大樱桃砧木大青叶的繁殖方法技术

本发明专利技术公开了一种大樱桃砧木大青叶的繁殖方法，属于植物繁殖技领域。该方法包括芽茎的选择处理、培养基选择、接种、炼苗、移栽等五个步骤。选取MS为基本培养，基，后将外植体接种在相应培养基上，经初始培养和其后的增殖培养后转移到生根培养基上培养；生根后的试管苗移载到混合基质中经温室培养和露天培养后移栽于大田苗圃。本发明专利技术在嫁接过程中采用红光，特别是LED红光照射，促进了创口的愈合及试管苗根系的生长，所得大青叶苗移栽的成活率高，可达93％以上。

The breeding method of big cherry rootstock

The invention discloses a propagation method of large cherry rootstock, Folium Isatidis, which belongs to the field of plant propagation technology. The method includes five steps: selection of bud stem, selection of medium, inoculation, seedling hardening and transplanting. MS was selected as the basic culture, base, and then inoculated on the corresponding medium, and then transferred to the rooting medium after the initial culture and subsequent proliferation, and the tube seedlings were transplanted into the mixed substrate and transplanted into the nursery of the field after the greenhouse culture and the open air culture. The invention adopts red light in the process of grafting, especially LED red light, which promotes the healing of the wound and the growth of the root of the test tube seedlings. The survival rate of the transplanting is high, up to 93%.

