一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置制造方法及图纸

一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，涉及磷化铟单晶材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，该装置包括支撑底座和活动支架，活动支架安装在支撑底座之间；所述的活动支架包括矩形框体、上矩形盖板、下矩形盖板和密封丝杆，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板中部位置均设置有限位圆孔，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板的四角均设置有密封圆孔，密封丝杠顶端和底端均设置有螺帽，密封丝杠将下矩形盖板、矩形框体和上矩形盖板连接在一起；所述的支撑底座包括支撑板、矩形板和横拉板。本实用新型专利技术一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，设计科学合理，能有效稳固地支撑磷化铟单晶炉体，并在装炉或出炉时，操作方便且省时省力。

A supporting device for indium phosphide single crystal growth furnace

A supporting device for indium phosphide growth furnace, involving the preparation of indium phosphide single crystal material, especially a support device for an indium phosphide growth furnace. The device includes a support base and an active bracket. The movable support is installed between the support base. The movable bracket includes a rectangular frame and a rectangular cover plate. The rectangular frame, the upper rectangle cover plate and the lower rectangular cover plate are all set with a finite position round hole. The rectangular frame, the upper rectangle cover plate and the lower rectangular cover plate are all set with a sealed round hole. The top and bottom of the seal are all set with a nut, and the sealing screw leads to the lower rectangular cover plate and the rectangle frame. The supporting base comprises a supporting plate, a rectangular plate and a transverse pulling plate. The utility model is a supporting device for the indium phosphide single crystal growth furnace. The design is scientific and reasonable, and can effectively and effectively support the indium phosphide single crystal furnace body, and is convenient to operate and save time and labor when loading the furnace or in the furnace.

