The invention provides a porous SiC ceramic and its preparation method, including the first step, the preparation of the pore making agent, the second step, the hole making agent and the silicon carbide powder ball milling, the third step, the pressing and sintering, the fourth step, the oxidation, and the porous silicon carbide ceramic material. Compact ceramic materials were prepared by sintering short fiber reinforced ceramic matrix, and then porous silicon carbide ceramics were formed through oxidation of carbon fibers. The method is simple, short flow and controllable pore. It is of great guiding significance for the preparation of porous SiC ceramic materials, especially the porous SiC ceramics with the same hole orientation.
【技术实现步骤摘要】
一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
本专利技术属于多孔材料制备
,涉及一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法。
技术介绍
多孔碳化硅陶瓷由于具有低密度、耐高温、耐腐蚀、抗氧化与抗热震性等特点,广泛应用于高温气体过滤材料、催化剂载体与耐火材料领域。目前,已经较多应用的是多孔陶瓷多为氧化物陶瓷,但其存在高温性能不佳与耐腐蚀性能不足等缺点,而多孔碳化硅具有比氧化物陶瓷更好的性能而应用于高温领域,关于多孔碳化硅陶瓷的制备成为目前研究的热点之一。CN102807391B公开了一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法,包括:制备浆料;二制备孔陶瓷生坯;制备预制体;制备碳凝胶;制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结,即得多孔碳化硅陶瓷。CN104402446A了公开了一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法,包括以碱性硅溶胶与碳化硅陶瓷粉体球磨混合配制成碳化硅陶瓷水基悬浮料浆;加入表面活性剂,悬浮料浆经搅拌发泡至设计倍率;再加入促凝剂,并搅拌均匀;将料浆注入非吸水模具中,碱性硅溶胶在促凝剂的作用下凝胶固化;脱模干燥后,将 ...
【技术保护点】
1.一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,造孔剂的制备;按重量份,将100份碳纤维,0.1‑1份硼烷异戊基硫化物络合物,1‑10份ε‑己内酰胺与亚胺基六次甲基亚胺基己二酰的聚合物,0.5‑2份1‑芘癸酸,300‑800份甲苯,70‑90℃,反应1‑5小时,过滤,烘干,得到造孔剂;第二步,湿磨,将短纤维与碳化硅粉体加入球磨罐中,球磨比为5‑10,加入酒精进行球磨,转速为30‑100r/min,时间为5‑20h;第三步中,冷等静压压制,毛坯的致密度为70‑90%,再经放电等离子烧结,烧结温度为1600‑2000℃,时间为10‑30min;第四步中,氧 ...
【技术特征摘要】
1.一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,造孔剂的制备;按重量份,将100份碳纤维,0.1-1份硼烷异戊基硫化物络合物,1-10份ε-己内酰胺与亚胺基六次甲基亚胺基己二酰的聚合物,0.5-2份1-芘癸酸,300-800份甲苯,70-90℃,反应1-5小时,过滤,烘干,得到造孔剂;第二步,湿磨,将短纤维与碳化硅粉体加入球磨罐中,球磨比为5-10,加入酒精进行球磨,转速为30-100r/min,时间为5-20h;第三步中,冷等静压压制,毛坯的致密度为70-90%,再经放电等离子烧结,烧结温度为1600-2000℃,时间为10-30min;第四步中,氧化烧结,气氛为氢气,烧结温度为600-800℃,时间为3-6h。2.如权利要求1所述的一种多孔碳...
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