一种半片电池片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半片电池片，包括半片硅片、印刷在所述的半片硅片上且相互平行设置的多条主栅，所述的半片硅片的一侧面为硅片经切割形成的切割面，所述的半片硅片包括由所述的主栅分隔形成的多个单元，每个所述单元的切割面包括第一面、一端与所述的第一面相连接的第二面，相邻两个所述单元的第二面之间形成空隙。本实用新型专利技术通过在半片电池片上形成空隙，从而使焊接热区域与激光划片区域巧妙地避开，减少激光熔融区域微隐裂的扩大，从而降低隐裂比例，保证组件的户外可靠性，另外，本实用新型专利技术与现有的常规组件技术以及产线的结合性好，无需对产线进行大的改动，成本较低。

A half piece of battery chip

The utility model relates to a half slice cell sheet, including a half slice silicon chip, a plurality of main gratings printed on the half slice silicon chip and parallel to each other. One side of the half slice silicon wafer is a cutting surface formed by a silicon slice through cutting, and the half slice silicon chip includes a plurality of units separated by the main gate, each of which is described. The cutting surface of the unit comprises the first surface and the second sides connected with the first face at one end, and a gap between the second faces of the two adjacent units. By forming a gap on the half piece of the battery sheet, the utility model makes the welding hot zone and the laser cutting area skilfully avoided, reducing the expansion of the micro hidden crack in the laser melting region, reducing the proportion of the hidden cracks and ensuring the outdoor reliability of the components. In addition, the utility model is connected with the existing conventional component technology and the production line. Good compatibility, no need to make large alterations to the production line and low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种半片电池片
本技术涉及一种半片电池片。
技术介绍
高功率、低成本晶体硅太阳组件是光伏行业发展的主流方向，近年来随着技术的发展和进步，晶硅组件功率一直在快速提升，从2009年初到现在，行业里60片多晶组件的主流功率从220W提升到265W，60片单晶组件的主流功率从230W提升到275W，根据组件功率增长趋势可以判断，2016、2017年多晶组件主流功率将达到270-280W才能满足组件功率需求。同时，2015年1月8日发改委等八部门发布的《能效“领跑者”制度实施方案》而领跑者计划对多晶组件的转换效率也提出了更高的要求。可见组件转换效率的提升已迫在眉睫。目前提升组件功率普遍采用高效电池、镀膜玻璃、高透EVA和增厚焊带等方式实现。但是，常规电池片效率受到技术本身制约效率提升空间有限，PERC、黑硅等高效电池技术开发的固定资产投入较大；通过封装材料的改善（如镀膜玻璃、高透EVA）虽然能减少组件光学损失，提升组件转换效率，但对于组件发电量的持续提升以及组件性能的长期稳定尚存在较多不确定因素，如：镀膜玻璃表面的薄膜在长期风沙的环境下透光率会受到一定影响，高透EVA的抗紫外性能等尚需要在电站实际使用过程进一步证实。所以开发一套低成本、高输出功率的晶硅太阳能组件技术成为了未来几年光伏组件的研发重点。在晶硅太阳能组件制备过程中，降低电阻消耗（减少电学损失）是提升晶硅组件转换效率，降低封装损失的有效途径。在组件封装时，通过改变电池串结构方式既可实现组件内部电阻大幅度降低，进而实现组件封装损失的降低和转换效率的提升。