高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法，属于压电陶瓷的制作方法。其方法是将Pb3O4、ZrO2、TiO2、Sb2O3、Nb2O5、SrCO3、Bi2O3、MnO2、La2O3研磨成0.4～1.5微米的生瓷料，然后加入聚乙烯醇、辊轧成0.5～0.8毫米厚的膜片，陈腐12小时后再精轧至0.4～0.6毫米厚，冲压成环形圆片，1210～1250℃的烧结成陶瓷介质片。本发明专利技术彻底克服了传统方法制备的压电陶瓷介质片厚度一致性差、致密度低、容易分层和破碎等缺陷；具有效率高、产品厚度一致性好、电性能一致性好等优点。是一种制备压电陶瓷介质片的方法。

Manufacturing method of high density thin piezoelectric ceramic atomizing dielectric sheet

The invention discloses a manufacturing method of a high density thin piezoelectric ceramic atomizing dielectric sheet, which belongs to the manufacturing method of piezoelectric ceramics. The method is to grind Pb3O4, ZrO2, TiO2, Sb2O3, Nb2O5, SrCO3, Bi2O3, MnO2 and La2O3 into 0.4 to 1.5 microns of raw porcelain and then add polyvinyl alcohol and roll into a film of 0.5 to 0.8 millimeters thick. After being stale for 12 hours, it is rolled to 0.4 to 0.6 millimeters thick, and is stamped into circular circular pieces, and 1210~1250 degrees Celsius is sintered into ceramic media. Film. The invention completely overcomes the defects of poor thickness uniformity, low density, easy delamination and breakage, and has the advantages of high efficiency, good thickness of product and good electrical performance consistency, etc. It is a method of preparing piezoelectric ceramic dielectric sheet.

