一种半导体微波发生器连接结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括：微波磁控管、三极半导体、微波头元件、阳极圆盘、电磁流动槽、微波二极管、阴极上盖盘、阴极柱管、阴极柱管基座、阴极柱管底盘、谐振腔筒、微波发生器体、阳极导杆、阴极导杆，本实用新型专利技术微波磁控管设有微波磁控箱、磁控箱凹槽、电极插接柱、微波百叶槽箱、微波百叶隔板、微波线圈轮、微波稳流管，实现了半导体微波发生器连接结构的微波发生器高效配合半导体的结构连接，简洁的运用微波与半导体结合连接成高效的发生器结构工作，使微波发生器更多运用半导体衔接流畅运转电路，快速流通电信号。

A connection structure of a semiconductor microwave generator

【技术实现步骤摘要】
一种半导体微波发生器连接结构
本技术是一种半导体微波发生器连接结构，属于微波发生器连接设备领域。
技术介绍
半导体(semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。微波振荡源产生微波频率的正弦信号的装置，是微波设备和系统中不可缺少的组成部分。根据所用的产生振荡的器件类型，微波振荡源可分为微波管振荡源和微波固态振荡源两大类。前者由微波真空管(见微波电子管)组成，后者由微波半导体二极管(见微波二极管)和微波晶体管组成。电气连接广义上是指电气产品中所有电气回路的集合，包括电源连接部件例如电源插头、电源接线端子等、电源线、内部导线、内部连接部件等；而狭义上的电气连接则只是指产品内部将不同导体连接起来的所有方式。现有技术公开了申请号为：201220348551.3的一种半导体微波发生器连接结构，其包括半导体微波发生器以及天线，该半导体微波发生器通过微波传送部件连接天线，微波再通过天线接入波导盒。该半导体微波发生器与天线之间连接有微波传送部件，半导体微波发生器和波导盒的设置在结构上不受腔体空间限制，使得半导体微波发生器以及波导盒可以根据需要进行设置位置，在结构上解决了设置半导体微波发生器以及波导盒的位置和组合的限制，使结构更简单灵活，且微波功率高，并且可以实现微波的一定距离的传输，传输损耗低，满足微波传输需求，但现有技术半导体微波发生器连接结构的微波帽结构不完善并且衔接度不够没有半导体过渡衔接且微波发生器内部连接结构繁杂无法简化，达不到更加便捷的操作。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种半导体微波发生器连接结构，以解决半导体微波发生器连接结构的微波帽结构不完善并且衔接度不够没有半导体过渡衔接且微波发生器内部连接结构繁杂无法简化，达不到更加便捷的操作的问题。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括：微波磁控管、三极半导体、微波头元件、阳极圆盘、电磁流动槽、微波二极管、阴极上盖盘、阴极柱管、阴极柱管基座、阴极柱管底盘、谐振腔筒、微波发生器体、阳极导杆、阴极导杆，所述三极半导体倾斜插嵌在微波头元件后且采用电连接，所述三极半导体与微波头元件采用过盈配合，所述微波头元件竖直安装于微波发生器体后且采用电连接，所述阳极圆盘设有两个并且分别水平固定在微波发生器体上下两侧且采用电连接；所述微波磁控管垂直固定在微波头元件上且与三极半导体通过微波头元件电连接，所述微波磁控管与阴极柱管通过微波头元件电连接，所述电磁流动槽竖直插嵌在微波发生器体内部且焊接成一体结构，所述谐振腔筒设有两个以上并且环形分布竖直贯穿阳极圆盘和微波发生器体，所述谐振腔筒竖直插嵌在电磁流动槽内部且采用过盈配合，所述微波二极管水平贯穿微波发生器体右侧并且与谐振腔筒相通，所述阴极上盖盘水平固定在阴极柱管上且阴极柱管垂直固定在阴极柱管基座上，所述阴极上盖盘、阴极柱管、阴极柱管基座三者为一体柱筒结构且轴心共线，所述阴极柱管基座垂直固定在阴极柱管底盘上且焊接成一体，所述阴极柱管竖直贯穿微波发生器体圆心点，所述阴极导杆水平焊接在阴极上盖盘圆心处且采用电连接，所述阳极导杆水平焊接在微波发生器体下的阳极圆盘下并采用电连接；所述微波磁控管设有微波磁控箱、磁控箱凹槽、电极插接柱、微波百叶槽箱、微波百叶隔板、微波线圈轮、微波稳流管，所述微波磁控箱竖直插嵌在磁控箱凹槽内部并且采用过盈配合，所述电极插接柱水平贯穿磁控箱凹槽并且水平固定在微波磁控箱左侧，所述电极插接柱与微波磁控箱电连接，所述磁控箱凹槽垂直焊接在微波百叶槽箱上且固定成一体结构，所述微波百叶隔板设有两个以上水平纵向并排成一条直线均固定焊接在微波百叶槽箱内部，所述微波线圈轮水平穿插固定在微波百叶隔板上，所述微波稳流管垂直固定在微波百叶槽箱下且与微波线圈轮电连接，所述微波磁控箱与微波线圈轮、微波稳流管电连接，所述微波稳流管垂直固定在微波头元件上且与三极半导体通过微波头元件电连接，所述微波稳流管与阴极柱管通过微波头元件电连接。