反应炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种反应炉，所述反应炉包括上盖、下盖以及多个密封圈，所述上盖与所述下盖连接并共同形成一个反应腔体，所述多个密封圈层叠设置在所述上盖和所述下盖之间，所述多个密封圈的层叠方向朝着所述上盖与所述下盖。本实用新型专利技术提供的反应炉，通过层叠设置在所述上盖和所述下盖间的密封圈，能够将所述反应炉良好的密封，使得所述反应炉内的反应介质不会泄漏，从而使所述反应炉能够保持在满足要求的内压下，确保生产的顺利进行。

Reacting furnace

The utility model provides a reaction furnace, which comprises an upper cover, a lower cover and a plurality of sealing rings, which are connected to the lower cover and form a reaction cavity together, and the plurality of seals is stacked between the upper cover and the lower cover, and the overlapping direction of the plurality of seals faces the upper cover. With the below cover. The reacting furnace provided by the utility model is arranged in a seal ring between the upper cover and the lower cover, so that the reaction furnace can be sealed well, so that the reaction medium in the reaction furnace will not leak, so that the reaction furnace can be kept under the required internal pressure to ensure the smooth operation of the production.

【技术实现步骤摘要】
反应炉
本技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种反应炉。
技术介绍
化学气相外延生长所使用的设备通常为外延生长反应炉。图1提供了一种由先晶半导体公司(ASM)设计开发的外延生长反应炉，如图1所示，ASM提供的外延生长反应炉包括一个长方形的石英缸101，所述石英缸101内可放置基座和硅片，且所述石英缸101前后开口，分别用前法兰102和后法兰103进行密封。图2提供了一种由应用材料公司(AMAT)设计开发的外延生长反应炉，如图2所示，AMAT提供的外延生长反应炉具有上层石英罩201和下层石英罩202，所述下层石英罩202内可放置基座和硅片，同时利用O形圈203将上下层石英罩进行密封。然而，由于12寸外延生长反应炉的尺寸较大，若采用上下石英罩的结构，其密封难度也大。为了对上层石英罩201和下层石英罩202进行密封，AMAT提供了一种图3所示的密封方式，具体的，在接近基座高温区的地方，用一圈特氟龙绝热层301进行绝热，紧挨着所述特氟龙绝热层301的是由一个O形圈层302、真空通道303、两个O形圈层304所组成的密封结构，所述O形圈层302紧邻特氟龙绝热层301。当所述O形圈层302密封不严时，首先通过真空通道303进行保护以吸走外延生长反应炉内泄露的有毒气体。若真空通道303依旧无法有效吸收有毒气体，则通过两个O形圈层304进行最终密封，从而能够最大限度防止人体接触有毒气体。然而，所述特氟龙绝热层301和所述O形圈层302在安装时容易错位，导致有毒气体内漏被所述真空通道303吸走，进而导致反应炉的内压无法满足生产要求，打乱生产节奏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种反应炉，以解决现有反应炉密封不严，使反应炉内的压力无法满足生产要求，从而影响生产的问题。为实现上述目的，本技术提供一种反应炉，包括上盖、下盖以及多个密封圈，所述上盖与所述下盖连接并共同形成一个反应腔体，所述多个密封圈层叠设置在所述上盖和所述下盖之间，所述多个密封圈的层叠方向朝着所述上盖和所述下盖。可选的，所述上盖上开有第一凹槽，所述下盖上开有第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽在所述上盖与所述下盖之间共同形成一容置空间，所述多个密封圈位于所述容置空间内。可选的，所述密封圈的数量为大于两个的偶数个，且所述密封圈以多行多列的形式设置在所述容置空间内。可选的，还包括设置在所述容置空间内的绝热层，所述绝热层设置在所述多个密封圈靠近所述反应腔体的一侧。可选的，所述绝热层包括层叠设置的绝热圈，所述绝热圈的数量与所述密封圈的数量相等，且所述绝热圈层叠设置的方向与所述密封圈层叠设置的方向一致。可选的，所述绝热层为特氟龙绝热层。可选的，所述上盖或所述下盖上开有真空通道，所述真空通道与所述上盖和所述下盖相连接的部位相连通，且所述真空通道位于所述多个密封圈远离所述反应腔体的一侧。可选的，所述上盖上开有第三凹槽，所述第三凹槽设置在所述真空通道远离所述反应腔体的一侧，所述第三凹槽内设置有另一密封圈。