一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，包括如下步骤：1)对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组；2)提供一个吸附垫，吸附垫上设置有多个用于放置蓝宝石晶片的多个型腔孔，用清水湿润腔孔，将蓝宝石晶片装入型腔孔中并使二者相对固定；3)将吸附垫的型腔孔开口朝下放置在抛光机的铜盘上对蓝宝石晶片进行粗抛光；4)将粗抛光后的蓝宝石晶片放置在双面抛光机的下抛光盘上进行精抛光。采用本发明专利技术的超薄蓝宝石晶片抛光工艺大大缩短抛光时间，提高了抛光效率，降低了生产成本，抛光后蓝宝石晶片的厚度比较薄，可以达到0.1～0.2mm，抛光质量稳定可靠，符合现有蓝宝石产品往更轻薄方向发展的趋势。

Polishing process of a super thin sapphire wafer

The invention provides a polishing process for ultra thin Sapphire Wafers, which includes the following steps: 1) the Cut Sapphire wafers are divided into groups according to thickness; 2) provides an adsorption pad, and a plurality of cavity holes for placing sapphire wafers are arranged on the adsorption pad, and the sapphire wafer is loaded into the cavity hole with clear water wetting cavity holes, and the sapphire wafer is loaded into the cavity hole. And make the two relatively fixed; 3) the cavity openings of the adsorbent pad are placed down on the copper plate of the polishing machine for rough polishing of Sapphire Wafers; 4) the coarse polished sapphire wafers are placed on the lower polishing disc of the double-sided polishing machine to finish polishing. The polishing process of the ultra thin sapphire wafer with this invention greatly shortens the polishing time, improves the polishing efficiency and reduces the production cost. The thickness of the sapphire wafer after polishing is thinner, which can reach 0.1 ~ 0.2mm, the quality of polishing is stable and reliable, which is in line with the trend of the existing sapphire products in the light and thinner direction.

【技术实现步骤摘要】
一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺
本专利技术涉及蓝宝石晶片加工
，特别地，涉及一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺。
技术介绍
蓝宝石是一种集优良光学性能、物理性能和化学性能于一体的多功能氧化物晶体，其硬度仅次于金刚石达到莫氏9级，具有耐磨、耐高温、抗腐蚀、熔点高等特性，上述特性十分适用手机、手表、相机等产品的视窗屏。为了满足上述蓝宝石光学器件发展的要求，获得高平整、高亮度的表面，须对蓝宝石产品进行化学机械抛光，以减少或消除在对产品切割、研磨等工序中对产品的划伤，获得高平整度、高亮度的产品。现有的蓝宝石产品厚度都比较厚，相对强度也比较大，抛光时用传统的双面抛光设备将产品放入比其自身薄的游星轮中进行抛光。但是随着科技发展，对产品的重量和厚度要求越来越苛刻，蓝宝石的厚度也越减越薄，比如目前手机发展的方向为大屏幕、超薄和低重量，蓝宝石密度较大，其尺寸越大，相对的重量也就越重，为了实现手机大轻薄的要求，只能降低蓝宝石的厚度。中国专利CN201310557319.X公开了一种A-面蓝宝石晶片的表面抛光方法，首先配置抛光液，抛光液配置完成后，需保持循环搅拌的状态，以使抛光液中的固体成分悬浮均匀；然后在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，所述超薄蓝宝石晶片抛光后产品的厚度为0.1～0.2mm，其特征在于，所述抛光工艺包括如下步骤：1)、对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组，使得同一组中多片蓝宝石晶片的厚度差在0.015mm以内；2)、粗抛准备阶段：提供一个吸附垫，所述吸附垫上设置有多个用于放置蓝宝石晶片的型腔孔，所述型腔孔的深度低于蓝宝石晶片完成粗抛步骤之后的厚度，用清水湿润所述型腔孔，再将蓝宝石晶片装入所述型腔孔中，使二者相对固定；3)、粗抛阶段：将上述吸附垫的型腔孔开口朝下放置在抛光机的铜盘上，铜盘上表面设有螺旋状或同心圆状的磨液槽，控制上压盘压紧所述吸附垫并带动所述吸附垫与上压盘同步转动，且...

【技术特征摘要】
1.一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，所述超薄蓝宝石晶片抛光后产品的厚度为0.1～0.2mm，其特征在于，所述抛光工艺包括如下步骤：1)、对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组，使得同一组中多片蓝宝石晶片的厚度差在0.015mm以内；2)、粗抛准备阶段：提供一个吸附垫，所述吸附垫上设置有多个用于放置蓝宝石晶片的型腔孔，所述型腔孔的深度低于蓝宝石晶片完成粗抛步骤之后的厚度，用清水湿润所述型腔孔，再将蓝宝石晶片装入所述型腔孔中，使二者相对固定；3)、粗抛阶段：将上述吸附垫的型腔孔开口朝下放置在抛光机的铜盘上，铜盘上表面设有螺旋状或同心圆状的磨液槽，控制上压盘压紧所述吸附垫并带动所述吸附垫与上压盘同步转动，且上压盘与所述铜盘同向转动，注入粒径为3～5μm的钻石研磨液，所述铜盘对所述蓝宝石晶片进行粗抛光，整体压力为100～250g/cm2，所述铜盘的最高转速为15～45rpm，所述上压盘的最高转速为10～40rpm，且上压盘的转速与铜盘的转速不一致，抛光温度为25-38℃，单面抛光25～35min；4)、精抛阶段：将粗抛光后的蓝宝石晶片通过薄片状固定装置放置在双面抛光机的下抛光盘上，所述薄片状固定装置的厚度为小于精抛后蓝宝石晶片产品的厚度，上抛光盘和下抛光盘的抛光面上均设置有抛光磨皮，控制所述上抛光盘、下抛光盘方向相反转动，注入粒径为25～35nm的三氧化二铝抛光液，所述上抛光盘和下抛光盘对蓝宝石晶片的上表面和下表面同时进行精抛光，整体压力为100～250g/cm2，所述上抛光盘的最高...

【专利技术属性】
技术研发人员：周群飞，饶桥兵，梁成华，
申请(专利权)人：蓝思科技长沙有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43