一种充电宝制造技术

技术编号:18405431 阅读:32 留言:0更新日期:2018-07-08 23:09
本实用新型专利技术涉及一种充电宝,充电宝内置充电保护电路,电路中锂电池的正极接电路输出端,锂电池正极接芯片IC2的负输入端,芯片IC2的负输入端经电阻R3接地,芯片IC2的正输入端经电阻R2接地,经电阻R1接电源,芯片IC2的输出端接芯片IC1的P1.0端口,锂电池的正极经电阻R6接芯片IC3的正输入端,芯片IC3的负输入端经电阻R5接地,芯片IC3的负输入端经电阻R4接电源,芯片IC3的输出端接芯片IC1的P1.1端口,锂电池的负极经电阻R8接芯片IC4的负输出入端,芯片IC4的负输入端经电阻R7接电源,芯片IC4的正输入端分别经电阻R12和电阻R14接电源和接地,本实用新型专利技术设计的充电宝具有过压过流保护,保障了电路稳定运行,有效防止电路运行短路,间接预防短路引起的火灾。

A kind of rechargeable treasure

The utility model relates to a charging treasure, a built-in charging protection circuit of the charging treasure, the output end of the positive electrode circuit of the lithium battery in the circuit, the negative input end of the cathode connection chip IC2 of the lithium battery, the negative input end of the chip IC2 through the resistance R3, the positive input end of the chip IC2 through the resistance R2, the electrical power of the resistance R1 and the output of the chip IC2. The P1.0 port of the chip IC1, the positive pole of the lithium battery is connected to the positive input end of the chip IC3 by the resistance R6, the negative input end of the chip IC3 is grounded through the resistance R5, the negative input end of the chip IC3 is connected to the power of the resistor R4, the output end of the chip IC3 is connected to the P1.1 port of the chip IC1, and the negative output of the negative electrode of the lithium battery is connected to the chip. The negative input end of C4 is connected to the power of resistance R7, the positive input end of the chip IC4 is connected to the power and grounding through the resistance R12 and the resistance R14 respectively. The rechargeable treasure designed by the utility model has overvoltage over current protection, which ensures the stable operation of the circuit, effectively prevents circuit running short circuit, and indirectly prevents the short road caused fire.