【技术实现步骤摘要】
大樱桃砧木大青叶的繁殖方法
本专利技术涉及一种大樱桃砧木大青叶的繁殖方法，属于植物繁殖技领域。
技术介绍
大樱桃砧木大青叶的叶片宽大浓绿，根系发达，垂直根较多，不易倒伏，抗寒性强，高抗根瘤病。大青叶做砧木嫁接大樱桃，成活率高，很少出现“小脚”现象，幼树生长健壮，盛果期高产、稳产，是大樱桃的优良砧木之一。但大青叶扦插不易生根，压条繁殖出苗率低，远远不能满足市场的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是满足当下的市场需求，提供一种出苗率高的大青叶繁殖方法。本专利技术的技术方案是：第一步芽茎处理：采优质大青叶枝条，去掉所有叶片后用洗洁净洗净表面，自来水冲洗25分钟后置于工作台上，用70％～75％酒精灭菌1～2分钟，再用0.1％升汞浸泡5～10分钟，无菌水冲洗10次后切带芽茎段备用；第二步培养基选择：选取MS基本培养基，蔗糖浓度取1～5％，琼脂0.5～0.8％，PH值为6.0。培养室温度25℃，光强1500～2000Lx，每天光照10～15小时；第三步接种：将外植体接种在MS+6—BA0.3～0.7mg/L+NAA0.1～0.5mg/L的培养基上进行初始培养，3～5天后将初始培养诱导的芽苗转入MS+6—BA0.3～0.6mg/L+NAA0.15～0.25mg/L的培养基上增殖，增殖培养2～3周后，取1.5～2.0cm新梢转移到1/2MS+NAA0.4～0.7mg/L+15～25g蔗糖的生根培养基上，每天红光照射8～12小时，培养20天左右；第四步炼苗：取出生根的试管苗，洗净粘附的培养基，移载到混合基质中，放在温室中的小拱棚炼苗，拱棚温度控制在21℃～23℃，相对湿度在移栽培养初期为90％以及以上；第五步移栽：温室培养30～45天后，露天培养4～9天，移栽于大田苗圃。进一步地，芽茎处理时用70％酒精灭菌90秒，再用0.1％升汞浸泡8分钟。进一步地，蔗糖浓度取2％，琼脂0.6％，PH值为6.0。培养室温度25℃，光强1800Lx，每天光照12小时。进一步地，接种时将外植体接种在MS+6—BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L的培养基上进行初始培养，4天后将初始培养诱导的芽苗转入MS+6—BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L的培养基上增殖，增殖培养15天后，取1.8cm新梢转移到1/2MS+NAA0.5mg/L+18g蔗糖的生根培养基上。进一步地，步骤三中红光波长为610～720nm。进一步地，：步骤三中红光波长为660nm。进一步地，步骤三中所用红光灯为LED灯。进一步地，步骤三中所述红光照射时间为10小时。进一步地，炼苗时拱棚温度控制在22℃，相对湿度在移栽培养初期为91％。进一步地，移栽时温室培养40天后，露天培养8天。具体实施方式以下结合实施例对本专利技术的繁殖方法做进一步描述。[实施例一]第一步芽茎处理：采优质大青叶枝条，去掉所有叶片后用洗洁净洗净表面，自来水冲洗25分钟后置于工作台上，用70％酒精灭菌1分钟，再用0.1％升汞浸泡5分钟，无菌水冲洗10次后切带芽茎段备用；第二步培养基选择：选取MS基本培养基，蔗糖浓度取1％，琼脂0.5％，PH值为6.0。培养室温度25℃，光强1500Lx，每天光照10小时；第三步接种：将外植体接种在MS+6—BA0.3mg/L+NAA0.1mg/L的培养基上进行初始培养，3天后将初始培养诱导的芽苗转入MS+6—BA0.3mg/L+NAA0.15mg/L的培养基上增殖，增殖培养2周后，取1.5cm新梢转移到1/2MS+NAA0.4mg/L+15g蔗糖的生根培养基上，嫁接后每天以610nm的LED红光照射8小时，培养20天左右；第四步炼苗：取出生根的试管苗，洗净粘附的培养基，移载到混合基质中，放在温室中的小拱棚炼苗，拱棚温度控制在21℃，相对湿度在移栽培养初期为90％；第五步移栽：温室培养30天后，露天培养4天，移栽于大田苗圃。[实施例二]第一步芽茎处理：采优质大青叶枝条，去掉所有叶片后用洗洁净洗净表面，自来水冲洗25分钟后置于工作台上，用75％酒精灭菌2分钟，再用0.1％升汞浸泡10分钟，无菌水冲洗10次后切带芽茎段备用；第二步培养基选择：选取MS基本培养基，蔗糖浓度取5％，琼脂0.8％，PH值为6.0。培养室温度25℃，光强2000Lx，每天光照15小时；第三步接种：将外植体接种在MS+6—BA0.7mg/L+NAA0.5mg/L的培养基上进行初始培养，5天后将初始培养诱导的芽苗转入MS+6—BA0.6mg/L+NAA0.25mg/L的培养基上增殖，增殖培养3周后，取2.0cm新梢转移到1/2MS+NAA0.7mg/L+25g蔗糖的生根培养基上，嫁接后每天以610nm的LED红光照射12小时，培养20天左右；第四步炼苗：取出生根的试管苗，洗净粘附的培养基，移载到混合基质中，放在温室中的小拱棚炼苗，拱棚温度控制在23℃，相对湿度在移栽培养初期为98％；第五步移栽：温室培养45天后，露天培养9天，移栽于大田苗圃。[实施例三]第一步芽茎处理：采优质大青叶枝条，去掉所有叶片后用洗洁净洗净表面，自来水冲洗25分钟后置于工作台上，用70％酒精灭菌90秒，再用0.1％升汞浸泡8分钟，无菌水冲洗10次后切带芽茎段备用；第二步培养基选择：选取MS基本培养基，蔗糖浓度取2％，琼脂0.6％，PH值为6.0。培养室温度25℃，光强1800Lx，每天光照12小时；第三步接种：将外植体接种在MS+6—BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L的培养基上进行初始培养，4天后将初始培养诱导的芽苗转入MS+6—BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L的培养基上增殖，增殖培养15天后，取1.8cm新梢转移到1/2MS+NAA0.5mg/L+18g蔗糖的生根培养基上，嫁接后每天以610nm的LED红光照射10小时，培养20天左右。第四步炼苗：取出生根的试管苗，洗净粘附的培养基，移载到混合基质中，放在温室中的小拱棚炼苗，拱棚温度控制在22℃，相对湿度在移栽培养初期为91％；第五步移栽：温室培养40天后，露天培养8天，移栽于大田苗圃。本专利技术在嫁接过程中采用红光，特别是LED红光照射，促进了创口的愈合及试管苗根系的生长，所得大青叶苗移栽的成活率高，可达93％以上。以上仅是本专利技术的优选实施方式。应当指出，对于本
技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下还可以有若干改进，这些改进也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大樱桃砧木大青叶的繁殖方法，其特征在于所述繁殖方法包括以下步骤：第一步芽茎处理：采大青叶枝条，去掉所有叶片后用洗洁净洗净表面，自来水冲洗25分钟后置于工作台上，用70％～75％酒精灭菌1～2分钟，再用0.1％升汞浸泡5～10分钟，无菌水冲洗10次后切带芽茎段备用；第二步培养基选择：选取MS基本培养基，蔗糖浓度取1～5％，琼脂0.5～0.8％，PH值为6.0。培养室温度25℃，光强1500～2000Lx，每天光照10～15小时；第三步接种：将外植体接种在MS+6—BA 0.3～0.7mg/L+NAA 0.1～0.5mg/L的培养基上进行初始培养，3～5天后将初始培养诱导的芽苗转入MS+6—BA 0.3～0.6mg/L+NAA0.15～0.25mg/L的培养基上增殖，增殖培养2～3周后，取1.5～2.0cm新梢转移到1/2MS+NAA 0.4～0.7mg/L+15～25g蔗糖的生根培养基上，每天红光照射8～12小时，培养20天左右；第四步炼苗：取出生根的试管苗，洗净粘附的培养基，移载到混合基质中，放在温室中的小拱棚炼苗，拱棚温度控制在21℃～23℃，相对湿度在移栽培养初期为90％以及以上；第五步移栽：温室培养30～45天后，露天培养4～9天，移栽于大田苗圃。...

