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅拉晶用装置，其特征在于：包括炉体(5)、氮气气源(1)和氩气气源(2)，所述氮气气源(1)通过第一管道(6)和炉体(5)连通，所述氩气气源(2)通过第二管道(7)和炉体(5)连...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘学，尚伟泽，武志军，刘伟，张文霞，张全顺，王岩，李建弘，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古,15
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