【技术实现步骤摘要】
高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法
本专利技术涉及一种压电陶瓷介质片的制备方法，尤其涉及一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法。
技术介绍
压电陶瓷雾化介质片是加湿雾化器﹑医用雾化器等设备的关键元件，它是一个厚度为0.4～0.6毫米的圆环状陶瓷片。目前，压电陶瓷雾化介质片通常由原料球磨造粒，然后加入粘合剂干压成型制成生坯片，最后在空气中烧结成形，最后进行被电极、极化。该方法的不仅效率低、能耗高，而且生坯厚度的一致性难以保证；另外，由于干压成型的塑性较低，因此生坯的致密度较差、易分层，从而造成产品致密度较低、易破碎。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷，本专利技术旨在提供一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法，采用本专利技术制造的压电陶瓷雾化介质片具有致密度高、不易破碎、介质片厚度一致性好等特点。为了实现上述目的，本专利技术采用技术方案如下：1)将平均粒度为0.4～3毫米的混合原料投入超细搅拌球磨机中研磨4小时，然后转入超细砂磨机再研磨2±0.1小时，得平均粒度为0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：Pb3O457.6～75、ZrO212.2～26、TiO28.2～23.5、Sb2O30～7、Nb2O51～5、SrCO37～15、Bi2O30～5、MnO20.4～3、La2O30～2；2)将所述生瓷料与聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混匀制成生瓷料面团；3)将上述生瓷料面团用轧膜机辊轧1～15小时，得0.5～0.8毫米厚的膜片；4)将上述膜片制成介质体，陈腐12小时；5)将经过臣陈腐的介质体用轧膜机精轧至0.4～0.6毫米厚，然后冲压成环形圆片；6)将上述环形圆片按20～30片叠合整齐放在纯度为99％的氧化铝承烧板上、送入1210～1250℃的烧结炉中烧制成陶瓷介质片，保温2～2.5小时。在上述技术方案中，所述混合原料中各原料的配比优选为：Pb3O466.3、ZrO219.1、TiO215.8、Sb2O33.5、Nb2O53、SrCO311、Bi2O32.5、MnO21.7、La2O31。与现有技术比较，本专利技术由于采用了上述技术方案，因此具有诸多优点，具体分析如下：1)利用超细搅拌球磨机和超细砂磨机两次研磨，因此可保证生瓷料的粒度足够细腻(平均粒度为0.4～1.5微米、最大粒度不大于3微米)；2)由于生瓷料的粒度足够细腻，因此介质片生坯致密度高、塑性好，适合于采用挤膜、轧膜工艺；3)由于介质片生坯致密度高、塑性好，因此能够采用挤膜、轧膜工艺制成厚度为0.4～0.6毫米的介质片，且烧成后产品不会产生分层、易碎等缺陷。4)采用挤膜、轧膜工艺不仅成形效率高、能耗低、厚度可调，而且产品厚度尺寸一致性好。本专利技术彻底克服了传统方法制备的压电陶瓷介质片厚度一致性差、致密度低、容易分层和破碎等缺陷。具体实施方式下面结合和具体的实施例对本专利技术作进一步说明：实施例11)将平均粒度为0.4～3毫米的混合原料投入超细搅拌球磨机研磨4小时，然后转入超细砂磨机再研磨2±0.1小时，得平均粒度为0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：Pb3O457.6、ZrO226、TiO28.2、Sb2O37、Nb2O51、SrCO315、Bi2O30、MnO23、La2O30；2)将所述生瓷料与聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混匀制成生瓷料面团；3)将上述生瓷料面团用轧膜机辊轧1～15小时，得0.5～0.8毫米厚的膜片；4)将上述膜片制成介质体，陈腐12小时；5)将经过臣陈腐的介质体用轧膜机精轧至0.4～0.6毫米厚，然后冲压成环形圆片；6)将上述环形圆片按20～30片叠合整齐放在纯度为99％的氧化铝承烧板上、送入1210～1250℃的烧结炉中烧制成陶瓷介质片，保温2～2.5小时。实施例2各步骤同实施例1；其中，步骤1)中所述各原料的配比为：Pb3O475、ZrO226、TiO223.5、Sb2O30、Nb2O55、SrCO37、Bi2O35、MnO20.4、La2O32；实施例3各步骤同实施例1；其中，步骤1)中所述各原料的配比为：Pb3O466.3、ZrO219.1、TiO215.8、Sb2O33.5、Nb2O53、SrCO311、Bi2O32.5、MnO21.7、La2O31。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法，其特征在于方法如下：1)将平均粒度为0.4～3毫米的混合原料投入超细搅拌球磨机研磨4小时，然后转入超细砂磨机再研磨2±0.1小时，得平均粒度为0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：Pb3O4 57.6～75、ZrO2 12.2～26、TiO2 8.2～23.5、Sb2O3 0～7、Nb2O5 1～5、SrCO3 7～15、Bi2O3 0～5、MnO2 0.4～3、La2O3 0～2；2)将所述生瓷料与聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混匀制成生瓷料面团；3)将上述生瓷料面团用轧膜机辊轧1～15小时，得0.5～0.8毫米厚的膜片；4)将上述膜片制成介质体，陈腐12小时；5)将经过臣陈腐的介质体用轧膜机精轧至0.4～0.6毫米厚，然后冲压成环形圆片；6)将上述环形圆片按20～30片叠合整齐放在纯度为99％的氧化铝承烧板上、送入1210～1250℃的烧结炉中烧制成陶瓷介质片，保温2～2.5小时。

【技术特征摘要】
1.一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法，其特征在于方法如下：1)将平均粒度为0.4～3毫米的混合原料投入超细搅拌球磨机研磨4小时，然后转入超细砂磨机再研磨2±0.1小时，得平均粒度为0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：Pb3O457.6～75、ZrO212.2～26、TiO28.2～23.5、Sb2O30～7、Nb2O51～5、SrCO37～15、Bi2O30～5、MnO20.4～3、La2O30～2；2)将所述生瓷料与聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混匀制成生瓷料面团；3)将上述生瓷料面团用轧膜机辊...

【专利技术属性】
技术研发人员：张田才，吴云南，吴寿贵，王学杰，秦洁，
申请(专利权)人：贵州振华红云电子有限公司，贵州振华电子信息产业技术研究有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52