进一步地，所述三极半导体由梯形盖板块、半导体柱帽、半导体三极引脚组成。进一步地，所述梯形盖板块倾斜固定在半导体柱帽上并且采用过盈配合，所述梯形盖板块与半导体柱帽之间设有三根半导体三极引脚且均插嵌在微波头元件后并电连接。进一步地，所述微波二极管由二极管左引脚、微波硅晶板、二极外柱管、二极内柱管、二极管右引脚组成。进一步地，所述二极管左引脚与二极管右引脚水平贯穿二极内柱管左右两侧且采用电连接，所述二极管左引脚与二极管右引脚焊接成一体结构。进一步地，所述二极内柱管与二极外柱管之间设有微波硅晶板，所述二极内柱管水平紧贴于微波硅晶板内部且采用过盈配合。进一步地，所述二极外柱管水平紧贴于微波硅晶板外部且采用过盈配合，所述二极外柱管水平贯穿微波发生器体并与谐振腔筒相通。进一步地，所述二极管左引脚水平安装于谐振腔筒内部并且通过电磁流动槽、阴极柱管电连接，所述二极内柱管与谐振腔筒电连接。进一步地，所述微波头元件设有微波导线、紧固橡胶轮、微波头配电箱、机械升降杆、机械传动筒、微波头器体、微波震荡盘、微波头柱管，通过微波头元件微波振荡源产生微波频率的正弦信号的装置，是微波设备和系统中不可缺少的组成部分，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。进一步地，所述微波导线水平贯穿紧固橡胶轮且采用过盈配合，所述微波导线与微波头配电箱电连接，所述微波头配电箱竖直固定在微波头器体上且采用电连接，所述微波震荡盘设有两个并且竖直紧贴于微波头器体左右两侧，所述机械升降杆垂直安装于机械传动筒内部且采用机械连接，所述微波头柱管水平固定在微波头器体前且采用电连接，所述机械传动筒设有两个并且均垂直焊接在微波头柱管上，所述微波头柱管水平插嵌在微波发生器体后并且采用电连接。有益效果在半导体微波发生器连接结构的使用过程中，通过微波磁控管的微波磁控箱对电磁流动槽内的阳极圆盘与阴极柱管形成的磁场电流进行调控导流，通过微波线圈轮与微波稳流管对三极半导体和微波头元件的电流对接进行调节稳流并且线圈衔接流程导通，简单便捷的使微波头元件调控微波二极管输出和三极半导体的衔接过渡更高效，通过微波磁控管达到半导体微波发生器连接结构的微波发生器高效配合半导体的结构连接，简洁的运用微波与半导体结合连接成高效的发生器结构工作，使微波发生器更多运用半导体衔接流畅运转电路，快速流通电信号。在半导体微波发生器连接结构的使用过程中，通过微波头元件的微波导线、微波头柱管对接上下电连接传递电信号，通过微波头配电箱与微波头器体实现微波的震荡对接三极半导体的衔接与微波二极管的输出，通过微波头元件微波振荡源产生微波频率的正弦信号的装置，是微波设备和系统中不可缺少的组成部分，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括：微波磁控管(1)、三极半导体(2)、微波头元件(3)、阳极圆盘(4)、电磁流动槽(5)、微波二极管(6)、阴极上盖盘(7)、阴极柱管(8)、阴极柱管基座(9)、阴极柱管底盘(10)、谐振腔筒(11)、微波发生器体(12)、阳极导杆(13)、阴极导杆(14)，所述三极半导体(2)倾斜插嵌在微波头元件(3)后且采用电连接，所述三极半导体(2)与微波头元件(3)采用过盈配合，所述微波头元件(3)竖直安装于微波发生器体(12)后且采用电连接，所述阳极圆盘(4)设有两个并且分别水平固定在微波发生器体(12)上下两侧且采用电连接，其特征在于：所述微波磁控管(1)垂直固定在微波头元件(3)上且与三极半导体(2)通过微波头元件(3)电连接，所述微波磁控管(1)与阴极柱管(8)通过微波头元件(3)电连接，所述电磁流动槽(5)竖直插嵌在微波发生器体(12)内部且焊接成一体结构，所述谐振腔筒(11)设有两个以上并且环形分布竖直贯穿阳极圆盘(4)和微波发生器体(12)，所述谐振腔筒(11)竖直插嵌在电磁流动槽(5)内部且采用过盈配合，所述微波二极管(6)水平贯穿微波发生器体(12)右侧并且