碳化硅生产烘干系统技术方案

本发明专利技术公开了一种碳化硅生产烘干系统。它包括一个反应装置和一个烘干装置，反应装置包括一个具有保温层的反应容器，反应容器的顶端设置有原料投放口，反应容器投放用于碳化硅生产的碳源、硅源和催化剂，反应容器内的底部放置有基板，反应容器上还连接有变频温控装置，烘干装置包括一个烘干箱体，烘干箱体上设置有氮气或者氩气的进气通道，烘干箱体内还设置有供热气通过的盘管，盘管的进口端与一个供热装置连接，盘管的出口端经过烘干箱体外的一段连通管后也与供热装置连接，反应容器内的底部放置的基板转运到烘干箱体内后进行烘干。采用上述的结构后，结构简单，设备成本低，反应彻底、迅速，节约了能源，提高了生产率，保证了产品品质。 1

Silicon carbide production drying system

The invention discloses a drying system for silicon carbide production. It includes a reaction device and a drying device. The reaction device includes a reaction vessel with an insulating layer. The top of the reaction vessel is provided with a raw material delivery port. The reaction container is put on the carbon source, the silicon source and the catalyst for the silicon carbide production. The bottom of the reaction container is placed with a substrate. The reaction container is also connected with the reaction vessel. The drying device includes a drying box with a nitrogen or argon air inlet channel on the drying box. The drying box is also equipped with a coil through which the heating gas is passed. The inlet end of the coil is connected with a heating device. The outlet end of the coil is also connected with the heating assembly after a section of the tube in the oven. The substrate at the bottom of the reaction vessel is transferred to the drying box for drying. After adopting the above structure, the structure is simple, the equipment cost is low, the reaction is thorough and fast, energy is saved, productivity is improved, and product quality is ensured. One

【技术实现步骤摘要】
碳化硅生产烘干系统
本专利技术涉及一种碳化硅生产设备，具体地说是一种碳化硅生产烘干系统。
技术介绍
由于现代碳化硅晶片（SiC）的主流制作方法仍然沿袭了硅晶圆的结晶法，即先在非常苛刻的外环境下结晶形成晶圆，再激光切片，形成晶片，制作流程非常严格，周期长，设备昂贵，不但成本高，而且品质难以控制，因此急需一种能够摈弃常规的晶圆结晶法，采用全新的方法和设备进行碳化硅晶片生产的技术，但是采用什么样的生产设备成为降低生产成本，提高生产率，保证生产品质的关键。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够降低生产成本，提高生产率，保证产品品质的碳化硅生产烘干系统。为了解决上述技术问题，本专利技术的碳化硅生产烘干系统，包括一个反应装置和一个烘干装置，反应装置包括一个具有保温层的反应容器，反应容器的顶端设置有原料投放口，反应容器可通过原料投放口投放用于碳化硅生产的碳源、硅源和催化剂，反应容器内的底部放置有用氧化铝制成的基板，反应容器上还连接有一个可用于恒温控制的变频温控装置，烘干装置包括一个烘干箱体，烘干箱体上设置有用来隔离氧气的氮气或者氩气的进气通道，烘干箱体内还设置有供热气通过的盘管，盘管的进口端与一个供热装置连接，盘管的出口端经过烘干箱体外的一段连通管后也与供热装置连接，反应容器内的底部放置的基板转运到烘干箱体内后进行烘干。所述供热装置为燃烧炉或煤窑。所述保温层的厚度为１３～1６cm。采用上述的结构后，采用上述的结构后，由于设置的反应容器，可进行碳化硅的生产反应，通过连接在烘干箱体上的进气通道可以向反应容器内充入用来隔离氧气的氮气或者氩气，同时烘干箱体内盘管的余热通过烘干箱体外的一段连通管后与供热装置连接，可以进行烘干并将利用后的热量再次回收利用，节约了能源，通过变频温控装置来进行温度控制可使反应彻底，由此设置，结构简单，设备成本低，反应彻底、迅速，节约了能源，提高了生产率，保证了产品品质。附图说明图1为本专利技术碳化硅生产烘干系统的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式，对本专利技术的碳化硅生产烘干系统作进一步详细说明。如图所示，本专利技术的碳化硅生产烘干系统，包括一个反应装置10和一个烘干装置11，反应装置包括一个具有保温层1的反应容器2，反应容器2的顶端设置有原料投放口8，反应容器2可通过原料投放口8投放用于碳化硅生产的碳源、硅源和催化剂，反应容器2内的底部放置有用氧化铝制成的基板3，反应容器2上还连接有一个可用于恒温控制的变频温控装置5，烘干装置11包括一个烘干箱体12，烘干箱体12上设置有用来隔离氧气的氮气或者氩气的进气通道7，烘干箱体12内还设置有供热气通过的盘管4，盘管4的进口端与一个供热装置9连接，盘管4的出口端经过烘干箱体12外的一段连通管6后也与供热装置9连接，反应容器2内的底部放置的基板3转运到烘干箱体12内后进行烘干，供热装置9为燃烧炉或煤窑，保温层1的厚度为１３～1６cm，使其保温效果很好。该设备使用时，将碳源，硅源和催化剂（弱氧化剂）按照1:1:0.01的比例放入盛有溶剂的反应容器中，反应容器中底部放有氧化铝制成的基板，基板两端接入正负极稳压稳流电源，促进膜的生长，经过10～30分钟在基板上形成膜状，然后将基板放到烘干设备进行烘干，温度100～200度，60分钟时间，烘干时在烘干设备中加入氮气或者氩气来隔离氧气。上述的结构设置为碳化硅生产的其中一个烘干步骤，通过这个步骤，利用盘管内的热量对产品进行反应后烘干，由于盘管散发的热量比较均匀，不但使产品反应环境好，反应充分，而且节约能源，同时结合着碳化硅生产的其它步骤可以完全实现碳化硅的生产，同时需要说明的是本设备是专门针对新型的碳化硅生产方法所提出的，它是专门用于改生产方法的生产设备，具有不可替代作用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅生产烘干系统，其特征在于：包括一个反应装置（10）和一个烘干装置

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅生产烘干系统，其特征在于：包括一个反应装置（10）和一个烘干装置（11），所述反应装置包括一个具有保温层（1）的反应容器（2），反应容器（2）的顶端设置有原料投放口（8），反应容器（2）可通过原料投放口（8）投放用于碳化硅生产的碳源、硅源和催化剂，反应容器（2）内的底部放置有用氧化铝制成的基板（3），所述反应容器(2)上还连接有一个可用于恒温控制的变频温控装置(5)，所述烘干装置（11）包括一个烘干箱体（12），所述烘干箱体（12）上设置有用来隔离氧气的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张长凤，
申请(专利权)人：镇江苏佰鑫工程机械有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32