The invention discloses a SPICE local mismatch model for MOS devices, where the existing SPICE local mismatch model equation increases the temperature effect coefficient at a certain parameter. The temperature effect coefficient tcoef is calculated by the following calculation.
【技术实现步骤摘要】
MOS器件SPICE局域失配模型
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种MOS器件SPICE局域失配模型。
技术介绍
根据经典文献，MOS器件的失配是某些制造工艺流程中导致相同MOS器件物理量不随时间改变的随机涨落的现象。特定工艺下器件失配程度决定了电路的最终设计精度和成品率。电路设计者需要精确的MOSFET失配模型来约束电路优化设计，版图设计者需要相应的设计规则来减小芯片失配。尤其是在CMOS工艺器件尺寸进入深亚微米范围后，器件失配随着尺寸的减小而愈发严重，制约了射频/模拟集成电路的性能。当然，数字电路也不是完全不考虑器件失配的影响，在大规模存储器的设计中，必须考虑晶体管失配对子存储单元时钟信号的影响。局域失配和全局失配：局域失配可以简单理解为局部区域内器件之间的参数失配；而全局失配是整个硅片上的参数变化(如温度，掺杂浓度)而引起的失配。局域失配由两部分引起：器件在版图上的尺寸。器件的面积越大，就越会有好的匹配效果。这被称为“面积定律”。器件在版图上的距离。器件在版图上靠的越近，匹配效果也越好。这被称为“间距定律”。P是器件的某个电学参数，σP是P的失配ΔP的...
【技术保护点】
1.一种MOS器件SPICE局域失配模型,其特征在于：在某一参数的现有SPICE局域失配模型方程增加温度效应系数。
【技术特征摘要】
1.一种MOS器件SPICE局域失配模型,其特征在于：在某一参数的现有SPICE局域失配模型方程增加温度效应系数。2.如权利要求1所述的MOS器件SPICE局域失配模型,其特征在于：当模型中设定的仿真温度为25摄氏度时，该温度效应系数不起作用，当模型中设定的仿真温度为非25摄氏度时，该温度效应系数起作用。3.如权利要求2所述的MOS器件SPICE局域失配模型,其特征在于：温度效应系数tcoef采用下述公式(1)计算；其中，temper是模型中设定的仿真温度，ad是拟合系数。4.如权利要求3所述的MOS器件SPICE局域失配模型,其特征在于：电压失配局域失配模型lcal_vth0_d_n采用下述公式(2)计算；lcal_vth0_d_n＝tcoef×(va×gl_1n)×geo_fac×mos_local_flag公式(2)geo_fac是尺...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾经纶，彭兴伟，王伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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