【技术实现步骤摘要】
一种充电宝
本技术涉及生活用品领域,尤其涉及一种充电宝。
技术介绍
随着手机、数码相机、掌上电脑等便携式电子设备的显示屏的增大,其耗电量也随之增加,为了满足人们对电量的要求,移动电源应运而生。然而锂离子电池对充电设备的要求比较苛刻,为了实现自动续充,需要关注充电过流、过压、放电短路、过热等情况。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种充电宝,以解决上述技术问题,为实现上述目的本技术采用以下技术方案:一种充电宝,充电宝内置充电保护电路,电路中锂电池的正极接电路输出端,锂电池正极接芯片IC2的负输入端,芯片IC2的负输入端经电阻R3接地,芯片IC2的正输入端经电阻R2接地,经电阻R1接电源,芯片IC2的输出端接芯片IC1的P1.0端口,锂电池的正极经电阻R6接芯片IC3的正输入端,芯片IC3的负输入端经电阻R5接地,芯片IC3的负输入端经电阻R4接电源,芯片IC3的输出端接芯片IC1的P1.1端口,锂电池的负极经电阻R8接芯片IC4的负输入端,芯片IC4的负输入端经电阻R7接电源,芯片IC4的正输入端分别经电阻R12和电阻R14接电源和接地,芯片IC4的正输入端口经电阻R9接电路输入端,芯片IC4的正输入端口同时接芯片IC5的正负输入端,芯片IC5的输出端接芯片IC1的P3.3端口,芯片IC1的P1.5端口经电阻R17接晶体管Q4的基极,晶体管Q4的发射极接地,晶体管Q4的集电极接晶体管Q1的发射极,晶体管Q1的集电极经二极管D1接发射极,晶体管Q4的集电极经二极管D4接发射极,晶体管Q1的集电极接晶体管Q2的集电极,同时晶体管Q1的集电极分别经电容C4和电容C5接地,晶体管Q1的集电极经二极管D3接二极管D6,二极管D6接地,晶体管Q2的基极接晶体管Q5的集电极,晶体管Q2的发射极接电感L1接电路输入端,晶体管Q1的集电极接晶体管Q3的集电极,晶体管Q3的基极经二极管D8接二极管D7,二极管D7接晶体管Q5的基极,同时二极管D7接地,晶体管Q1的集电极经二极管D2接电阻R15,电阻R15接二极管D7,同时二极管D2经电容C2接晶体管Q5的集电极,晶体管Q5的集电极经电阻R16接晶体管Q6的基极,晶体管Q5的发射极经二极管D9接地,晶体管Q3的发射极经电阻R11接电阻R10,电阻R10经电容C1接电感L1接电路输出端,晶体管Q2的发射极经二极管D5接地,电感L1经电容C3接地。在上述技术方案基础上,所述芯片IC1采用STC15W401AS型单片机,芯片IC2-IC5均采用LM139型比较运算放大器。本技术设计充电宝的充电保护电路以STC15W401AS单片机为控制核心,监测电池电压与回路电流,MOSFET在电路中起开关作用,通过控制2个MOSFET的栅极,分别控制充电回路与放电回路的导通与关断,具有过充电保护、过放电保护、过电流保护与短路保护功能,有效保证充电宝的充放电稳定运行,预防电路短路,防止充电宝运行时过热。附图说明图1为本技术的电路图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细阐述。一种充电宝,充电宝内置充电保护电路,电路中锂电池的正极接电路输出端,锂电池正极接芯片IC2的负输入端,芯片IC2的负输入端经电阻R3接地,芯片IC2的正输入端经电阻R2接地,经电阻R1接电源,芯片IC2的输出端接芯片IC1的P1.0端口,锂电池的正极经电阻R6接芯片IC3的正输入端,芯片IC3的负输入端经电阻R5接地,芯片IC3的负输入端经电阻R4接电源,芯片IC3的输出端接芯片IC1的P1.1端口,锂电池的负极经电阻R8接芯片IC4的负输入端,芯片IC4的负输入端经电阻R7接电源,芯片IC4的正输入端分别经电阻R12和电阻R14接电源和接地,芯片IC4的正输入端口经电阻R9接电路输入端,芯片IC4的正输入端口同时接芯片IC5的正负输入端,芯片IC5的输出端接芯片IC1的P3.3端口,芯片IC1的P1.5端口经电阻R17接晶体管Q4的基极,晶体管Q4的发射极接地,晶体管Q4的集电极接晶体管Q1的发射极,晶体管Q1的集电极经二极管D1接发射极,晶体管Q4的集电极经二极管D4接发射极,晶体管Q1的集电极接晶体管Q2的集电极,同时晶体管Q1的集电极分别经电容C4和电容C5接地,晶体管Q1的集电极经二极管D3接二极管D6,二极管D6接地,晶体管Q2的基极接晶体管Q5的集电极,晶体管Q2的发射极接电感L1接电路输入端,晶体管Q1的集电极接晶体管Q3的集电极,晶体管Q3的基极经二极管D8接二极管D7,二极管D7接晶体管Q5的基极,同时二极管D7接地,晶体管Q1的集电极经二极管D2接电阻R15,电阻R15接二极管D7,同时二极管D2经电容C2接晶体管Q5的集电极,晶体管Q5的集电极经电阻R16接晶体管Q6的基极,晶体管Q5的发射极经二极管D9接地,晶体管Q3的发射极经电阻R11接电阻R10,电阻R10经电容C1接电感L1接电路输出端,晶体管Q2的发射极经二极管D5接地,电感L1经电容C3接地。所述芯片IC1采用STC15W401AS型单片机,芯片IC2-IC5均采用LM139型比较运算放大器。本技术设计的充电宝,在正常状态下,电路中P1.5和P1.6口都输出高电压,Q1和Q4都处于导通状态,电池可以自由地进行充电和放电。在充电初期,为恒流充电,随着充电进行,电压会上升转为恒压充电,直至电流越来越小。电池在充电过程中,如果充电器电路失去控制,会导致电池损坏或出现安全问题,所以当电池电压达到设定电压时,比较器LM139会翻转,单片机P1.0采集到低电平,控制P1.5由高电平变成低电平,使Q4由导通变为关断,从而切断了充电回路,使充电器无法再对电池进行充电,起到过充电保护作用。而此时由于Q4自带的体二极管D4的存在,可以起到续流的作用,电池可以通过该二极管对外部负载进行供电。电池电压会随着供电过程逐渐降低,当电池电压降至2.5V时,P1.1采集到低电平时,控制P1.6由高电平变成低电平,使Q1由导通转为关断,从而切断了供电回路,使电池无法再对负载进行供电,起到过放电保护作用。而此时由于Q1自带的体二极管D1的存在,充电器可以通过该二极管对电池进行充电。在STC15W401AS检测到电池电压低于2.5V至发出关断1信号之间,应有一段100ms左右的延时,以避免因干扰而造成误判断。当电池超过2C(C=电池容量/小时数)电流供电时,即为过电流充电,将会导致电池的永久性损坏或出现安全问题,因此当MOS管及三极管的压降超过正常压降0.2V时,P1.2采集到低电平,P1.6由高电平变为低电平,使Q1由导通转为关断,从而切断了供电回路,使回路中电流为零,起到过电流保护作用。电池在对负载供电过程中,当电池正常供电过程中供电电流流过串联的2个MOSFET时,由于MOSFET的导通阻抗,会在其两端产生一个电压,该电压值设为U;当负载因某种原因发生异常,使回路电流增大,MOSFET的电压为U1。若回路电流大到使U1-U>0.9V时,则可判断为负载短路,INT1采集到低电平,系统进入中断,控制Q1由导通转为关断,从而切断供电回路,起到短路保护作用。STC15W401AS的外围电路主要应用MOS管和三极管,根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充电宝,其特征在于,充电宝内置充电保护电路,电路中锂电池的正极接电路输出端,锂电池正极接芯片IC2的负输入端,芯片IC2的负输入端经电阻R3接地,芯片IC2的正输入端经电阻R2接地,经电阻R1接电源,芯片IC2的输出端接芯片IC1的P1.0端口,锂电池的正极经电阻R6接芯片IC3的正输入端,芯片IC3的负输入端经电阻R5接地,芯片IC3的负输入端经电阻R4接电源,芯片IC3的输出端接芯片IC1的P1.1端口,锂电池的负极经电阻R8接芯片IC4的负输入端,芯片IC4的负输入端经电阻R7接电源,芯片IC4的正输入端分别经电阻R12和电阻R14接电源和接地,芯片IC4的正输入端口经电阻R9接电路输入端,芯片IC4的正输入端口同时接芯片IC5的正负输入端,芯片IC5的输出端接芯片IC1的P3.3端口,芯片IC1的P1.5端口经电阻R17接晶体管Q4的基极,晶体管Q4的发射极接地,晶体管Q4的集电极接晶体管Q1的发射极,晶体管Q1的集电极经二极管D1接发射极,晶体管Q4的集电极经二极管D4接发射极,晶体管Q1的集电极接晶体管Q2的集电极,同时晶体管Q1的集电极分别经电容C4和电容C5接地,晶体管Q1的集电极经二极管D3接二极管D6,二极管D6接地,晶体管Q2的基极接晶体管Q5的集电极,晶体管Q2的发射极接电感L1接电路输入端,晶体管Q1的集电极接晶体管Q3的集电极,晶体管Q3的基极经二极管D8接二极管D7,二极管D7接晶体管Q5的基极,同时二极管D7接地,晶体管Q1的集电极经二极管D2接电阻R15,电阻R15接二极管D7,同时二极管D2经电容C2接晶体管Q5的集电极,晶体管Q5的集电极经电阻R16接晶体管Q6的基极,晶体管Q5的发射极经二极管D9接地,晶体管Q3的发射极经电阻R11接电阻R10,电阻R10经电容C1接电感L1接电路输出端,晶体管Q2的发射极经二极管D5接地,电感L1经电容C3接地。...

