发射设备和电子装置制造方法及图纸

本公开涉及发射设备和电子装置，例如，发射设备包括发射级(TX)，该发射级旨在于天线(ANT)的输入输出节点(I/O)上传递发射信号并且包括功率晶体管(M1)，该功率晶体管连接至所述输入输出节点(I/O)并且被配置成用于放大待发射信号。该设备包括接收级(RX)，该接收级旨在于该输入输出节点(I/O)上对接收信号进行接收并且包括用于衰减该接收信号的装置(ATN)。该衰减装置(ATN)包括该功率晶体管(M1)以及能够将该功率晶体管(M1)置于三极管模式的控制装置(MCOM)。

【技术实现步骤摘要】
发射设备和电子装置
实施例和实施方式涉及对信号(特别是射频信号)的发射，并且具体地涉及发射设备和电子装置。
技术介绍
图1表示了示例性射频发射设备DIS0。设备DIS0被结合到集成电路中并且以惯用方式包括天线ANT，该天线通过变压器TR联接到输入输出节点I/O上的接收级RX和发射级TX。发射级TX包括旨在放大发射信号(尤其是通过功率晶体管M1)的功率放大器PA。接收级RX就其本身而言包括低噪声放大器LNA，在该低噪声放大器的输出端处，混频器使用由本地振荡器LO生成的信号来执行频率变换。发射级TX和接收级RX被分别自然地实施，在接收级RX进行操作时，发射级TX被去激活，并且反之亦然。此外，在此示例中，接收级包括衰减器电路ATNR，该衰减器电路使得有可能衰减在天线ANT上接收的接收信号，以便减小由天线收取的信号的电平，从而将这些信号减小到接收级RX的适当动态范围内的可测量值。通常，衰减器由结合到位于变压器TR与低噪声放大器LNA之间的输入输出节点I/O上的接收级RX中的电路形成。例如，衰减器ATNR由具有各种值的并联电阻器R1、R2、R3的网络产生，这些电阻器同在接地端子与该输入输出节点I/O之间的对应开关SW1、SW2、SW3接线串联。这种衰减器使得有可能根据设备的需要和接收信号的高度按照可调整增益来实现对接收信号的衰减。这种标准设计引入了较大的寄生电容(尤其是由于开关SW1、SW2、SW3)，这些寄生电容影响对变压器TR的调整并且可能造成接收信号的畸变。此外，具有退化增益的低噪声放大器使得有可能另外衰减接收信号，但是其差分设计将噪声引入到接收链中，特别是在低能量操作中。期望的是在共模操作中补救这些缺陷，尤其是在Wifi或者低能耗蓝牙型“BLE”(表示“蓝牙低能(BluetoothLowEnergy)”的首字母缩略词)的射频发射框架内。
技术实现思路
就这一点而言，根据实施例提出了一种共模射频发射设备，其中，有利的是，在接收期间还使用了发射级的功率晶体管(假借调电阻器的名义)。在不经受上述设计的约束的情况下，以三极管模式(或者线性模式)对功率晶体管进行调节以便根据可调增益来衰减接收信号。根据一方面，提出了一种方法，所述方法包括：信号接收阶段，该信号接收阶段包括对所接收信号进行衰减；以及信号发射阶段，该信号发射阶段包括在发射之前由功率晶体管放大待发射信号，该衰减包括将该功率晶体管(M1)置于三极管模式，在该三极管模式中，该功率晶体管具有电阻值。通过“处于三极管模式的晶体管”意指线性状态下的晶体管，也就是说，对于给定的栅极电压并且在饱和之前，在晶体管的导电端子中流动的电流根据被称为电阻值的值而与这些端子之间出现的电压基本上成比例。处于三极管模式的晶体管的电阻值取决于向其施加的栅极电压。因此，在根据这个方面的方法中，有利的是，益处尤其源自已存在于集成电路中且在对接收信号进行接收期间未使用的电子部件。具体地，根据这个方面对接收信号进行衰减使得有可能避免由惯用设计的衰减器所实现的衰减的寄生电容问题。此外，分别自然地进行信号发射和信号接收，这个方面使得有可能对例如射频发射设备型设备的部件的使用进行优化。根据一种实施方式，将该功率晶体管(M1)置于该三极管模式包括在该功率晶体管的栅极上传递控制电压，该控制电压是在基准晶体管的导电端子两端的基准电压与模型电阻电路的端子两端的模型电压之间进行比较的基础上获得的。这种实施方式尤其使得有可能补偿晶体管的特性(或者参数)的变化，比如，由于温度变化而造成的随机变化或者由制造方法的随机意外事件引起的系统变化。确实，因为可以有利地与功率晶体管同时制造基准晶体管，所以它们将经历它们的特性的相同变化(随机的和系统的)，并且因此这种实施方式使得有可能施加其作用不受这些变化影响的控制电压。根据一种实施方式，传递该控制电压包括：调整该模型电压；以期望电阻值来将该控制电压的值调整为将该功率晶体管置于三极管模式的值。这种实施方式尤其使得有可能调整衰减增益，例如在0dB与-18dB之间。根据另一方面，提出了一种发射设备，所述发射设备包括：发射级，该发射级旨在于天线的输入输出节点上传递发射信号并且包括功率晶体管，该功率晶体管连接至该输入输出节点并被配置成用于放大待发射信号；接收级，该接收级旨在于该输入输出节点上对接收信号进行接收并且包括用于衰减该接收信号的装置，其中，该衰减装置包括该功率晶体管以及能够将该功率晶体管置于三极管模式的控制装置，在该三极管模式中，该功率晶体管具有一定电阻值。根据这个方面的射频发射设备有利地利用已存在于结合了该设备的集成电路中并且在接收期间未被使用的电子部件。具体地，所提出的设备使得有可能避免由惯用设计的衰减器所实施的衰减的寄生电容问题。此外，分别自然地进行信号发射和信号接收，所提出的设备使得有可能对存在于结合了所提出的设备的集成电路中的部件的使用进行优化。该功率晶体管的导电端子例如分别耦合至输入输出节点以及旨在接收参考电压的端子。根据一个实施例，该控制装置包括模型电阻电路、一组至少一个基准晶体管、差分放大器，该模型电阻电路耦合在该差分放大器的第一输入端与该旨在接收参考电压的端子之间，该一组基准晶体管耦合在该差分放大器的第二输入端与旨在接收参考电压的该端子之间，并且该差分放大器的输出端耦合至该组的该至少一个基准晶体管的栅极并且耦合至该功率晶体管的栅极。有利地，该组的该至少一个基准晶体管与该功率晶体管配对，也就是说，具有与功率晶体管的特性相同的特性(在大小因数内)。这种配置尤其使得有可能补偿晶体管的参数的变化，比如由于温度变化而造成的随机变化或者由制造方法的随机意外事件引起的系统变化。根据一个实施例，该差分放大器包括电流生成级，该电流生成级被配置成用于使第一电流在该模型电阻电路中流动并且使第二电流在该组的该至少一个基准晶体管中流动，该差分放大器被配置成使得该第一电流与该第二电流之差产生该控制电压的变化。因此，通过经过电阻电路的第一电流而生成模型电压，并且通过经过处于三极管模式的基准晶体管(也即，电阻元件)的第二电流而生成基准电压。此实施例使得有可能将用于实施差分放大的电流(假借第二电流的名义)经过基准晶体管。这展现了基本上节约的能耗优势。根据一个实施例，该控制装置包括指令装置，该指令装置被配置成用于生成至少一个数字控制信号，该至少一个数字控制信号使得有可能以期望电阻值来将该控制电压调整为将该功率晶体管置于三极管模式的值。这尤其使得有可能调整衰减增益，例如，在0dB与-18dB之间。根据一个实施例，该一组至少一个基准晶体管包括通过由第一控制信号可控制的至少一个第一开关而并联联接的若干晶体管。这使得有可能通过修改功率晶体管与基准晶体管之间的大小因数来调整处于三极管模式的功率晶体管的电阻值。根据一个实施例，该模型电阻电路包括串联安装的若干电阻器、以及第二开关，这些第二开关由对应的第二控制信号可控制并且连接在旨在接收参考电压的端子与位于这些串联的电阻器之间的对应节点之间。换句话说，模型电阻电路可以是分压器桥式安排，该分压器桥安排使得有可能修改电阻电路的等效电阻，从而调整功率晶体管的电阻值。根据一个实施例，该电流生成级被配置成用于使该第一电流和该第二电流根据第三控制信号按照本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发射设备，其特征在于，包括：发射级(TX)，所述发射级旨在于天线(ANT)的输入输出节点(I/O)上传递发射信号并且包括功率晶体管(M1)，所述功率晶体管连接至所述输入输出节点(I/O)并且被配置成用于放大待发射信号；接收级(RX)，所述接收级旨在于所述输入输出节点(I/O)上对接收信号进行接收并且包括用于衰减所述接收信号的装置(ATN)，其中，所述衰减装置(ATN)包括所述功率晶体管(M1)以及能够将所述功率晶体管(M1)置于三极管模式的控制装置(MCOM)。

