测量方法技术

本发明专利技术揭示了一种测量方法。本发明专利技术提供的测量方法，包括提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；测量所述待加工产品的初始厚度d1；在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；测量所述第一材料层的厚度d2；测量所述待加工产品的最终厚度d3；计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3‑d2‑d1。由此，相比现有技术，可以达到简单快速的测量得到形成的赘余材料层的厚度，优化了测量过程，节省了时间、人力和物力，有助于高效生产。 1

【技术实现步骤摘要】
测量方法
本专利技术涉及半导体技术工艺领域，特别是涉及一种测量方法。
技术介绍
例如在半导体加工生产过程中，光刻工艺是制约着产品质量的一个关键因素，能否进行精确的光刻，至关重要。然而，硅片厚度的均匀性会直接影响到光刻过程。如图1所示，通常会需要在硅片1正面上形成一层外延层，这一过程可以是将硅片1放置在基座2上。然而，硅片1经常会发生滑动，从而倾斜。于是，生长外延层的反应气体就可以从错开的缝隙3处侵入硅片1下方，进而在硅片1背面形成附带一层赘余外延层4，并且这层外延层4基本上是不均匀的，由此会对光刻过程产生影响。另外，还存在着其他形式也会使得硅片上有着厚度不均匀的赘余外延层。例如对于研磨后的硅片，通常表面有一薄层氧化膜，在对一面进行氢气处理时，经常会在另一面形成一些针孔，从而在针孔中产生外延生长，这也会影响硅片厚度的均匀性。但是，通常这些不需要的赘余外延层的厚度又很薄，难以直接检测到其具体厚度。目前，已经存在多种方法来进行检测。例如公开号为US8409349B2的美国专利揭示了如下一种方法：1、提供一硅片；2、在硅片背面上形成辅助层；3、测量辅助层的厚度；4、在硅片正面上进行外延生长，此时在辅助层上会形成附带的赘余外延层；5、再次测量辅助层的厚度；6、两次测量的厚度差即为附带形成的赘余外延层的厚度。但是，这一过程繁琐，需要形成专门的辅助层，成本较高。有鉴于此，目前有需要一种新的测量方法，以改善上述的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种测量方法，可以简单快速的测量附带形成的膜层的厚度。为解决上述技术问题，本专利技术的提供一种测量方法，包括：提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；测量所述待加工产品的初始厚度d1；在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；测量所述第一材料层的厚度d2；测量所述待加工产品的最终厚度d3；计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3-d2-d1。可选的，对于所述的测量方法，采用双面平坦度检测方法获得所述初始厚度和所述最终厚度。可选的，对于所述的测量方法，采用FTIR获得所述第一材料层的厚度。可选的，对于所述的测量方法，在所述待加工产品上选择多个点进行每次厚度的测量。可选的，对于所述的测量方法，选择点数为13个，排列呈十字。可选的，对于所述的测量方法，相邻点之间的间距相同。可选的，对于所述的测量方法，所述待加工产品为硅片。可选的，对于所述的测量方法，所述第一材料层为外延层。本专利技术提供的测量方法，包括提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；测量所述待加工产品的初始厚度d1；在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；测量所述第一材料层的厚度d2；测量所述待加工产品的最终厚度d3；计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3-d2-d1。由此，相比现有技术，可以达到简单快速的测量得到形成的赘余材料层的厚度，大大优化了测量过程，节省了时间、人力和物力，有助于高效生产。附图说明图1为一种在硅片形成外延层时的示意图；图2为本专利技术一实施例中测量方法的流程图；图3为本专利技术一实施例中提供待加工产品的示意图；图4为本专利技术一实施例中测量所述待加工产品的初始厚度的位置示意图；图5为本专利技术一实施例中形成第一材料层时的示意图；图6为本专利技术一实施例中测量所述第一材料层的厚度的示意图；图7-图8为本专利技术一实施例中测量所述待加工产品的最终厚度的示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的测量方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。参阅图2，图2为本专利技术提供的测量方法的流程图，本专利技术测量方法包括下列步骤：步骤S11，提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；步骤S12，测量所述待加工产品的初始厚度d1；步骤S13，在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；步骤S14，测量所述第一材料层的厚度d2；步骤S15，测量所述待加工产品的最终厚度d3；步骤S16，计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3-d2-d1。为了更具体地阐述图2的测量方法，请参照图3-图8进行详细说明。如图3所示，执行步骤S11，提供待加工产品10，所述待加工产品10具有相对的第一面和第二面；在本专利技术实施例中，所述代加工产品10可以为硅片，例如是抛光后的晶圆。当然，也可以是其他晶圆，甚至，也可以是其他产品，例如玻璃衬底、金属材质等。请继续参考图3，执行步骤S12，测量所述待加工产品10的初始厚度d1；请结合图4，为了获得较好的测量效果，可以对所述待加工产品10进行多点测量。在本专利技术一实施例中，选择点数为13个，具体的，如图4中的分布方式，这13个点排布呈十字，即可以是分布在XOY坐标系中，且相邻点之间的间距相同，例如，所述间距可以是30mm-50mm。具体点数和间隔以及排布方式可以由实际需求而定，例如还可以是排布呈“米”字型等。适当的点数可以确保厚度测量的准确性，且同时避免测量时间过长。考虑到后续赘余材料层较薄，为了使得最终结果较为精准，采用双面平坦度检测方法获得所述初始厚度d1。请参考图5，执行步骤S13，在所述第一面上形成第一材料层11，同时会在所述第二面上形成赘余材料层12，所述赘余材料层12的厚度小于0.3μm；以本专利技术实施例中待加工产品10为硅片为例，所述第一材料层11可以为外延层，可以通过外延生长获得，例如起厚度可以是1μm-50μm等。如图5中，赘余材料层12的形成会使得待加工产品10变得厚度不均匀。并且由于赘余材料层12的厚度较薄，并不容易被测量出来。请参考图6，执行步骤S14，测量所述第一材料层11的厚度d2；所述第一材料层的厚度d2可以通过FTIR(FourierTransformInfraredSpectroscopy，傅里叶转换红外线光谱分析仪)来获得。进一步的，以本专利技术实施例选择13个点为例，本步骤的测量依然在之前的13个点所在位置进行测量。请参考图7-图8，执行步骤S15，测量所述待加工产品10的最终厚度d3；本实施例中同样采用双面平坦度检测方法获得所述最终厚度d3。如图8所示，双面平坦度检测装置20通过干涉获取所述待加工产品10的最终形状，从而进一步获得最终厚度d3。进一步的，以本专利技术实施例选择13个点为例，本步骤的测量依然在之前的13个点所在位置进行测量。通过这一步骤，能够精确的获得具体厚度数据。可以理解的是，上述步骤中S14和步骤S15的顺序可以调换。最后，执行步骤S16，计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3-d2-d1。经过实际实验验证，本专利技术的上述方法获得的赘余材料层的厚度Δd精确有效，在获得的数据的基础上进行处理后，能够有效改善光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测量方法，包括：

【技术特征摘要】
1.一种测量方法，包括：提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；测量所述待加工产品的初始厚度d1；在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；测量所述第一材料层的厚度d2；测量所述待加工产品的最终厚度d3；计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3-d2-d1。2.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，采用双面平坦度检测方法获得所述初始厚度和所述最终厚度。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕，刘源，保罗·邦凡蒂，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31