【技术特征摘要】
1.一种充电宝,其特征在于,充电宝内置充电保护电路,电路中锂电池的正极接电路输出端,锂电池正极接芯片IC2的负输入端,芯片IC2的负输入端经电阻R3接地,芯片IC2的正输入端经电阻R2接地,经电阻R1接电源,芯片IC2的输出端接芯片IC1的P1.0端口,锂电池的正极经电阻R6接芯片IC3的正输入端,芯片IC3的负输入端经电阻R5接地,芯片IC3的负输入端经电阻R4接电源,芯片IC3的输出端接芯片IC1的P1.1端口,锂电池的负极经电阻R8接芯片IC4的负输入端,芯片IC4的负输入端经电阻R7接电源,芯片IC4的正输入端分别经电阻R12和电阻R14接电源和接地,芯片IC4的正输入端口经电阻R9接电路输入端,芯片IC4的正输入端口同时接芯片IC5的正负输入端,芯片IC5的输出端接芯片IC1的P3.3端口,芯片IC1的P1.5端口经电阻R17接晶体管Q4的基极,晶体管Q4的发射极接地,晶体管Q4的集电极接晶体管Q1的发射极,晶体管Q1的集电极经二极管D1接发射极,晶体管Q4的集电...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙菁阳
申请(专利权)人:东北林业大学
类型:新型
国别省市:黑龙江,23

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