【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶金膜的电化学表面纳米处理方法
：本专利技术属于多晶金膜的电化学表面纳米处理方法。
技术介绍
：随着纳米科技的发展，金属或金属纳米结构的表面纳米处理技术受到人们越来越多的关注。众所周知，金属(金、银等)纳米结构薄膜由于具有独特的光、电特性，已在表面增强拉曼(SERs)、表面等离子体共振(SPR)光谱等方面得到了广泛的应用。对这些金属纳米结构进行表面纳米加工和处理，必将赋予它们一些独特的性质变化和潜在的应用前景，从而成为纳米结构材料设计与加工的一个热点。在竞相开发的各种方法中，电化学方法由于具有可通过调节电极电位来精确控制在固体表面的原子级加工的特点而逐渐受到人们的关注。到目前为止，为数不多的电化学纳米技术主要基于时空受限的可控金属沉积，并已成功地用于制备表面支撑的金属纳米粒子、纳米岛、纳米线、纳米结、纳米结构图案及光子晶体等。电化学表面纳米处理技术的开发方兴未艾，意义重大。尽管电化学欠电位沉积方法已被用于辅助电沉积制备取向生长的金属薄膜(S.Hwang，I.Oh，J.Kwak，J.Am.Chem.Soc.2001，123，7176-7177.)，但至今未见其用于纳米金属薄膜的表面处理方法。
技术实现思路
：本专利技术的目的是提供一种多晶金膜的电化学表面纳米处 理方法。由于金和银的晶格常数、功函均相近，在连续进行的欠电位-->沉积与溶出过程中使多晶金膜表面发生结构重组。在这一过程中，单分子层银原子的沉积与溶出运动好像电化学的原子敲击作用，通过较强的金—银原子间相互作用，最终导致获得光学性质发生变化的、表面(111)取向排列的、颗粒尺寸更为均一光滑的金膜。本...
【技术保护点】
一种多晶金膜的电化学表面纳米处理方法，其特征在于选择化学镀法制备的厚度为５０～１００ｎｍ的多晶金膜作为工作电极，以ＫＣｌ饱和的Ａｇ／ＡｇＣｌ电极为参比电极，Ｐｔ片为对极，在含０．４～０．８ｍＭＡｇ↓［２］ＳＯ↓［４］的０．１ＭＨ↓［２］ＳＯ↓［４］溶液中，于０～＋０．７０Ｖ之间以２０ｍＶ／ｓ的扫描速度进行１０－５０次连续反复的银欠电位沉积与溶出，最后溶出银单分子层；控制欠电位沉积与溶出的次数，使表面等离子体共振角度发生选择性的移动。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多晶金膜的电化学表面纳米处理方法，其特征在于选择化学镀法制备的厚度为50～100nm的多晶金膜作为工作电极，以KCl饱和的Ag/AgCl电极为参比电极，Pt片为对极，在含0.4～0.8mMAg2SO4的0.1M H2SO4溶液中，于0～+0.70V之间以20mV/s的扫描速度进行10-50次连续反复的银欠电位沉积与溶出，最后溶出银单...
【专利技术属性】
技术研发人员：董绍俊，金永东，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]
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