一种SiC纳米线的表面改性方法技术

本发明专利技术涉及一种SiC纳米线的表面改性方法，采用了球形碳和钙磷微米带对SiC纳米线进行表面改性，通过对球形碳的高温氧化和含水氧化复合处理，一方面促使球形碳的表面形成微小空隙结构，促进后续钙磷微米带渗入空隙并与球形碳形成机械结合，另一方面使得球形碳的表面形成了含氧官能团，促进了球形碳表面和钙磷微米带形成化学键结合。钙磷微米带组分一方面保持了钙磷相的化学组分，其化学组分与人体骨骼的无机物化学成分一致，可以有效提高SiC纳米线的生物活性。另一方面钙磷呈现微米带状，尺寸与人体骨骼的无机相的形貌也一致，可以有助于改善细胞响应行为及组织学反应行为。

A surface modification method for SiC nanowires

The present invention relates to a surface modification method of SiC nanowires. The surface modification of SiC nanowires is made by spherical carbon and calcium phosphate microstrip. The surface of spherical carbon is formed by high temperature oxidation and hydrous oxidation of spherical carbon. The mechanical binding of spherical carbon, on the other hand, makes the surface of the spherical carbon form an oxygen containing functional group, which promotes the formation of a chemical bond between the spherical carbon surface and the calcium phosphorus micron band. On the one hand, the chemical components of calcium and phosphorus microstrip keep the chemical components of calcium and phosphorus phase, and their chemical components are consistent with the inorganic chemical components of human skeleton, which can effectively improve the biological activity of SiC nanowires. On the other hand, calcium and phosphorus are micrometer banded, and the size of calcium and phosphorus is consistent with the morphology of the inorganic phase of human skeleton, which can help to improve the response behavior of cells and the behavior of tissue reaction.

【技术实现步骤摘要】
一种SiC纳米线的表面改性方法
本专利技术属于一种生物材料的制备方法，涉及一种SiC纳米线的表面改性方法。
技术介绍
SiC纳米线的密度低并具有高强度、高硬度等优异的力学性能，因而被广泛应用做增强相材料。文献1“Y.H.Chu,Q.G.Fu,H.J.Li,etal.EffectofSiCnanowiresonthemechanicalandoxidationprotectiveabilityofSiCcoatingforC/Ccomposites.JournaloftheAmericanCeramicSociety,2012,95(2):739-745”报道了将SiC纳米线用于陶瓷涂层的增强相，通过SiC纳米线的拔出、桥连以及裂纹偏转机制有效提高了陶瓷涂层的强度和韧性。SiC纳米线除了具备优异的力学性能之外，其还具有良好的生物学性能，文献2“L.Wu,X.X.Xu,L.Z.Wang,etal.StudyoncytocompatabilityandanimalimplantationtestoffoamSiC,JournalofInorganicMaterials.:2010(25)：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC纳米线的表面改性方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将SiC纳米线置于沉积炉中，通入流量为1.5～2.5升/分钟的氩气，然后以4～6度/分钟的升温速度升温至950～1100度，然后通入流量为0.8～1.2升/分钟的甲烷，保温5～15分钟后停止通入甲烷并关闭高温炉，随炉冷却得到产品A；步骤2：将电阻炉以4～6度/分钟的升温速度升温至400～500度，将产品A放置入电阻炉中高温处理10～60秒后得到产品B；步骤3：将产品B置于电阻炉中，通入流量为0.1～1.0升/分钟的氩气，然后以4～8度/分钟的升温速度升温至350～450度，然后以0.1～0.5毫升/分钟的速度向电阻炉中加入蒸馏水，保温...

【技术特征摘要】
1.一种SiC纳米线的表面改性方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将SiC纳米线置于沉积炉中，通入流量为1.5～2.5升/分钟的氩气，然后以4～6度/分钟的升温速度升温至950～1100度，然后通入流量为0.8～1.2升/分钟的甲烷，保温5～15分钟后停止通入甲烷并关闭高温炉，随炉冷却得到产品A；步骤2：将电阻炉以4～6度/分钟的升温速度升温至400～500度，将产品A放置入电阻炉中高温处理10～60秒后得到产品B；步骤3：将产品B置于电阻炉中，通入流量为0.1～1.0升/分钟的氩气，然后以4～8度/分钟的升温速度升温至350～450度，然后以0.1～0.5毫升/分钟的速度向电阻炉中加入蒸馏水，保温5-30分钟后停止加入蒸馏水并关闭电阻炉，随...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊磊，郭瑶，李贺军，李克智，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61