一种高导电聚3,4-乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法，属于超级电容器用电极材料制备技术领域。其是将刚果红和表面活性剂溶解在水中，制得刚果红和表面活性剂的混合溶液，然后向混合溶液中滴加有机酸以调节其pH值，再将3,4‑乙撑二氧噻吩和氧化剂依次滴加到所得混合溶液中，经化学氧化聚合得到聚3,4‑乙撑二氧噻吩粗品，再采用硫酸溶液进行浸泡后过滤、洗涤、干燥，得到所述聚3,4‑乙撑二氧噻吩多孔电极材料。本发明专利技术制备的电极材料不仅具有明显的多孔结构，且其电导率大、比电容高、具有优异的循环稳定性，同时制备该电极材料的原材料易得、价格低廉、制备过程绿色环保、产率高，具有显著的经济价值与社会效益。

Preparation of a highly conductive poly 3,4- ethylene two oxygen thiophene porous electrode material

The invention discloses a preparation method of high conductive poly (3,4) polyethylene glycol two oxygen thiophene porous electrode material, which belongs to the technical field of electrode material preparation for super capacitor. It is to dissolve Congo red and surfactants in water to produce a mixed solution of Congo red and surfactant, and then add organic acids to the mixed solution to adjust the pH value. Then, the 3,4 thiophene and the oxidant are added to the mixed solution in turn, and the 3,4 polyethylene glycol two oxygen thiophene is obtained by chemical oxidation polymerization. The crude product was then soaked in sulfuric acid, filtered, washed and dried to obtain the poly 3,4, two ethylenedioxy thiophene porous electrode material. The electrode materials prepared by the invention not only have obvious porous structure, but also have high conductivity, high specific capacitance and excellent cyclic stability. At the same time, the raw materials for preparing the electrode material are easy to get, low price, green environmental protection and high yield in preparation process, and have remarkable economic and social benefits.

【技术实现步骤摘要】
一种高导电聚3,4-乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法
本专利技术属于超级电容器用电极材料制备
，具体涉及一种高导电聚3,4-乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法。
技术介绍
聚3,4-乙撑二氧噻吩由于具有特殊、规整有序的平面化分子结构以及稳定的导电状态，在超级电容器的电极材料方面具有广泛的应用前景。但是，高的相对分子质量使其理论比容量只能达到210F/g，同时未掺杂的聚3,4-乙撑二氧噻吩的导电率也较低，这些都限制了它在电极材料方面的应用。崔琛琛（崔琛琛,王茗.“导电聚合物PEDOT的制备及导电性能”.合肥工业大学学报(自然科学版),2012,35(11):1541-1545）为了提高聚3,4-乙撑二氧噻吩的电导率，以过硫酸铵为氧化剂，多种质子酸为掺杂剂，利用化学氧化聚合法合成了球形颗粒状聚3,4-乙撑二氧噻吩，研究发现，经盐酸、冰醋酸及樟脑磺酸掺杂后能显著提高它的电导率，其中樟脑磺酸掺杂后的电导率可以达到0.293S/cm，比未掺杂聚3,4-乙撑二氧噻吩的电导率提高了1个数量级。专利技术专利CN102558771A中以水作为溶剂，有机酸作为掺杂剂，制得聚3,4-乙撑二氧噻吩电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法，其特征在于：以刚果红和有机酸作为掺杂剂，在表面活性剂的作用下，在水相中通过化学氧化聚合反应制备聚3,4‑乙撑二氧噻吩粗品，再采用硫酸溶液进行后处理，得到所述聚3,4‑乙撑二氧噻吩多孔电极材料。

【技术特征摘要】
1.一种高导电聚3,4-乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法，其特征在于：以刚果红和有机酸作为掺杂剂，在表面活性剂的作用下，在水相中通过化学氧化聚合反应制备聚3,4-乙撑二氧噻吩粗品，再采用硫酸溶液进行后处理，得到所述聚3,4-乙撑二氧噻吩多孔电极材料。2.根据权利要求1所述的高导电聚3,4-乙撑二氧噻吩多孔电极材料的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：（1）将0.1~0.5g刚果红和0.5~3mmol表面活性剂加入到100mL去离子水中，50℃下搅拌20~40min，制得刚果红和表面活性剂的混合溶液，然后向该混合溶液中滴加有机酸，至混合溶液的pH值为1~3；（2）将0.2~4g3,4-乙撑二氧噻吩和1~80mL1mol/L的氧化剂过硫酸铵水溶液依次滴加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝铭，百梦弟，王肖利，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35