The utility model discloses a semiconductor lead frame for preventing virtual welding, which includes a first material belt and a second material belt, a connecting bridge, a first metal conducting piece, and a second metal conducting piece. The first material belt and the second material belt are parallel to each other and are arranged by two spacing. The connecting bridge has a plurality of two ends and the first material belt and the second material belt. The first metal conducting piece and the second metal conducting piece are symmetrically connected to both sides of the connecting bridge. The first metal conductive sheet and the second metal conducting sheet have a plate type electrode, both sides of the positive and negative sides of the electrode are both convex welded plates, and the welded plate is formed by embossing to form a concave and convex solder surface. With this structure design, a number of metal conductive pieces can be formed at one time. The production efficiency is improved effectively. And the design of the embossing of the conductive pieces can avoid the distortion of the semiconductor device's bearing pin on the semiconductor package substrate.
【技术实现步骤摘要】
防止虚焊的半导体引线框架
本技术涉及电子元器件领域技术,尤其是指一种防止虚焊的半导体引线框架。
技术介绍
传统的半导体光电芯片,由传统的电极、半导体通过焊料钎焊而成。电极、半导体、焊料的加工均是加工成一个一个的,然后通过人工或模具筛选,组装,封接而成,封接之后仍然需要逐个筛盘进行老炼、清洗、电镀。产品在原材料前处理、加工制造以及半成品后工序处理过程中,均是一个一个的,需要采用模具筛盘进行批量处理,而进入到下一个工序时又需要重复筛盘,需要投入大量的模具治具以及人工,导致产品生产成本较大。随着自动化作业的发展和流行,半导体产品的加工越来越依赖设备完成,因此出现了直接冲压成型在料带上的整排电极,然而在自动化加工中,电极与半导体之间的焊接不够牢固,容易出现脱焊现象,导致产品的优良良下降。
技术实现思路
有鉴于此,本技术针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种防止虚焊的半导体引线框架,其可以一次性成型多个金属导电片,生产效率有效提高,并且各导电片压花设计,可以避免半导体装置承载引脚在半导体封装基板上发生歪斜的现象。为实现上述目的,本技术采用如下之技术方案:一种防止虚焊的半导体引线框架,包括第一料带和第二料带、连接桥、第一金属导电片、第二金属导电片,所述第一料带和第二料带相互平行且二者间距排布,所述连接桥有多条,两端与第一料带、第二料带相接;所述第一金属导电片和第二金属导电片对称式连接在连接桥的两侧,该第一金属导电片和第二金属导电片均具有平板式的电极,该电极的正反两面均凸起焊盘,所述焊盘通过压花形成凹凸不平的焊锡面。作为一种优选方案,所述第一金属导电片与第二金属导电片之间 ...
【技术保护点】
1.一种防止虚焊的半导体引线框架,其特征在于:包括第一料带(10)和第二料带(20)、连接桥(30)、第一金属导电片(40)、第二金属导电片(50),所述第一料带和第二料带相互平行且二者间距排布,所述连接桥有多条,两端与第一料带、第二料带相接;所述第一金属导电片(40)和第二金属导电片(50)对称式连接在连接桥(30)的两侧,该第一金属导电片(40)和第二金属导电片(50)均具有平板式的电极(41),该电极(41)的正反两面均凸起焊盘(42),所述焊盘(42)通过压花形成凹凸不平的焊锡面(43)。
【技术特征摘要】
1.一种防止虚焊的半导体引线框架,其特征在于:包括第一料带(10)和第二料带(20)、连接桥(30)、第一金属导电片(40)、第二金属导电片(50),所述第一料带和第二料带相互平行且二者间距排布,所述连接桥有多条,两端与第一料带、第二料带相接;所述第一金属导电片(40)和第二金属导电片(50)对称式连接在连接桥(30)的两侧,该第一金属导电片(40)和第二金属导电片(50)均具有平板式的电极(41),该电极(41)的正反两面均凸起焊盘(42),所述焊盘(42)通过压花形成凹凸不平的焊锡面(43)。2.根据权利要求1所述的防止虚焊的半导体引线框架,其特征在于:所述第一金属导电片(40)与第二金属导电片(50)之间连接折弯部(60),该折弯部(60)使第一金属导电片(40)与第二金...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋春民,
申请(专利权)人:东莞市康圆电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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