一种半导体器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法、显示装置，通过在第二金属层与有机光阻层之间设置一层缓冲层，该缓冲层与第二金属层与有机光阻层均有较好的附着力，从而解决了第二金属层与有机光阻层之间附着力较差的问题，进而避免了第二金属层与有机光阻层之间发生剥离的现象；同时该缓冲层与第二金属层可采用同一道光罩形成，从而减少了成本与工艺的复杂程度。

Semiconductor device and its preparation method and display device

The invention relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in particular to a semiconductor device and a preparation method and a display device. By setting a layer of buffer layer between the second metal layer and the organic photoresist layer, the buffer layer has a good adhesion force with the second metal layer and the organic photoresist, thus solving the second metal layer and the presence of the organic photoresist layer. The problem of poor adhesion between the mechanical photoresist avoids the phenomenon of stripping between the second metal layer and the organic photoresist; at the same time, the buffer layer and the second metal layer can be formed by the same light mask, thus reducing the complexity of the cost and the process.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示器
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclightemittingdiode，简称AMOLED)是一种主要利用有机半导体和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合而发光的面板。与传统LCD相比，AMOLED显示屏具有响应速度快、广色域、高对比度、自发光及更低功耗的优点。现行高像素产品结构设计会有以下叠层结构：第一金属层(MetalLayer-1)与第二金属层(MetalLayer-2)之间通过接触绝缘层(ContactLayer，简称CTLayer)进行绝缘隔离；因叠层结构应力原因，实际制程中易产生接触绝缘层在接触孔(Hole)边缘开裂现象；开裂区域易造成第一金属层与第二金属层接触，使像素(Pixel)电路实际功能失效。虽然通过增加有机光阻层可以填补裂隙，杜绝第一金属层与第二金属层接触短路，但是由于第二金属层与有机光阻层之间附着力较差，容易发生第二金属层与有机光阻层剥离的现象，这是本领域技术人员所不期望见到的。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术实施例公开了一种半导体器件，包括：第一金属层；第二金属层，设置在所述第一金属层之上；接触绝缘层，设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，以将所述第一金属层和所述第二金属层予以隔离；有机光阻层，设置于所述接触绝缘层和所述第二金属层之间，用以填充所述接触绝缘层产生的裂缝；其中，所述有机光阻层和所述第二金属层之间还设置有用以将所述有机光阻层和所述第二金属层粘结在一起的缓冲层(buffer)。本专利技术实施例还公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一基板；于所述基板之上形成多晶硅层；制备一具有接触孔的栅极绝缘层覆盖所述多晶硅层的上表面及部分所述基板的上表面；于所述栅极绝缘层之上形成第一金属层，且所述第一金属层通过所述接触孔与所述多晶硅层电性连接；制备接触绝缘层覆盖所述第一金属层的上表面；于所述接触绝缘层之上形成有机光阻层；以及在于所述有机光阻层之上依次沉积一层缓冲材料和金属后，移除部分金属和缓冲材料，以形成缓冲层和位于所述缓冲层之上的第二金属层。本专利技术实施例还公开了一种显示装置，包括上述的半导体器件。上述专利技术具有如下优点或者有益效果：本专利技术公开的半导体器件及其制备方法、显示装置，通过在第二金属层与有机光阻层之间设置一层缓冲层，该缓冲层与第二金属层与有机光阻层均有较好的附着力，从而解决了第二金属层与有机光阻层之间附着力较差的问题，进而避免了第二金属层与有机光阻层之间发生剥离的现象；同时该缓冲层与第二金属层可采用同一道光罩形成，从而减少了成本与工艺的复杂程度。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1是本专利技术实施例中半导体器件的示意图；图2是本专利技术实施例中制备半导体器件的方法流程图；图3a-3k是本专利技术实施例中制备半导体器件的方法流程结构示意图。具体实施方式本专利技术涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基板或IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)/LTPS(LowTemperaturePolySilicon，低温多晶硅)/AMOLED基板；目前，在高像素/高解析度产品设计与生产中，通过在接触绝缘层上新增有机光阻层来填充膜层开裂部分，达到绝缘上下层金属配线的目的，但是位于上层的第二金属层在有机光阻层上附着力较差，容易脱落。