一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，包括射频机构、沉积箱以及透波板，所述进气管连接于进气口上，所述出气管连接于出气口上；所述进气管和出气管之间设置有均流管，所述均流管两侧分别设置有射频机构，所述透波板设置于衬底和射频板之间，且透波板活动连接于均流管靠近射频板一侧。本发明专利技术在进气管和出气管之间设置有均流管，用来引导气流，能够同时进行多组硅片的镀膜工作，并且通过透波板的设置，使得放置在衬底上的硅片与透波板之间的间距可以调节至1‑2mm，使得气流在流动时，仅仅通过硅片与透波板之间的狭窄间距，可以气流可以更加容易进行均匀分布和流动，以达到更好的镀膜效果，十分值得推广。

A PECVD device for controlling the uniform and smooth flow of air flow

The invention discloses a PECVD device which can control the uniform and smooth flow of the air flow, including a radio frequency mechanism, a deposition box and a wave plate. The intake pipe is connected to the intake port, the outlet pipe is connected to the outlet, and the inlet pipe and the outlet pipe are provided with a flow sharing tube, and the two sides of the current pipe are respectively provided with a radio frequency mechanism. The wave transparent plate is arranged between the substrate and the radio frequency plate, and the wave transmitting board is movably connected to the current sharing tube near the side of the radio frequency plate. The present invention provides a uniform flow tube between the intake pipe and the outlet pipe, which is used to guide the air flow, and can simultaneously carry out the plating of a plurality of groups of silicon wafers, and through the setting of a wave plate, the spacing between the silicon chip and the wave plate placed on the substrate can be adjusted to 1 of the 2mm, so that the flow of air is only through silicon and through the flow when the flow is flowing. The narrow spacing between wave plates can make air flow easier to distribute evenly and flow in order to achieve better coating effect. It is worth promoting.

【技术实现步骤摘要】
一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置
本专利技术涉及PECVD镀膜
，具体为一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置。
技术介绍
等离子体化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)技术是利用等离子体放电产生带电粒子、自由基、活性基团等物质在基片表面发生化学反应沉积薄膜的技术。因为等离子体激发了反应气体分子的活性，使沉积薄膜工艺的温度变低，而且沉积速率快，所生长薄膜致密性好，缺陷少，工艺重复性好而被广泛应用。最早应用于半导体芯片加工工业中，用于沉积氧化硅、氮化硅薄膜；近年来液晶平板显示技术及太阳能光伏行业的蓬勃发展，PECVD技术被用于制备薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor,TFT)特别是制备非晶硅、微晶硅薄膜。这些领域的核心装备—PECVD设备的发展经历了由半导体中的小尺寸到现在用于TFT、太阳能光伏薄膜电池的大面积的过程，其等离子体放电方式也经历了高频微波的电子回旋共振放电、电感耦合放电到现在平板式甚高频电容耦合放电的过程，现有主流的PECVD设备通常采用在同一真空腔室中设置多个工艺反应室的结构形式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，包括射频机构、沉积箱(1)以及透波板(9)，沉积箱(1)两端分别开设有进气口(2)和出气口(3)，其特征在于：所述沉积箱(1)内腔中设置有进气管(4)、出气管(5)和加热装置(10)，所述进气管(4)连接于进气口(2)上，所述出气管(5)连接于出气口(3)上；所述进气管(4)和出气管(5)之间设置有均流管(8)，所述均流管(8)两侧分别设置有射频机构，所述射频机构包括平行设置的衬底(6)、射频板(7)以及透波板(9)，所述透波板(9)设置于衬底(6)和射频板(7)之间，且透波板(9)活动连接于均流管(8)靠近射频板(7)一侧，所述衬底(6)与透波板(...

【技术特征摘要】
1.一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，包括射频机构、沉积箱(1)以及透波板(9)，沉积箱(1)两端分别开设有进气口(2)和出气口(3)，其特征在于：所述沉积箱(1)内腔中设置有进气管(4)、出气管(5)和加热装置(10)，所述进气管(4)连接于进气口(2)上，所述出气管(5)连接于出气口(3)上；所述进气管(4)和出气管(5)之间设置有均流管(8)，所述均流管(8)两侧分别设置有射频机构，所述射频机构包括平行设置的衬底(6)、射频板(7)以及透波板(9)，所述透波板(9)设置于衬底(6)和射频板(7)之间，且透波板(9)活动连接于均流管(8)靠近射频板(7)一侧，所述衬底(6)与透波板(9)之间设置有间距1mm-10mm。2.根据权利要求1所述的一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，其特征在于：所述加热装置包括导热板(10)和电热丝(12)，所述导热板(10)中开设有安装孔(11)，所述电热丝(12)固定于安装孔(11)中，衬底(6)和射频板(7)均通过导热板(10)固定于沉积箱(1)内壁上。3.根据权利要求1所述的一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，其特征在于：所述进气管(4)、出气管(5)以及均流管(8)上均连接有吸波板(13)，所述吸波板(13)设置于靠近射频板(7)一侧。4.根据权利要求1所述的一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，其特征在于：所述进气口(2)远离进气管(4)一侧连接有气体加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢毅，周丹，谢泰宏，张冠纶，张忠文，
申请(专利权)人：通威太阳能合肥有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34