多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置。该装置采用箱体结构，箱体的底面板上设有接头槽，杜瓦外壁上的转接头通过所述接头槽与箱体内的底层电路板连接；集成有偏置放大及SIS结保护电路的三块电路板并排插入在底层电路板上，三块电路板的接头和开关不位于箱体的同一面板上。本实用新型专利技术的保护装置具有接口简单、安装操作方便、多路可并行操作、电磁干扰屏蔽等优点。

【技术实现步骤摘要】
多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置
本技术涉及一种多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置。
技术介绍
超导成像频谱仪是基于超导隧道结混频技术和边带分离技术的焦平面阵列接收机，是为我国大型毫米波望远镜自主研制的新一代接收系统，也是我国射电天文的首台多波束接收机。目前研制的超导成像频谱仪已经成功安装到青海德令哈13.7m望远镜。在该接收机中，超导混频器内部的超导隧道结（SIS结，superconductorinsulatorsuperconductortunneljunction）是核心部件，因此对多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路进行防护是一项很重要的工作。超导混频器偏置供电和电压电流扫描、以及电压功率扫描均需要很高的精度，且需要很低的噪声。现有使用的电路保护装置不仅封装很繁琐，容易导致接头对位不准，操作有一定的难度，并且多个电路的主要功能集中在一个电路板块上，容易相互干扰和影响，出现问题时不易排查。
技术实现思路
本技术针对以上问题进行重新优化设计，提供了一种保护多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的装置。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置，采用箱体结构，箱体的底面板上设有接头槽，杜瓦外壁上的转接头通过所述接头槽与箱体内的底层电路板连接；集成有偏置放大及SIS结保护电路的三块电路板并排插入在底层电路板上，三块电路板的接头和开关不位于箱体的同一面板上。进一步地，所述三块电路板的接头所在的面板以及所述三块电路板的开关所在的面板均为可拆卸的。进一步地，所述三块电路板的接头所在的面板是由三块板拼装而成。进一步地，所述箱体的底面板上还设有连接孔，所述底层电路板通过连接孔固定在杜瓦外壁上。进一步地，所述箱体的面板上还设有导引槽，用于引导三块电路板的插入。进一步地，所述箱体由电磁屏蔽材料制成。进一步地，所述接头槽设有三个。进一步地，所述三块电路板中，每块电路板具有一个接头和三个开关。对于超导成像频谱仪内部的SIS结，现有的保护装置是将电路板的开关与接头同设在前面板，且电路板之间是层叠结构，层与层之间靠单个接头连接，这种结构安装不易且容易损害接头，同时由于三块电路板无法独立工作，使得检测和测试困难。本技术进行了优化设计，很好地避免了以上缺点，具有接口简单、安装操作方便、多路可并行操作、电磁干扰屏蔽等优点，具体有益效果如下：（1）底层电路板与杜瓦外壁上的转接头紧密固定，减少了外部偏置线引入的干扰噪声；（2）三块电路板独立并行结构，单个电路板可独立工作，使得检测方便、操作简易、结构布局整体合理；（3）将电路板的开关与接头分开放置，不仅留有足够的操作空间，也可以防止误操作和触碰；（4）本技术的保护装置解决了超导混频器内部SIS结电压电流功率等曲线扫描时的噪声问题，提高了偏置电压电流的读取精度。附图说明图1为本技术杜瓦外壁结构示意图。图2为本技术保护装置的部分箱体结构示意图。图3为本技术保护装置的内部结构示意图。图4为本技术保护装置的外部立体示意图。图中，1-杜瓦，2-转接头3-接头槽，4-连接孔，5-导引槽，6-底层电路板，7-电路板，8-接头，9-开关，10-面板。具体实施方式下面根据附图所示实施方式阐述本技术。此次公开的实施方式可以认为在所有方面均为例示，不具限制性。本技术的范围不受以下实施方式的说明所限，仅由权利要求书的范围所示，而且包括与权利要求范围具有同样意思及权利要求范围内的所有变形。杜瓦1是超导成像频谱仪前端重要器件的工作平台，本技术的保护装置紧贴在杜瓦1的外壁。本实施例的保护装置为一个封闭的箱体，图2为去除前面板和一个侧面板的结构图。箱体的底部面板上设有接头槽4，底层电路板6通过接头槽4与杜瓦1外壁上设置的三个25芯的转接头2固定连接，从而将杜瓦端的转接头2转移到封闭的箱体内，并可通过接头将保护装置紧紧固定在杜瓦端，完成接头装换且保护装置与杜瓦1一体化。保护装置的一个侧面板上增加导引槽5用于电路板的安装。本实施例通过设置三个导引槽5可以准确快速的将三层电路板7插入到底层电路板6中，整体易于安装和操作。本实施例中的电路板7集成了多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路，所用的三层电路板7的功能一样，保证了互换性和调试检测的简易。其中，每块电路板7包括一个接头8和三个开关9，三层电路板7实现对18个超导SIS结的偏置供电和保护。将九个保护开关9置放在箱体的侧面板，三个接头8放置在箱体的前面板，这样开关9与接线的接头8分开放置，能够留有足够的操作空间，也可以防止误操作和触碰。单个电路板7可独立工作，使得检测方便，操作简易，结构布局整体合理。开关9处的面板和接头8处的面板为独立面板，与其它面板之间为可拆卸的。当内部电路板安装完毕后，封装这两块面板，形成一个整体结构图，见图4。本实施例中，前面板由3块面板10组成，可最大地提高加工误差的适应性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置，采用箱体结构，其特征在于，箱体的底面板上设有接头槽，杜瓦外壁上的转接头通过所述接头槽与箱体内的底层电路板连接；集成有偏置放大及SIS结保护电路的三块电路板并排插入在底层电路板上，三块电路板的接头和开关不位于箱体的同一面板上。

【技术特征摘要】
1.多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置，采用箱体结构，其特征在于，箱体的底面板上设有接头槽，杜瓦外壁上的转接头通过所述接头槽与箱体内的底层电路板连接；集成有偏置放大及SIS结保护电路的三块电路板并排插入在底层电路板上，三块电路板的接头和开关不位于箱体的同一面板上。2.根据权利要求1所述的多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置，其特征在于，所述三块电路板的接头所在的面板以及所述三块电路板的开关所在的面板均为可拆卸的。3.根据权利要求1或2所述的多像元超导混频器偏置放大及SIS结保护电路的保护装置，其特征在于，所述三块电路板的接头所在的面板是由三块板拼装而成。4.根据权利要求1或2所述的多像元超导混频器偏置放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振强，
申请(专利权)人：中国科学院紫金山天文台青海观测站，
类型：新型
国别省市：青海,63