【技术特征摘要】
1.一种大樱桃砧木大青叶的繁殖方法，其特征在于所述繁殖方法包括以下步骤：第一步芽茎处理：采大青叶枝条，去掉所有叶片后用洗洁净洗净表面，自来水冲洗25分钟后置于工作台上，用70％～75％酒精灭菌1～2分钟，再用0.1％升汞浸泡5～10分钟，无菌水冲洗10次后切带芽茎段备用；第二步培养基选择：选取MS基本培养基，蔗糖浓度取1～5％，琼脂0.5～0.8％，PH值为6.0。培养室温度25℃，光强1500～2000Lx，每天光照10～15小时；第三步接种：将外植体接种在MS+6—BA0.3～0.7mg/L+NAA0.1～0.5mg/L的培养基上进行初始培养，3～5天后将初始培养诱导的芽苗转入MS+6—BA0.3～0.6mg/L+NAA0.15～0.25mg/L的培养基上增殖，增殖培养2～3周后，取1.5～2.0cm新梢转移到1/2MS+NAA0.4～0.7mg/L+15～25g蔗糖的生根培养基上，每天红光照射8～12小时，培养20天左右；第四步炼苗：取出生根的试管苗，洗净粘附的培养基，移载到混合基质中，放在温室中的小拱棚炼苗，拱棚温度控制在21℃～23℃，相对湿度在移栽培养初期为90％以及以上；第五步移栽：温室培养30～45天后，露天培养4～9天，移栽于大田苗圃。2.根据权利要求1所述的大樱桃砧木大青叶的繁殖方法，其特征在于：芽茎处理时用70％酒精灭菌90秒...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁福冬，
申请(专利权)人：句容市绿润苗木有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32