【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置
本技术涉及磷化铟单晶材料制备
，尤其是一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置。
技术介绍
磷化铟(InP)是具有战略意义的非常重要的化合物半导体材料，是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子、光电子功能材料。其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。InP单晶生长的方法有很多种，如液封直拉(LEC)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直布里奇曼(VB)法及垂直梯度凝固(VGF)法等。VGF法除了具备其他生长方法的优点外，最大特点是很容易获得低温度梯度，容易生长低位错密度、低热应力的III－V族晶体。在利用VGF法生长InP晶体的过程中，如果炉体支撑架不牢固，使单晶炉体发生位移或倾斜，会直接影响到InP晶体的质量，另外InP单晶炉本身有上百公斤重，目前存在的炉体支撑架操作不便，难以快速便捷的进行装炉和出炉，如何省时省力的完成装炉或出炉也是一个普遍存在的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对目前存在的炉体支撑架存在支撑架不牢固，易使炉体发生位移或倾斜且操作不便，难以便捷的进行装炉和出炉的问题，提供一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置。一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，其特征在于，该装置包括支撑底座和活动支架，活动支架安装在支撑底座之间；所述的活动支架包括矩形框体、上矩形盖板、下矩形盖板和密封丝杆，上矩形盖板和下矩形盖板分别设置在矩形框体的上方和下方位置，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板中部位置均设置有限位圆孔，限位圆孔上下位置对应，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板的四角均设置有密封圆孔，密封圆孔上下位置对应，密封丝杠为四个，每一个密封丝杠顶端和底端均设置有螺帽，密封丝杠依次穿过下矩形盖板、矩形框体和上矩形盖板四角对应位置的密封圆孔，并通过螺帽固定，将下矩形盖板、矩形框体和上矩形盖板连接在一起；所述的支撑底座包括支撑板、矩形板和横拉板，支撑板为两块，通过若干个横拉板连接在一起，并对称设置在活动支架两侧，每一块支撑板顶部均设置有矩形板，所述的矩形板上设置有螺栓，矩形板通过螺栓固定在矩形框体两侧。所述的支撑板为等腰梯形板。所述支撑板底部内侧设置有防滑板。所述的支撑板与地面的夹角为60度。所述的矩形板和矩形框两侧均设置有若干个固定圆孔，并分别配有一个T型螺栓，T型螺栓与固定圆孔相互匹配，通过T型螺栓依次连接矩形板和矩形框上设置的不同的固定圆孔以调整矩形板和矩形框之间的相互位置。本技术一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，设计科学合理，能有效稳固地支撑磷化铟单晶炉体，并在装炉或出炉时，操作方便且省时省力。附图说明图1是本技术的结构示意图；其中，矩形框体1，上矩形盖板2，下矩形盖板3，密封丝杆4，限位圆孔5，密封圆孔6，螺帽7，支撑板8，矩形板9，横拉板10，螺栓11，防滑板12，固定圆孔13，T型螺栓14。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。实施例1：一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，该装置包括支撑底座和活动支架，活动支架安装在支撑底座之间；所述的活动支架包括矩形框体1、上矩形盖板2、下矩形盖板3和密封丝杆4，上矩形盖板2和下矩形盖板3分别设置在矩形框体1的上方和下方位置，矩形框体1、上矩形盖板2和下矩形盖板3中部位置均设置有限位圆孔5，限位圆孔5上下位置对应，矩形框体1、上矩形盖板2和下矩形盖板3的四角均设置有密封圆孔6，密封圆孔6上下位置对应，密封丝杆4为四个，每一个密封丝杆4顶端和底端均设置有螺帽7，密封丝杆4依次穿过下矩形盖板3、矩形框体1和上矩形盖板2四角对应位置的密封圆孔6，并通过螺帽7固定，将下矩形盖板3、矩形框体1和上矩形盖板2连接在一起；所述的支撑底座包括支撑板8、矩形板9和横拉板10，支撑板8为两块，支撑板8为等腰梯形板，与地面的夹角为60度，以便于使支撑底座更加稳定牢固，起到更好的支撑作用，支撑板8底部内侧设置有防滑板12，防止支撑底座发生移动，使支撑板8更加牢固稳定的支撑在地面上，支撑板8通过若干个横拉板10连接在一起，并对称设置在活动支架两侧，每一块支撑板8顶部均设置有矩形板9，所述的矩形板9上设置有螺栓11，矩形板9通过螺栓11固定在矩形框体1两侧，矩形板9和矩形框体1两侧均设置有若干个固定圆孔13，并分别配有一个T型螺栓14，T型螺栓14与固定圆孔13相互匹配，通过T型螺栓14依次连接矩形板9和矩形框体1上设置的不同的固定圆孔13以调整矩形板9和矩形框体1之间的相互位置，从而调节活动支架的角度，便于在实际应用更根据需要进行调节，增加装置的适用性。使用时，先将螺栓11和T型螺栓14均扭松，使活动支架角度可以调节，并将活动支架放平，使其与地面平行后通过T型螺栓14将活动框架角度固定，将密封丝杆4底端的螺帽7扭下，把下矩形盖板3卸除，将生长炉依次穿过设置在矩形框体1和上矩形盖板2的限位圆孔5，以将生长炉放入活动支架内部，通过密封丝杆4底端的螺帽7将下矩形盖板3固定，将炉体与导线和氮气管进行连接后，将T型螺栓14扭松，使活动支架角度可以调节，把活动支架抬起，使其与地面成90度，最后将螺栓11和T型螺栓14扭紧，将生长炉固定在支撑装置内部。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，其特征在于，该装置包括支撑底座和活动支架，活动支架安装在支撑底座之间；所述的活动支架包括矩形框体（1）、上矩形盖板（2）、下矩形盖板（3）和密封丝杆（4），上矩形盖板（2）和下矩形盖板（3）分别设置在矩形框体（1）的上方和下方位置，矩形框体（1）、上矩形盖板（2）和下矩形盖板（3）中部位置均设置有限位圆孔（5），限位圆孔（5）上下位置对应，矩形框体（1）、上矩形盖板（2）和下矩形盖板（3）的四角均设置有密封圆孔（6），密封圆孔（6）上下位置对应，密封丝杆（4）为四个，每一个密封丝杆（4）顶端和底端均设置有螺帽（7），密封丝杆（4）依次穿过下矩形盖板（3）、矩形框体（1）和上矩形盖板（2）四角对应位置的密封圆孔（6），并通过螺帽（7）固定，将下矩形盖板（3）、矩形框体（1）和上矩形盖板（2）连接在一起；所述的支撑底座包括支撑板（8）、矩形板（9）和横拉板（10），支撑板（8）为两块，通过若干个横拉板（10）连接在一起，并对称设置在活动支架两侧，每一块支撑板（8）顶部均设置有矩形板（9），所述的矩形板（9）上设置有螺栓（11），矩形板（9）通过螺栓（11）固定在矩形框体（1）两侧。...

【技术特征摘要】
1.一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，其特征在于，该装置包括支撑底座和活动支架，活动支架安装在支撑底座之间；所述的活动支架包括矩形框体（1）、上矩形盖板（2）、下矩形盖板（3）和密封丝杆（4），上矩形盖板（2）和下矩形盖板（3）分别设置在矩形框体（1）的上方和下方位置，矩形框体（1）、上矩形盖板（2）和下矩形盖板（3）中部位置均设置有限位圆孔（5），限位圆孔（5）上下位置对应，矩形框体（1）、上矩形盖板（2）和下矩形盖板（3）的四角均设置有密封圆孔（6），密封圆孔（6）上下位置对应，密封丝杆（4）为四个，每一个密封丝杆（4）顶端和底端均设置有螺帽（7），密封丝杆（4）依次穿过下矩形盖板（3）、矩形框体（1）和上矩形盖板（2）四角对应位置的密封圆孔（6），并通过螺帽（7）固定，将下矩形盖板（3）、矩形框体（1）和上矩形盖板（2）连接在一起；所述的支撑底座包括支撑板（8）、矩形板（9）和横拉板（10），支撑板（8）为两块，通过若干个横拉板...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖祥江，囤国超，吕春富，任洋，董汝昆，陈朝向，杨嗣文，梁鹏，
申请(专利权)人：云南鑫耀半导体材料有限公司，云南中科鑫圆晶体材料有限公司，昆明云锗高新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：云南,53