与谐振腔筒(11)相通，所述阴极上盖盘(7)水平固定在阴极柱管(8)上且阴极柱管(8)垂直固定在阴极柱管基座(9)上，所述阴极上盖盘(7)、阴极柱管(8)、阴极柱管基座(9)三者为一体柱筒结构且轴心共线，所述阴极柱管基座(9)垂直固定在阴极柱管底盘(10)上且焊接成一体，所述阴极柱管(8)竖直贯穿微波发生器体(12)圆心点，所述阴极导杆(14)水平焊接在阴极上盖盘(7)圆心处且采用电连接，所述阳极导杆(13)水平焊接在微波发生器体(12)下的阳极圆盘(4)下并采用电连接；所述微波磁控管(1)设有微波磁控箱(100)、磁控箱凹槽(101)、电极插接柱(102)、微波百叶槽箱(103)、微波百叶隔板(104)、微波线圈轮(105)、微波稳流管(106)，所述微波磁控箱(100)竖直插嵌在磁控箱凹槽(101)内部并且采用过盈配合，所述电极插接柱(102)水平贯穿磁控箱凹槽(101)并且水平固定在微波磁控箱(100)左侧，所述电极插接柱(102)与微波磁控箱(100)电连接，所述磁控箱凹槽(101)垂直焊接在微波百叶槽箱(103)上且固定成一体结构，所述微波百叶隔板(104)设有两个以上水平纵向并排成一条直线均固定焊接在微波百叶槽箱(103)内部，所述微波线圈轮(105)水平穿插固定在微波百叶隔板(104)上，所述微波稳流管(106)垂直固定在微波百叶槽箱(103)下且与微波线圈轮(105)电连接，所述微波磁控箱(100)与微波线圈轮(105)、微波稳流管(106)电连接，所述微波稳流管(106)垂直固定在微波头元件(3)上且与三极半导体(2)通过微波头元件(3)电连接，所述微波稳流管(106)与阴极柱管(8)通过微波头元件(3)电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体微波发生器连接结构，其结构包括：微波磁控管(1)、三极半导体(2)、微波头元件(3)、阳极圆盘(4)、电磁流动槽(5)、微波二极管(6)、阴极上盖盘(7)、阴极柱管(8)、阴极柱管基座(9)、阴极柱管底盘(10)、谐振腔筒(11)、微波发生器体(12)、阳极导杆(13)、阴极导杆(14)，所述三极半导体(2)倾斜插嵌在微波头元件(3)后且采用电连接，所述三极半导体(2)与微波头元件(3)采用过盈配合，所述微波头元件(3)竖直安装于微波发生器体(12)后且采用电连接，所述阳极圆盘(4)设有两个并且分别水平固定在微波发生器体(12)上下两侧且采用电连接，其特征在于：所述微波磁控管(1)垂直固定在微波头元件(3)上且与三极半导体(2)通过微波头元件(3)电连接，所述微波磁控管(1)与阴极柱管(8)通过微波头元件(3)电连接，所述电磁流动槽(5)竖直插嵌在微波发生器体(12)内部且焊接成一体结构，所述谐振腔筒(11)设有两个以上并且环形分布竖直贯穿阳极圆盘(4)和微波发生器体(12)，所述谐振腔筒(11)竖直插嵌在电磁流动槽(5)内部且采用过盈配合，所述微波二极管(6)水平贯穿微波发生器体(12)右侧并且与谐振腔筒(11)相通，所述阴极上盖盘(7)水平固定在阴极柱管(8)上且阴极柱管(8)垂直固定在阴极柱管基座(9)上，所述阴极上盖盘(7)、阴极柱管(8)、阴极柱管基座(9)三者为一体柱筒结构且轴心共线，所述阴极柱管基座(9)垂直固定在阴极柱管底盘(10)上且焊接成一体，所述阴极柱管(8)竖直贯穿微波发生器体(12)圆心点，所述阴极导杆(14)水平焊接在阴极上盖盘(7)圆心处且采用电连接，所述阳极导杆(13)水平焊接在微波发生器体(12)下的阳极圆盘(4)下并采用电连接；所述微波磁控管(1)设有微波磁控箱(100)、磁控箱凹槽(101)、电极插接柱(102)、微波百叶槽箱(103)、微波百叶隔板(104)、微波线圈轮(105)、微波稳流管(106)，所述微波磁控箱(100)竖直插嵌在磁控箱凹槽(101)内部并且采用过盈配合，所述电极插接柱(102)水平贯穿磁控箱凹槽(101)并且水平固定在微波磁控箱(100)左侧，所述电极插接柱(102)与微波磁控箱(100)电连接，所述磁控箱凹槽(101)垂直焊接在微波百叶槽箱(103)上且固定成一体结构，所述微波百叶隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国银，
申请(专利权)人：深圳格来得电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44