可选的，所述下盖上开有第四凹槽，所述第四凹槽设置在所述真空通道远离所述反应腔体的一侧，所述第四凹槽内设置有另一密封圈。可选的，所述另一密封圈为多个，多个所述另一密封圈内外层叠设置且层叠的方向与所述多个密封圈的层叠方向垂直。综上所述，本技术提供的反应炉包括上盖、下盖以及多个密封圈，所述上盖与所述下盖连接并共同形成一个反应腔体，所述多个密封圈层叠设置在所述上盖和所述下盖之间，所述多个密封圈的层叠方向朝着所述上盖和所述下盖。多个密封圈层叠设置在所述上盖和所述下盖间，且层叠方向朝向所述上盖和所述下盖，如此一来，能够将所述反应炉良好的密封，使得所述反应炉内的反应介质不会泄漏，使所述反应炉能够保持在满足要求的内压下，确保生产的顺利进行。附图说明图1为现有的一种反应炉的结构示意图；图2为现有的另一种反应炉的结构示意图；图3为图2所示的反应炉的密封结构示意图；图4为本技术一实施例提供的反应炉的密封结构示意图。附图标记说明如下：101-石英缸；102-前法兰；103-后法兰；201-上层石英罩；202-下层石英罩；203-O形圈；301-特氟龙绝热层；302/304-O形圈层；303/45-真空通道；41-上盖；42-下盖；411-第一凹槽；412-第二凹槽；43-密封圈；44-绝热层；46-第四凹槽；47-另一密封圈。具体实施方式下面将结合附图4以及具体实施例，对本技术提出的反应炉进行更详细的描述。根据下列描述，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。在半导体制造领域，基片如硅片上生长外延层需在外延生长反应炉中进行，现有的外延生长反应炉常会因密封效果不好而漏气，打乱了生产节奏。为此，本技术提供了一种反应炉，具有良好的密封性，能够用于化学气相外延生长，然而，该反应炉包括但不限于外延生长反应炉。图4为本技术一实施例提供的反应炉的密封结构示意图，如图4所示，所示反应炉包括上盖41、下盖42以及多个密封圈43。该多个密封圈43被构造成本实施例的密封结构，用来密封上盖41和下盖42.所述上盖41和下盖42相对设置并共同形成有一个反应腔体40。所述多个密封圈43层叠设置在上盖41和下盖42之间，且所述多个密封圈43的层叠方向朝向上盖41和下盖42。例如，所述上盖41和下盖42上下相对设置，那么，所述多个密封圈43也以上下层叠的方式设置在上盖41和下盖42之间，总之，当所述上盖41和下盖42在预定方向上相对设置时，所述多个密封圈43同样在该预定方向上层叠，从而密封上盖41和下盖42。可选，所述密封圈43为O形圈结构。本实施例提供的反应炉，通过层叠设置在所述上盖41和所述下盖42间的密封圈43，能够将所述反应炉良好的密封。由于所述密封圈43具有弹性，且其层叠方向朝向所述上盖41和所述下盖42，因此，起到了很好的密封效果，使得所述反应炉内的反应介质(如气体)不会泄漏，使所述反应炉能够保持在满足要求的内压下，确保生产的顺利进行。进一步的，所述上盖41上开有第一凹槽411，所述第一凹槽411具体开设在所述上盖41靠近下盖42的一侧。所述下盖42上开有第二凹槽412，所述第二凹槽412具体开设在所述下盖42靠近上盖41的一侧。当所述上盖41与下盖42组装在一起时，所述第一凹槽411与所述第二凹槽412在所述上盖41与所述下盖42之间共同形成一个容置空间，从而所述多个密封圈43便可设置于所述容置空间内。更进一步，所述密封圈43的数量可以是大于两个的偶数个，优选，此时多个密封圈43以多行多列的形式设置在所述容置空间内。这种设置方式便形成了多层的密封圈隔离层，密封效果更好。较佳地，所述容置空间内还设置有绝热层44，所述绝热层44设置在所述多个密封圈43靠近所述反应腔体40的一侧，用于隔离反应炉内外的热量，使反应炉不会因热量散失过快而影响其内工艺的顺利进行。所述绝热层44优选由多个层叠设置的绝热圈(未标示)组成，所述绝热圈的数量与所述密封圈43的数量相等，且所述绝热圈层叠设置的方向与所述密封圈43层叠设置的方向一致。所述绝热层44更优选为特氟龙材料制成的绝热结构。更进一步的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应炉，其特征在于，包括上盖、下盖以及多个密封圈，所述上盖与所述下盖连接并共同形成一个反应腔体，所述多个密封圈层叠设置在所述上盖和所述下盖之间，所述多个密封圈的层叠方向朝着所述上盖和所述下盖。

【技术特征摘要】
1.一种反应炉，其特征在于，包括上盖、下盖以及多个密封圈，所述上盖与所述下盖连接并共同形成一个反应腔体，所述多个密封圈层叠设置在所述上盖和所述下盖之间，所述多个密封圈的层叠方向朝着所述上盖和所述下盖。2.如权利要求1所述的反应炉，其特征在于，所述上盖上开有第一凹槽，所述下盖上开有第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽在所述上盖与所述下盖之间共同形成一容置空间，所述多个密封圈位于所述容置空间内。3.如权利要求2所述的反应炉，其特征在于，所述密封圈的数量为大于两个的偶数个，且所述密封圈以多行多列的形式设置在所述容置空间内。4.如权利要求2所述的反应炉，其特征在于，还包括设置在所述容置空间内的绝热层，所述绝热层设置在所述多个密封圈靠近所述反应腔体的一侧。5.如权利要求4所述的反应炉，其特征在于，所述绝热层包括层叠设置的绝热圈，所述绝热圈的数量与所述密封圈的数量...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘源，牛景豪，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31