【技术特征摘要】
2016.11.29 FR 16616311.一种发射设备，其特征在于，包括：发射级(TX)，所述发射级旨在于天线(ANT)的输入输出节点(I/O)上传递发射信号并且包括功率晶体管(M1)，所述功率晶体管连接至所述输入输出节点(I/O)并且被配置成用于放大待发射信号；接收级(RX)，所述接收级旨在于所述输入输出节点(I/O)上对接收信号进行接收并且包括用于衰减所述接收信号的装置(ATN)，其中，所述衰减装置(ATN)包括所述功率晶体管(M1)以及能够将所述功率晶体管(M1)置于三极管模式的控制装置(MCOM)。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述功率晶体管(M1)的导电端子分别耦合至所述输入输出节点(I/O)以及旨在接收参考电压(GND)的端子。3.根据权利要求1或2中任一项所述的设备，其特征在于，所述控制装置(MCOM)包括模型电阻电路、一组至少一个基准晶体管(M2，M2’)、差分放大器(AMP)，所述模型电阻电路耦合在所述差分放大器(AMP)的第一输入端与旨在接收参考电压(GND)的端子之间，所述一组基准晶体管(M2，M2’)耦合在所述差分放大器(AMP)的第二输入端与所述旨在接收参考电压(GND)的端子之间，所述差分放大器(AMP)的输出端耦合至所述组(M2，M2’)的所述至少一个基准晶体管的栅极并且耦合至所述功率晶体管(M1)的栅极。4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述组(M2，M2’)的所述至少一个基准晶体管与所述功率晶体管(M1)配对。5.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述差分放大器(AMP)包括电流生成级(GEN)，所述电流生成级被配置成用于使第一电流(I1)在所述模型电阻电路中流动并且使第二电流(I2)在所述组(...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·艾劳德，S·拉梅特，S·庞塔罗洛，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：新型
国别省市：法国,FR