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一种制备高纯铟的方法技术

技术编号:1820933 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种制备高纯铟的方法,该方法包括首先电解粗铟阳极,然后在高真空和高温下蒸馏电解得到的阴极铟片以除去挥发性杂质,然后将真空蒸馏后的金属铟熔化铸成阳极进一步电解得到6N(99.9999%)以上纯度的高纯铟。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备高纯铟的方法,该方法包括下列步骤:    (a).第一次电解:将粗铟熔化铸成阳极,使用环氧树脂粘边的石墨板作为阴极,在聚氯乙烯硬质塑料板作成的电解槽中进行电解,用硫酸溶解铟锭配制电解液,电解液中含有铟70-120克/升,氯化钠50-100克/升,明胶0.2-0.5克/升,pH值2.5-3,电解时槽电压控制在0.3-0.5伏,阴极电流密度为0.01-0.03安培/cm↑[2],电解后在石墨阴极上析出铟片;    (b).真空蒸馏:将电解阴极铟片放入真空熔炼炉中蒸馏除杂,真空炉内压力保持在2×10↑[-3]Pa以下,分两步除杂,第一步,熔炼温度为750-850℃,时间为1-3.5小时,第二步,熔炼温度为1000-1250℃,时间为0.5-2小时;    (c).第二次电解:将真空蒸馏后的金属铟熔化铸成阳极,阴极用钛板,在聚氯乙烯硬质塑料板作成的电解槽中进行电解,用光谱纯盐酸溶解6N高纯铟配制电解液,电解液含有:铟60-100克/升,氯化钠50-100克/升,硫脲0.1-0.5克/升,明胶0.2-0.5克/升,pH值为2.5-3,电解时槽电压控制在0.3-0.5伏,阴极电流密度为0.01-0.03安培/cm↑[2],电解后将在阴极钛板上析出的铟片取下,用热无离子水洗涤后,在200-300℃下将阴极铟片熔化铸锭,得到高纯铟。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈奕林熊志军
申请(专利权)人:沈奕林熊志军
类型:发明
国别省市:45[中国|广西]

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