目前该技术（半片电池技术half-cell）国内外研究机构及一线企业也已经开始进行尝试，但受到技术瓶颈的限制，尚没有实现大规模的量产，目前常规的半片电池片的正面如图1所示，其切割面为完整的平面，主栅与切割面相垂直且一端与切割面相连接，但该半片电池片的主栅在焊接过程中容易影响到切割面，而切割面由于是激光划片而成，在剧冷剧热情况下会导致半片电池在组件端出现隐裂碎片。申请公布号为CN106169517A的专利技术专利公开了一种光伏组件及其制备工艺，其太阳能切片由太阳能电池片沿平行于主栅线方向切割形成，同时公开了其制备工艺包括对太阳能电池片进行焊接处理，沿平行于太阳能电池片主栅线方向进行激光划片形成切割道，按照切割道进行裂片；叠层，层压，装边框，装接线盒，测试。该专利虽然减少了碎片，但是，该专利对制备工艺进行了较大的改动，因而与常规组件技术以及产线的结合性较差，需要对产线进行较大改动，增加成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种与常规组件技术以及产线结合性好的半片电池片。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种半片电池片，包括半片硅片、印刷在所述的半片硅片上且相互平行设置的多条主栅，所述的半片硅片的一侧面为硅片经切割形成的切割面，所述的半片硅片包括由所述的主栅分隔形成的多个单元，每个所述单元的切割面包括第一面、一端与所述的第一面相连接的第二面，相邻两个所述单元的第二面之间形成空隙。优选地，所述的第一面为平面。优选地，所述的第一面与所述的主栅相垂直。优选地，所述的第二面为曲面或斜面。进一步优选地，所述的第二面为弧面。优选地，所述的主栅的一端部与所述的第二面的另一端相连接。优选地，所述的空隙呈内小外大的喇叭形。具体地，位于两侧的所述单元的第二面为一个；位于中间的所述单元的第二面为两个，所述的第一面的两端分别与两个所述的第二面的一端相连接。本技术的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的（但不限于）具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：本技术通过在半片电池片上形成空隙，从而使焊接热区域与激光划片区域巧妙地避开，减少激光熔融区域微隐裂的扩大，从而降低隐裂比例，保证组件的户外可靠性，另外，本技术与现有的常规组件技术以及产线的结合性好，无需对产线进行大的改动，成本较低。附图说明附图1为常规的半片电池片的正面外观示意图，其中，1、主栅；2、切割面；附图2为本技术的半片电池片的正面外观示意图，其中：1、主栅；11、单元；21、第一面；22、第二面；3、空隙。具体实施方式如图2所示的一种半片电池片，包括半片硅片、印刷在半片硅片上且相互平行设置的多条主栅1。半片硅片是由硅片经激光划片而成，因而，半片硅片的一侧面为硅片经切割形成的切割面。半片硅片包括由主栅1分隔形成的多个单元11，如附图2中，主栅1有四条，四条主栅1将半片硅片分隔成5个单元11。每个单元11的切割面包括第一面21、一端与第一面21相连接的第二面22，相邻两个单元11的第二面22之间形成空隙3，空隙3呈内小外大的喇叭形。第一面21为平面，且第一面21与主栅1相垂直。第二面22为曲面或斜面，本实施例中，第二面22为弧面。主栅1的一端部与第二面22的另一端相连接，即主栅1的一端部位于空隙3的底部。位于两侧的单元的第二面22为一个；位于中间的单元的第二面22为两个，第一面21的两端分别与两个第二面22的一端相连接，即，位于中间的单元的一个第二面22的一端与第一面21的一端相连接，第一面21的另一端与另一个第二面22的一端相连接。本技术通过减少切割面处主栅1的导热来降低切割面受热程度从而降低隐裂的概率。如上所述，我们完全按照本技术的宗旨进行了说明，但本技术并非局限于上述实施例和实施方法。相关
的从业者可在本技术的技术思想许可的范围内进行不同的变化及实施。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半片电池片，包括半片硅片、印刷在所述的半片硅片上且相互平行设置的多条主栅（1），所述的半片硅片的一侧面为硅片经切割形成的切割面，其特征在于：所述的半片硅片包括由所述的主栅（1）分隔形成的多个单元（11），每个所述单元（11）的切割面包括第一面（21）、一端与所述的第一面（21）相连接的第二面（22），相邻两个所述单元（11）的第二面（22）之间形成空隙（3）。

【技术特征摘要】
1.一种半片电池片，包括半片硅片、印刷在所述的半片硅片上且相互平行设置的多条主栅（1），所述的半片硅片的一侧面为硅片经切割形成的切割面，其特征在于：所述的半片硅片包括由所述的主栅（1）分隔形成的多个单元（11），每个所述单元（11）的切割面包括第一面（21）、一端与所述的第一面（21）相连接的第二面（22），相邻两个所述单元（11）的第二面（22）之间形成空隙（3）。2.根据权利要求1所述的半片电池片，其特征在于：所述的第一面（21）为平面。3.根据权利要求1或2所述的半片电池片，其特征在于：所述的第一面（21）与所述的主栅（1）相垂直。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：张鑫，范维涛，苏杨杨，
申请(专利权)人：维科诚苏州光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32