基于上述问题，本专利技术公开的半导体器件及其制备方法、显示装置，通过在第二金属层与有机光阻层之间设置一层缓冲层，该缓冲层与第二金属层与有机光阻层均有较好的附着力，从而解决了第二金属层与有机光阻层之间附着力较差的问题。下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。实施例一如图1所示，本实施例涉及一种半导体器件，该半导体器件包括按照从下至上的顺序依次设置的基板1、多晶硅层2、栅极绝缘层3，第一金属层4、接触绝缘层5、有机光阻层6、缓冲层7以及第二金属层8；其中，栅极绝缘层3中形成有接触孔31，且该第一金属层4覆盖该接触孔31的侧壁以及底部，并通过该接触孔31与多晶硅层2形成接触(即第一金属层4通过该接触孔31连接到薄膜晶体管漏极位置的多晶硅有源层，以将电流导出)。在本专利技术的实施例中，于第二金属层8和接触绝缘层5之间设置有机光阻层6的目的是当接触绝缘层5因叠层结构应力释放问题而发生开裂产生裂痕或裂缝时，用以填充该裂痕或裂缝，进而避免第一金属层4和第二金属层8形成电接触。图1中示出了接触绝缘层5在接触孔31下方的边缘发生了开裂，但由于有机光阻层6填充，可以很好的保持绝缘性能，使得第一金属层4和第二金属层8彼此绝缘，进而使像素电路得以正常工作；本专利技术的实施例中，之所以于有机光阻层6和第二金属层8之间设置缓冲层7用以将有机光阻层6和所述第二金属层8粘结在一起，是因为第二金属层8在有机光阻层6上附着力较差，容易脱落；而缓冲层7与第二金属层8和有机光阻层6均有较好的附着力，从而解决了第二金属层与有机光阻层之间附着力较差的问题。在本专利技术一个优选的实施例中，上述缓冲层7的材质为氧化铟锡，这是由于缓冲层7与第二金属层8和有机光阻层6均有较好的附着力。在本专利技术一个优选的实施例中，上述栅极绝缘层3包括从下至上依次设置的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第三栅极绝缘层。在本专利技术一个优选的实施例中，上述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第三栅极绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。在本专利技术一个优选的实施例中，第一金属层4和第二金属层8的材质为钼、钛或铝等，且该第一金属层4和第二金属层8的材质可以相同，也可以不同，这并不影响本专利技术的目的。实施例二如图2所示，本实施例涉及一种半导体器件的制备方法，该方法具体包括如下步骤：步骤S1，提供一基板101，优选的，该基板为玻璃基板，如图3a所示的结构。步骤S2，于基板101之上形成多晶硅层102，形成该多晶硅层102的工艺可以采用本领域技术人员所熟知的技术，在此便不予赘述，如图3b所示的结构。步骤S3，于多晶硅层102之上形成具有接触孔1031的栅极绝缘层103，该栅极绝缘层103覆盖多晶硅层102裸露的上表面及部分所述基板的上表面；具体的，于多晶硅层102之上沉积一层栅极绝缘材料，之后采用光刻工艺对该栅极绝缘材料进行刻蚀以形成该具有接触孔1031的栅极绝缘层103，简单的说，该栅极绝缘层103的制备流程为成膜->涂布光阻->曝光->显影->刻蚀->剥离，如图3c所示的结构。在本专利技术一个优选的实施例中，制备栅极绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。步骤S4，形成第一金属层104以将栅极绝缘层103的上表面、接触孔1031的侧壁以及通过接触孔1031暴露的多晶硅层102的上表面均予以覆盖，即第一金属层通过接触孔与多晶硅层电性连接；如图3d所示的结构。具体的，于栅极绝缘层103之上沉积一层金属材料，之后采用光刻工艺对位于接触孔1031内的金属材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一金属层；第二金属层，设置在所述第一金属层之上；接触绝缘层，设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，以将所述第一金属层和所述第二金属层予以隔离；以及有机光阻层，设置于所述接触绝缘层和所述第二金属层之间，用以填充所述接触绝缘层产生的裂缝；其中，所述有机光阻层和所述第二金属层之间还设置有用以将所述有机光阻层和所述第二金属层粘结在一起的缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一金属层；第二金属层，设置在所述第一金属层之上；接触绝缘层，设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，以将所述第一金属层和所述第二金属层予以隔离；以及有机光阻层，设置于所述接触绝缘层和所述第二金属层之间，用以填充所述接触绝缘层产生的裂缝；其中，所述有机光阻层和所述第二金属层之间还设置有用以将所述有机光阻层和所述第二金属层粘结在一起的缓冲层。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化铟锡。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：基板；多晶硅层，设置于所述基板之上；栅极绝缘层，设置于所述多晶硅层和所述第一金属层之间；其中，所述栅极绝缘层中设置有接触孔，所述第一金属层通过所述接触孔与所述多晶硅层电连接。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极绝缘层包括从下至上依次设置的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第三栅极绝缘层。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第三栅极绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材质为钼、钛或铝。7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板；于所述基板之上形成多晶硅层；制备一具有接触孔的栅极绝缘层覆盖所述多晶硅层的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：储培鸣，杨靖哲，商金栋，林信安，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31