一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法技术

本发明专利技术涉及二极管技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法；包括以下步骤：将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装；本发明专利技术具有较宽的工作温度，能在极限温度下稳定工作，相同外形尺寸下可提升80％左右的瞬态功率，使产品在较小的封装尺寸下具有较大的瞬态功率，具有较高的市场推广价值。 1

A method of manufacturing transient voltage suppressor for glass passivated surface mount packaging

The invention relates to the field of diode technology, in particular to a manufacturing method of a glass passivation table attached to a transient voltage suppression diode; the following step is to obtain a chip of the specified size by a silicon wafer of the diffusion evaporated metallized layer through a fission; the electrode lead wire and the core are welded through welding and bonding; and the electricity is connected. The polar components are coated on the surface of the product by corrosion, cleaning and passivation on the surface of the product to encapsulate the glass powder, and the chain type is formed at high temperature to complete the package molding; the axial products and the electrodes are welded at high temperature through the special solder, and the glass passivation is attached after the removal of the lead wire; the invention has a wide working temperature and can be used. Under the limit temperature, the transient power can be increased by about 80% under the same shape and size, which makes the product have greater transient power in smaller package size, and has high market value. One

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法
本专利技术涉及二极管
，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法。
技术介绍
随着高端整机用户配套工程向小型化、集成化、高密度化的发展趋势，用户对高可靠表贴器件的使用量增加，二极管的使用也日趋普及，瞬态电压抑制二极管是一种稳压二极管形式的高效瞬态电压保护器件，当瞬态抑制二极管受到反向瞬态高能量冲击时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，从而吸收较大的浪涌脉冲功率，并将电压箝制到预定水平，有效地保护电子线路中的精密关键元器件，避免高压浪涌脉冲对器件造成损坏，因此瞬态吸收功率是此类器件的重要技术指标。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法。本专利技术通过以下技术方案得以实现。一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括以下步骤：(1)将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；(2)将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；(3)将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；(4)将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装。所述的电极引线为钨。所述的焊料为铝。所述封装，采用贴片式封装。所述瞬态电压抑制二极管，为U型表贴封装结构。进一步，单向吸收瞬态功率采用单颗管芯实现，双向吸收瞬态功率采用两个管芯实现。综上所述，本专利技术有益效果在于：本专利技术采用U型玻璃钝化表贴封装，相对于传统的轴向器件而言，具有更易于安装的特点，同时采用玻璃钝化封装，具有较宽的工作温度，能在极限温度下稳定工作，在电极材料的选取上，采用钨电极代替传统的钼电极作为电极材料，由于钼的散热能力较差，采用钼电极制造的器件瞬态功率不高，而金属钨的散热能力明显优于钼，采用钨电极制造的玻璃钝化瞬态电压抑制二极管，可以大幅提升器件的瞬态功率，相同外形尺寸下可提升80％左右的瞬态功率，使产品在较小的封装尺寸下具有较大的瞬态功率，具有较高的市场推广价值。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1：玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管结构图；具体实施方式下面对本专利技术的优选实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括以下步骤：(1)将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；(2)将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；(3)将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；(4)将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装。如图1所示，本设计采用钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，铝焊料通过电子束蒸发的方式实现，芯片与钨电极引线之间高温烧结的方式将管芯进行熔焊键合，单向吸收瞬态功率采用单颗管芯实现，双向吸收瞬态功率采用两个管芯实现，采用钨电极引线代替钼电极引线，在相同封装外形尺寸下，采用钨电极引线制造的瞬态电压抑制二极管可提升80％以上的瞬态功率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步

【技术特征摘要】
1.一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；(2)将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；(3)将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；(4)将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装。2.如权利要求1所述的玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：古进，迟鸿燕，张丽，寿强亮，吴王进，黄玉恒，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八三七厂，
类型：发明
国别省市：贵州,52